公开(公告)号：CN111525005B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202010557214.4

申请日：2020-06-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何小武 ,  牛智川 ,  张宇 ,  徐应强 ,  陈昊 ,  孙宝权 ,  窦秀明 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  任正伟 ,  刘汗青

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。

公开(公告)号：CN111525005A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010557214.4

申请日：2020-06-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何小武 ,  牛智川 ,  张宇 ,  徐应强 ,  陈昊 ,  孙宝权 ,  窦秀明 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  任正伟 ,  刘汗青

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。