公开(公告)号：CN102194671A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110121899.9

申请日：2011-05-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贺继方 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  王海莉 ,  李密峰 ,  朱岩 ,  王莉娟 ,  喻颖 ,  贺正宏 ,  徐应强 ,  牛智川

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。

公开(公告)号：CN102194671B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201110121899.9

申请日：2011-05-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贺继方 ,  尚向军 ,  倪海桥 ,  王海莉 ,  李密峰 ,  朱岩 ,  王莉娟 ,  喻颖 ,  贺正宏 ,  徐应强 ,  牛智川

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。

公开(公告)号：CN102034909A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910235334.6

申请日：2009-09-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 牛智川 ,  倪海桥 ,  王海莉 ,  贺继方 ,  朱岩 ,  李密峰 ,  王鹏飞 ,  黄社松 ,  熊永华

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，对GaAs衬底的加热器进行升温，在有As保护的情况下对GaAs衬底进行脱氧；将GaAs衬底的加热器温度降至生长温度，生长GaAs缓冲层，并掺杂Si；生长多对GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜；降低生长温度，生长低密度量子点；生长InGaAs(Sb)盖层；生长耦合量子点拓展波长；生长掺杂GaAs层；制作上下电极。利用本发明，有效改善量子点发光效率，提高了收集效率以及实现了波长的调控。