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公开(公告)号：CN113848687A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010597518.3
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种套刻标记及使用套刻标记进行套刻误差测量的方法。该套刻标记包括第一测量标记和第二测量标记，其中，第一测量标记具有圆形外轮廓、形成于前层上，第二测量标记具有圆形外轮廓、形成于当前层上。该方法包括下述的步骤：在前层上形成具有圆形外轮廓的第一测量标记以及在当前层上形成具有圆形外轮廓的第二测量标记，且第二测量标记尺寸与第一测量标记尺寸不同，然后再利用第一测量标记与第二测量标记的位置偏差计算出套刻误差。与传统套刻标记不同，本公开创新地提出了具有圆形结构设计的套刻标记，能够利用面积比例的方式计算出套刻误差，彻底解决了传统套刻误差测量方案受噪音信号干扰的问题。
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公开(公告)号：CN113823549A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010566943.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供的一种半导体结构的制造方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供已完成阱注入的衬底；进行双栅极氧化物沉积；进行氮化硅沉积；在沉积有氮化硅膜的衬底正面、侧面和至少一部分背面形成疏水层。在上述技术方案中，通过在晶圆(即衬底)的背面形成适当的疏水层以后，便可以因晶圆背面的疏水功能有效的降低化学液体对晶圆最外层涂层破损位置的渗透，减少或消除晶圆背面涂层脱落的碎片，使晶圆的正面不受到碎片落入影响，从而提高晶圆的产品良率。
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公开(公告)号：CN113808910A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010531529.1
申请日：2020-06-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及半导体结构的制造方法，具体是一种非共形的类原子层沉积方法，包括：在半导体衬底上提供待沉积的表面；采用循环供给反应前驱体的类原子层沉积方法在所述待沉积表面形成与所述待沉积表面非共形的沉积层。本申请中非共形的类原子层沉积方法适用于任何对刻蚀选择比高的应用环境，以沉积保护层对目标层形成保护，以变相提高目标层的刻蚀选择比。
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公开(公告)号：CN113782533A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010524718.6
申请日：2020-06-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体器件技术领域，以下电极所包括的存储节点接触部嵌入基底与相应有源区接触，无需在有源区与相应电容器所包括的下电极之间形成额外的接触结构，简化了半导体器件的制作过程。半导体器件包括基底和电容器。基底具有有源区。电容器形成在基底上。每个电容器包括下电极、上电极、以及位于下电极和上电极之间的介电层。每个下电极包括存储节点接触部、以及位于存储节点接触部上的子电极。存储节点接触部与子电极一体成形。下电极所包括的存储节点接触部嵌入基底与相应有源区接触。半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用在电子设备中。
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公开(公告)号：CN113764416A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010490669.9
申请日：2020-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开提供了半导体结构及其形成方法、动态随机存储器、电子设备，该半导体结构包括：半导体衬底，具有有源区，第二位线槽，设置于有源区上，第一位线槽，设置第二位线槽上，与第二位线槽连通，以及位线，从有源区向上延伸，位于第一位线槽和第二位线槽中。动态随机存储器包括半导体结构。电子设备包括动态随机存储器。方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有有源区，在有源区的上方形成第一、第二位线槽，第一位线槽设置第二位线槽上，第一位线槽和第二位线槽相连通，在有源区上形成位线，位线位于第一位线槽以及第二位线槽中。本公开能够在不使用传统方案的位线接触部的多晶硅的情况下形成位线，极大地降低位线与存储接触部之间的电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113690134A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010427338.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/45 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例提供一种金属硅化物的制备方法、半导体器件、电子设备，涉及半导体技术领域，一方面，避免消耗量较大的材料在第二次热处理过程中扩散聚集；另一方面，避免不耐高温的金属氧化物在高温下转化为高接触电阻的材料。一种金属硅化物的制备方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底具有掺杂区；在硅衬底上形成介电层，在所述介电层中形成接触孔，所述接触孔露出所述掺杂区；在所述掺杂区上形成金属层；进行第一次热处理；在所述金属层上形成含有硅元素的材料层；进行第二次热处理。
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公开(公告)号：CN113540347A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010291407.X
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L49/02 , H01L21/02 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及一种圆筒形电容器结构及半导体器件，包括：半导体基底；位于半导体基底上的多个电容器，所述电容器包括下电极、介电层和上电极；位于所述下电极顶部上方的支撑物。本申请中的制造方法得到的电容器及半导体器件，能够在保证深宽比的同时，有效改善制造方法中发生的下电极的倾斜和塌陷的问题。
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公开(公告)号：CN113517399A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010280440.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L49/02 , H01L21/02 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及一种电容器及其制备方法。与现有制造方法得到的电容器相比，本申请通过将常规工艺中采用湿法刻蚀去除牺牲模层替换为干法剥离工艺，并随后进行湿法清洗工艺，通过全制程的干法工艺，从而能够有效解决因为湿法工艺所产生的表面张力等而导致的底电极的倾斜甚至是塌陷的问题。
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公开(公告)号：CN111897187A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010575946.6
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本申请属于光刻胶涂布技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布系统以及更换光刻胶的方法，光刻胶涂布系统包括：供胶机构，供胶机构包括依次连接的供胶瓶、过滤器和喷嘴；清理机构，清理机构包括真空装置和真空管路，真空装置通过真空管路与过滤器连接，真空装置通过在真空管路内形成负压的方式将过滤器内的气泡和杂质颗粒吸出。根据本申请的光刻胶涂布系统，当需要用新品种的光刻胶替换光刻胶涂布系统内原有的光刻胶时，需要对光刻胶涂布系统进行清洗才能设置新品种的光刻胶，而对过滤器的清洗尤为重要，本申请通过真空装置吹扫清洗过滤器内附着的气泡和杂质颗粒，以此降低光刻胶涂布系统的清洗时间。
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公开(公告)号：CN111585152A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010270628.9
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备。本公开的用于激光器腔室的电极，包括一具有多个电极表面的电极及中心轴，所述电极可绕中心轴旋转切换至任意一个电极表面。本公开与现有技术相比，激光器腔室的电极具有多个电极表面，当脉冲激光的质量下降时，可旋转切换到良好的电极表面继续操作，延长了激光器腔室的使用寿命。
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