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公开(公告)号：CN119907332A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411973631.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F71/00 , H10F77/14 , H10F30/222
Abstract: 本发明公开了一种平面型红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底以及衬底上依次生长的缓冲层、N型掺杂接触层、超晶格吸收层和本征接触层，由此形成叠层结构；还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于本征接触层上形成的扩散区域内，所述第二电极位于N型掺杂接触层上形成的凹陷区域内。本发明通过在本征接触层中进行P型扩散形成光电响应通道，由此形成平面型PN结，能够消除探测器的侧壁漏电流，并提高光子注入效率。此外，相较于传统的台面型探测器，本发明减少了钝化处理工艺，有效降低了生产成本，提高了产品良品率。
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公开(公告)号：CN118980429A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411070384.4
申请日：2024-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种外延片光致发光特性的测试方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：加热外延片至预设温度；利用目标激光光束激励外延片产生光信号；用探测器探测并记录光信号；以及基于光信号，判断外延片的光致发光特性。通过直接测试光致发光光谱来判断外延片在不同温度下的光致发光质量，避免了复杂的工艺验证。本发明还提供了一种外延片光致发光特性的测试装置。
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公开(公告)号：CN117424072A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311595285.3
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种具有片上滤波结构的半导体激光器，包括：由下至上依次叠设的N面电极、N型衬底、缓冲层、N型限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型限制层，其中，P型限制层的中部呈凸台形状且两侧开设有台阶结构，凸台形状的上表面覆盖有盖层，台阶结构的上表面和侧面均覆盖有绝缘层，盖层和绝缘层露出的区域覆盖有P面电极层，P型限制层的中部凸出区域和盖层构成半导体激光器的脊条；沟槽结构，形成于脊条内，包括多个齿状沟槽和多个条状沟槽，多个齿状沟槽和多个条状沟槽均沿着半导体激光器的出光方向排列。本发明可以实现高功率输出并有效改善侧向远场特征。
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公开(公告)号：CN116936659A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311016794.6
申请日：2023-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/0336 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 一种双极势垒短波红外探测器及制备方法，该双极势垒短波红外探测器包括：衬底；缓冲层，形成于衬底上；第一接触层，形成于缓冲层上，叠层结构，形成于第一接触层上，且与第一接触层形成台面，叠层结构包括：空穴势垒层，形成于第一接触层上；光吸收层，形成于空穴势垒层上，光吸收层适用于吸收外部的短波红外光，并产生电子和空穴；电子势垒层，形成于光吸收层上；第二接触层，形成于电子势垒层上；第一电极，形成于第一接触层上，且位于叠层结构的两侧，第一电极和第一接触层形成欧姆接触；第二电极，形成于第二接触层上，且位于第二接触层的两端，第二电极和第二接触层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN115832870A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211401632.X
申请日：2022-11-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括在衬底表面依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层、帽层、顶部电极，和形成于衬底背面的底部电极，所述上限制层、帽层和顶部电极形成脊条，所述脊条上设置有模式调控阵列结构，所述模式调控阵列结构包括沟道和箭头结构阵列，所述沟道形成于所述脊条的两侧，所述箭头结构阵列包括多个箭头结构单元，每个所述箭头结构单元包括至少一个箭头，其中，所述箭头结构阵列中的箭头结构单元形成于所述半导体激光器的侧向光场分布的N‑1阶模式的峰值位置，N为大于等于2的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113484941B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110781608.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京国科半导体有限公司
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明提供了一种微透镜阵列耦合反射层结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列包括量子点及包覆所述量子点的上盖层，所述上盖层表面为周期阵列排布的凸起结构；将所述微透镜阵列从所述衬底上剥离后转移至广谱反射层上，以形成所述微透镜阵列耦合反射层结构。本发明结合剥离工艺将微透镜阵列与反射层结构耦合，可以实现提取效率达到60％。并且该种剥离转移工艺不需要生长较多对数的DBR结构，且相对于下DBR结构可实现更高的提取效率，在后续压电调谐等方面有很大的优势，在量子光源、发光二极管、光电探测器等领域均有很大的实际应用价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113484941A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110781608.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京国科半导体有限公司
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明提供了一种微透镜阵列耦合反射层结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列包括量子点及包覆所述量子点的上盖层，所述上盖层表面为周期阵列排布的凸起结构；将所述微透镜阵列从所述衬底上剥离后转移至广谱反射层上，以形成所述微透镜阵列耦合反射层结构。本发明结合剥离工艺将微透镜阵列与反射层结构耦合，可以实现提取效率达到60％。并且该种剥离转移工艺不需要生长较多对数的DBR结构，且相对于下DBR结构可实现更高的提取效率，在后续压电调谐等方面有很大的优势，在量子光源、发光二极管、光电探测器等领域均有很大的实际应用价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111525005B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010557214.4
申请日：2020-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。
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公开(公告)号：CN111089648B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010034295.X
申请日：2020-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种光纤耦合单光子源的滤光和二阶关联度测试装置，包括：氦氖激光，用于发出泵浦光，经单模光纤耦合输出；Y形熔融光纤波分复用器，用于将泵浦光导入光纤耦合单光子源器件激发产生单量子点荧光信号；2x2熔融光纤分束器，与Y形熔融光纤波分复用器的输出端相连，用于将单量子点荧光信号按功率平分为两路并输出；激光准直器，分别将两路功率平分后的单量子点荧光信号转换为两路空间平行荧光；滤波片组，用于分别将两路空间平行荧光中的非单光子信号滤除，得到两路窄谱线单光子信号；两个硅单光子计数器，用于测试窄谱线单光子信号计数率；时间符合计数模块，与硅单光子计数器相连，通过符合计数表征单光子信号二阶关联度。
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公开(公告)号：CN111525005A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010557214.4
申请日：2020-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。
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