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公开(公告)号：CN102096317A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010617795.2
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：选择抛光基片，用旋涂的方法在其表面涂上一层厚度≥300nm的光刻胶；采用磁控溅射的方法在光刻胶表面沉积一层厚度为20nm的SiO2薄膜；用旋涂的方法在SiO2薄膜表面涂上一层厚度为50nm-100nm的高分辨率光刻胶；利用激光干涉光刻对表层高分辨率光刻胶进行曝光显影；将三层胶结构置于热板或烘箱中进行坚膜；选择氟基气体，利用反应离子刻蚀将表层光刻胶图形传递至SiO2层；再选用氧气，以SiO2层为硬掩模层，利用反应离子刻蚀将SiO2层的图形传递至底层光刻胶，即可获得高分辨率、高深宽比光刻胶图形。本发明成本低廉、加工图形区域面积大，在亚波长光栅和光子晶体的制作及应用研究方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101726998A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910241923.5
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用金属反射膜结构实现提高近场光刻质量的方法，其特征在于以下步骤：(1)首先选择基底材料；(2)在基底表面沉积利于金属附着的沉积层A，厚度为Da；(3)在沉积层A上沉积金属薄膜，形成可用于激发表面等离子体的金属层B，层厚度为Db；(4)在金属层B上沉积保护膜层C，用作隔绝金属层B与抗蚀剂、显影液等接触的保护层，层厚度为Dc；(5)在上步骤获得的结构表面旋涂抗蚀剂D；(6)将经设计的周期结构图形掩模置于最上层表面；(7)对所得的结构进行曝光；(8)曝光结束后，去除掩模结构；(9)将所得的结构放入与抗蚀剂相匹配的显影液中进行显影；(10)去除结构表面残留的显影液，后烘以获得最终近场光刻结构图形；利用上述方法明可以提高掩模图形结构特征尺寸小于λ/2时，近场光刻所得抗蚀剂图形结构的深度、陡度及光滑度。
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公开(公告)号：CN101723307A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910243541.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法步骤为：采用常规技术在石英衬底上沉积膜层，在膜层上涂布光刻胶，进行光刻、显影、坚模；利用光刻胶图形作掩蔽和湿法腐蚀各向同性的特点，使用腐蚀液刻蚀掉光刻胶图形边缘下方的膜层，形成一定宽度的空气间隙；湿法腐蚀后得到的结构表面再次沉积相同材料的膜层，去除光刻胶后得到和空气间隙宽度相同的狭缝；再利用膜层为掩蔽，通过狭缝，使用氢氟酸缓冲液对石英衬底进行各向同性腐蚀，得到半圆柱形微细沟槽。该方法不需要电子束、粒子束、干法刻蚀等昂贵的设备就可制备得到宽度范围在700纳米到2.5微米的狭缝，通过控制湿法腐蚀的条件进而得到直径宽度范围为700纳米到2.5微米，深度范围为350纳米到1.25微米的半圆柱形微细沟槽。
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公开(公告)号：CN115755541B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202211555383.X
申请日：2022-12-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20 , C09D5/20 , C09D183/04 , C09D129/04 , C09D7/63 , C09D7/65 , G03F7/32
Abstract: 本公开提供了一种基于聚合物材料去除基底表面金属膜层的方法及光刻方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，超分辨光刻结构自下而上依次包括基底、反射金属膜层、感光膜层和透射金属膜层，构成金属v介质v金属的等离子腔体成像结构；S2，利用超分辨光刻对等离子腔体成像结构中的感光膜层进行曝光；S3，在透射金属膜层上涂覆高分子聚合物溶液，加热使高分子聚合物溶液固化，形成聚合物薄膜；S4，剥离聚合物薄膜，同时透射金属膜层粘附于聚合物薄膜上被完整剥离，感光膜层和反射金属膜层无损伤。本公开利用高分子聚合物作为粘附层可简单高效地去除基底表面的金属膜层，而不对等离子腔体成像结构产生损伤和破坏，有利于获得高质量超分辨光刻图形。
