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公开(公告)号：CN102593301A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210052920.9
申请日：2012-03-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种侧面粗化的发光二极管，包括：一衬底，该衬底的侧面经粗化处理；一成核层，其制作在侧面粗化的衬底上；一N型掺杂层，其制作在成核层上，该N型掺杂层有一台面；一多量子阱发光层，其制作在N型掺杂层台面的另一侧上，该多量子阱发光层为10个周期交替生长的氮化镓/铟镓氮；一P型掺杂层，其制作在多量子阱发光层上；一ITO层，其制作在P型掺杂层上；一P型金属电极，其制作在ITO层上；一N型金属电极，其制作在掺杂层的台面上。本发明可以提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。
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公开(公告)号：CN102569566A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210060166.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法，具体步骤包括：超声波清洗功率型LED支架，烘干；在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶，光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同；用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置，然后放入烘箱烘烤，使LED芯片固定于支架上；用金线将LED芯片的电极与LED支架相连；将LED芯片与LED支架一起浸泡，使打好金线的LED芯片与LED支架分离；将银浆涂覆在功率型LED支架上，然后将LED芯片竖立地固定在LED支架上，以LED芯片侧面接触LED支架；在竖立的LED芯片的表面涂覆荧光粉；在LED芯片上方的上方盖合一透镜；在透镜内填充硅胶，并固化，完成LED芯片立式封装的制备。提高了LED器件的提取效率，同时也大大改善了其远场分布。
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公开(公告)号：CN117855049A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410145119.1
申请日：2024-02-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/428 , H01L21/465 , H01L23/367 , H01L21/02
Abstract: 提供了一种氧化镓衬底及其制备方法，所述方法包括以下步骤：按照激光烧蚀版图，采用激光烧蚀法在所述初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽；对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽；以及在所述第二沟槽内填充导热层，以形成具有导热层的氧化镓衬底。通过激光刻蚀加工方法填充高导热材料，得到的具有导热层的氧化镓衬底结构简单，散热性能优异。
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公开(公告)号：CN117790575A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311835721.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法，该环栅场效应晶体管包括：N型掺杂的氧化镓衬底；柱状沟道，形成于氧化镓衬底，适用于为电流流动提供通道；第一绝缘层，设置在氧化镓衬底上环绕于柱状沟道周围的区域；栅极介质层，设置在第一绝缘层上，并延伸至包围柱状沟道的侧面区域；栅极金属层，设置在栅极介质层上，呈环状包围栅极介质层，适用于控制柱状沟道中的电流流动；第二绝缘层，设置在栅极金属层上，具有贯通至栅极金属层的电极孔，电极孔以柱状沟道为中心呈环状；栅极，设置在第二绝缘层上并贯穿电极孔，与栅极金属层接触；源极，设置在柱状沟道顶部；以及漏极，设置在氧化镓衬底的底部。
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公开(公告)号：CN116190474A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310279623.6
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种红外探测器及其制备方法，该红外探测器包括：衬底，设置于衬底上的势垒绝缘缓冲层，以及至少一个叠层单元，该至少一个叠层单元均匀设置于势垒绝缘缓冲层上，每个叠层单元均包括：超晶格吸收区，设置于势垒绝缘缓冲层上的中间位置，p型接触区，设置于超晶格吸收区一侧面，n型接触区，设置于超晶格吸收区另一侧面，该另一侧面与p型接触区所在的侧面对应，金属电极，分别设置于p型接触区和n型接触区上，势垒绝缘保护层，设置于超晶格吸收区上，钝化保护层，设置于势垒绝缘保护层上，掩膜保护层，分别设置于势垒绝缘缓冲层上的两侧位置、p型接触区的侧面、n型接触区的侧面以及钝化保护层上。该红外探测器结构简单，响应速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115498073A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110674980.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种氮化物发光器件制备方法，包括：在衬底上制备底层的底层DBR层；在所述底层DBR层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层；在所述二维材料缓冲层上依次生长低温GaN成核层和GaN buffer层；在所述GaN buffer层上外延RCLED主体结构，所述RCLED主体结构在所述GaN buffer层上由下至上依次包括：n‑GaN层、多量子阱发光层及p‑GaN层；在所述顶层DBR层两侧的所述金属氧化物透明导电层上设置有p电极，在所述台阶区域上设置有n电极；在所述氮化物发光器件表面沉积绝缘层，并光刻腐蚀去除部分所述绝缘层且暴露出所述出光口、p电极及n电极，完成氮化物发光器件的制备。
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公开(公告)号：CN113921512A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187945.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种MicroLED三基色发光结构及其制备方法，涉及光电显示技术领域。所述发光结构包括：显示基板；位于所述显示基板上的无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构；位于所述显示基板上的无衬底红光OLED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接；位于所述显示基板上的无衬底绿光LED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接；位于所述显示基板上的无衬底蓝光LED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接。本发明公开的MicroLED三基色发光结构可以降低能耗，利用无衬底红光OLED结构代替AlGaInP红光LED结构，可以提高发光效率；利用无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构驱动，可以提高载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN102683522B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210180422.2
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN102569566B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210060166.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法，具体步骤包括：超声波清洗功率型LED支架，烘干；在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶，光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同；用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置，然后放入烘箱烘烤，使LED芯片固定于支架上；用金线将LED芯片的电极与LED支架相连；将LED芯片与LED支架一起浸泡，使打好金线的LED芯片与LED支架分离；将银浆涂覆在功率型LED支架上，然后将LED芯片竖立地固定在LED支架上，以LED芯片侧面接触LED支架；在竖立的LED芯片的表面涂覆荧光粉；在LED芯片上方的上方盖合一透镜；在透镜内填充硅胶，并固化，完成LED芯片立式封装的制备。提高了LED器件的提取效率，同时也大大改善了其远场分布。
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公开(公告)号：CN102709411B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210181322.1
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次制作二氧化硅掩蔽层和紧密排列的自组装PS球；刻蚀、加热、蒸镀金属层；去除自组装PS球表面的金属层，形成网孔状金属层；加热使自组装PS球气化形成纳米网孔状金属层；刻蚀网孔状金属层形成二氧化硅纳米网孔阵列；用酸液腐蚀掉纳米网孔状金属层；在二氧化硅纳米网孔阵列上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层；将衬底磨抛减薄；在p-GaN层上依次制作金属反射镜、金属支撑衬底；在衬底激光划出沟槽；涂一层光刻胶保护层；超声去掉二氧化硅纳米网孔阵列形成空气桥；放于高温浓硫酸和磷酸混合溶液中或KOH溶液中腐蚀，使衬底与u-GaN层剥离，形成垂直结构LED管芯，形成光子晶体表面。
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