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公开(公告)号：CN112585305A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980052719.0
申请日：2019-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/02 , C23C16/34 , C30B33/06 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L27/12
Abstract: 将偏角0.5～5度的C面蓝宝石薄膜(1t)转印至由800K下的热膨胀率比硅大、比C面蓝宝石小的陶瓷材料构成的操作基板上，从而制作GaN外延生长用基板(11)；进行GaN外延生长用基板(11)的高温氮化处理而将C面蓝宝石薄膜(1t)表面用由AlN构成的表面处理层(11a)被覆；使GaN在该表面处理层(11a)上外延生长，制作表面由N极性面构成的GaN膜负载体；对GaN膜(13)进行离子注入；将经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支撑基板(12)贴合以接合；在GaN膜(13)中的离子注入区域(13ion)进行剥离而将GaN薄膜(13a)转印至支撑基板(12)上，得到在支撑基板(12)上具有表面由Ga极性面构成的结晶性和平坦性良好的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)。
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公开(公告)号：CN104488080A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380039179.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及能够投入半导体生产线的混合基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子而形成离子注入区域3，使上述硅基板的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅薄膜(半导体层)6的混合基板8的混合基板的制造方法，其特征在于，预先在还原性气氛中将上述蓝宝石基板4进行热处理后，与硅基板1贴合。
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公开(公告)号：CN101262029B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810083479.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/068 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/056 , H01L21/76254 , H01L31/03921 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。
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公开(公告)号：CN101981654A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111732.5
申请日：2009-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN101978467A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110193.3
申请日：2009-03-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/30608
Abstract: 本发明提供一种制造SOI晶片的方法，该方法能够有效去除存在于离子注入层中的离子注入缺陷层，所述离子注入层位于通过离子注入剥离方法剥离的剥离表面附近；确保基板的面内均一性；还能实现低成本和高产量。所述制造SOI晶片的方法至少包括以下工序：将硅晶片或含有氧化膜的硅晶片与支撑晶片贴合以制备贴合基板的工序，所述硅晶片通过注入氢离子和/或稀有气体离子而形成离子注入层；沿所述离子注入层进行剥离，从而将所述硅晶片转印至所述支撑晶片上，制成剥离后的SOI晶片的工序；将所述剥离后的SOI晶片在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序；对经过所述氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片施以900℃以上的热处理的工序；和/或通过10-50nm的CMP研磨，对所述经过氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片的硅膜层进行研磨的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101946303A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105188.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L21/3065 , H01L21/3247 , H01L21/76254
Abstract: 本发明提供一种将退火工序中的基板的膜厚变化降到最小限度、而且达到表面平滑化的方法。一种SOI基板的表面处理方法，其至少包括通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对SOI基板的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述处理的SOI基板进行热处理退火的工序。
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公开(公告)号：CN101290872A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810093348.4
申请日：2008-04-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基板的背面(也即绝缘性基板的背面)粗面化而容易搬运及在载置后取出，进而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，提供一种贴合基板的制造方法，其表面的识别更与硅半导体晶片的工序同样简便。
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公开(公告)号：CN101286537A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810090977.1
申请日：2008-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/1892 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，其以结晶性高的单晶硅作为薄膜的光变换层。一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；于金属基板上形成透明绝缘性层的工序；于上述离子注入面和上述透明绝缘性层表面的至少其中一方，进行表面活化处理的工序；将此两者贴合的工序；机械性剥离上述单晶硅基板以作成单晶硅层的工序；于上述单晶硅层的上述剥离面形成多个第二导电型的扩散区域，并使上述单晶硅层的上述剥离面存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；于上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上各自形成多个个别电极的工序；形成各集电电极的工序；以及形成透明保护膜的工序。
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公开(公告)号：CN101286443A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810088668.0
申请日：2008-04-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76254 , C23C14/48
Abstract: 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。
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公开(公告)号：CN101262029A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083479.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/068 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/056 , H01L21/76254 , H01L31/03921 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。
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