公开(公告)号：CN111525005B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202010557214.4

申请日：2020-06-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何小武 ,  牛智川 ,  张宇 ,  徐应强 ,  陈昊 ,  孙宝权 ,  窦秀明 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  任正伟 ,  刘汗青

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。

公开(公告)号：CN111089648B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010034295.X

申请日：2020-01-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 尚向军 ,  牛智川 ,  马奔 ,  倪海桥 ,  李叔伦 ,  陈瑶 ,  何小武

IPC: G01J3/02 ,  G01J3/26

Abstract: 本公开提供一种光纤耦合单光子源的滤光和二阶关联度测试装置，包括：氦氖激光，用于发出泵浦光，经单模光纤耦合输出；Y形熔融光纤波分复用器，用于将泵浦光导入光纤耦合单光子源器件激发产生单量子点荧光信号；2x2熔融光纤分束器，与Y形熔融光纤波分复用器的输出端相连，用于将单量子点荧光信号按功率平分为两路并输出；激光准直器，分别将两路功率平分后的单量子点荧光信号转换为两路空间平行荧光；滤波片组，用于分别将两路空间平行荧光中的非单光子信号滤除，得到两路窄谱线单光子信号；两个硅单光子计数器，用于测试窄谱线单光子信号计数率；时间符合计数模块，与硅单光子计数器相连，通过符合计数表征单光子信号二阶关联度。

公开(公告)号：CN111525005A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010557214.4

申请日：2020-06-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何小武 ,  牛智川 ,  张宇 ,  徐应强 ,  陈昊 ,  孙宝权 ,  窦秀明 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  任正伟 ,  刘汗青

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。

公开(公告)号：CN111403567A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010252674.6

申请日：2020-04-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李叔伦 ,  牛智川 ,  倪海桥 ,  尚向军 ,  陈瑶

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

Abstract: 一种量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法，制备方法包括，在衬底上外延生长GaAs缓冲层；在GaAs缓冲层上交替生长GaAs层和AlGaAs层而形成GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜；在GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜上外延生长InAs量子点和GaAs上盖层；在GaAs上盖层上形成圆形周期阵列的介电层；对圆形周期阵列的介电层进行BOE腐蚀，缩小圆形周期阵列的介电层的直径；以缩小直径的圆形周期阵列的介电层为掩模，对GaAs上盖层进行各向异性的酸性腐蚀，形成微透镜阵列。本发明的量子点单光子源上微透镜阵列表面光滑、精度要求低、光学形状精确可控、可一次性大量制备。

公开(公告)号：CN103194793B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310088301.X

申请日：2013-03-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李密锋 ,  喻颖 ,  贺继方 ,  査国伟 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  贺振宏 ,  牛智川

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长InAs有源层量子点。原位获取的InAs量子点二维到三维转化的临界生长参数有效的减小了系统随机误差带来的影响，使得临界参数附近InAs量子点的低密度具有较高的重复性，有效提高了低密度InAs量子点生长的成功率。原子力显微镜图显示密度在108/cm2，微区光致光谱的尖锐峰进一步表明量子点的密度很低，该方法生长的低密度量子点适用于单光子源器件的制备。

公开(公告)号：CN103165418B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310079069.3

申请日：2013-03-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 査国伟 ,  李密锋 ,  喻颖 ,  王莉娟 ,  徐建星 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  贺振宏 ,  牛智川

IPC: H01L21/20

Abstract: 一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。

公开(公告)号：CN103367588A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310290299.4

申请日：2013-07-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 査国伟 ,  李密锋 ,  喻颖 ,  王莉娟 ,  徐建星 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  贺振宏 ,  牛智川

IPC: H01L33/30 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有Ga液滴；采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；在As环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成纳米环；利用纳米环作为掩膜生长量子点，并生长盖层。本发明首次实现纳米线侧壁图形化生长量子点，实现了对单根纳米线上量子点数量的定量控制，在纳米线基单光子源方面具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN102194671A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110121899.9

申请日：2011-05-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贺继方 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  王海莉 ,  李密峰 ,  朱岩 ,  王莉娟 ,  喻颖 ,  贺正宏 ,  徐应强 ,  牛智川

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。