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公开(公告)号：CN109669323B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201811510455.2
申请日：2018-12-11
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法，在硅基底或硅膜层上制备包含有介质层和金属层的共振腔结构，在共振腔结构上制备一层特殊感光材料。上层感光材料在一定传统干涉光刻照明条件下透过率或/和折射率发生明显变化，并在第二次照明中作为振幅型掩模光栅使用。硅基底/感光材料/金属层组成的共振腔结构可以激发表面等离子体效应，并在共振腔体内实现上层感光材料形成的振幅型掩模光栅高频横向波矢的干涉，从而实现大面积的超分辨光刻。该方法与传统的干涉光刻相结合，通过共振腔结构的二次干涉效应，可将传统干涉光刻的分辨力至少提高2倍，为百纳米量级以下特征尺寸的硅基功能器件的制备提供了一种廉价的、简单的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109901363A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711323769.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开的实施例提出了一种负折射成像光刻方法和设备。所述光刻方法包括：在器件衬底上涂覆光致抗蚀剂；制备负折射结构，其中所述负折射结构对于曝光光源发射的光的波长表现出负折射率；将光刻板与所述负折射结构贴合；将所述光刻板和所述负折射结构置于所述器件衬底上方，与所述器件衬底间隔开投影间隙的投影距离；以及曝光光源发射光，依次通过所述光刻板、所述负折射结构、投影间隙投射到所述光致抗蚀剂上进行曝光。负折射成像光刻方法和设备无需传统投影光刻所需的几十个面形和位置都为纳米精度的镜片，成本可以急剧降低；同时所述方法具有无光轴成像特点，整个负折射成像结构具有空间平移对称性，可以实现大成像视场光刻。
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公开(公告)号：CN102628985B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210107957.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用超衍射离轴照明技术的纳米表层光学显微成像方法，其中，超衍射离轴照明器件从下到上依次包括透明基底层、纳米结构层、PMMA填充层和金属/介质多层膜层。其中纳米结构层可对从透明基底背面入射的照明光进行空间频率和偏振方向的调制，金属/介质多层膜层可对调制后的照明光进行空间频率的高通滤波，最终在金属/介质多层膜层的上表面可以形成一个局域在5nm～200nm范围内的消逝光场。该消逝光场可用于普通光学显微镜对待测样品的照明，实现待测样品5nm～200nm深度范围内的表层成像。所述器件所提供的照明的方式能有效减小样品内部结构的散射光对表层成像的干扰，提高表层成像的分辨率，为物质表层结构观测、成分分析提供了一条有效的途径。
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公开(公告)号：CN102096334B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010617826.4
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法，该超衍射成像器件相邻的透光区通过交替填充具有正负介电系数的两种材料，分别实现相位延迟和相位超前，大大增强了材料厚度对相位差的调制，使该器件更容易实现π相位差，从而进一步提高其成像分辨率。这一方案解决了传统超衍射成像器件难以实现40nm线宽以下分辨率的技术难题，在超分辨成像和纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102621604A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107637.1
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚微米尺度球面或者柱面微透镜阵列的制备方法，用于提供制造表面光滑的凹球面微透镜、凸球面微透镜和截面为圆弧形的柱型微透镜及其阵列。其主要步骤为：在基底上制备孔结构、或直线沟槽、或孔结构阵列、或直线沟槽阵列，使用腐蚀液对基底进行各向同性腐蚀，控制湿法腐蚀的深度就能得到预定的凹球面微透镜、截面为圆弧形的柱型微透镜、或这些结构构成的阵列，若以此凹面微透镜为模具可以浇铸或压印得到凸面微透镜。本发明该方法通过控制孔或直线沟槽的深度、孔或直线沟槽阵列结构的周期、湿法腐蚀的深度，可以得到口径和曲率半径独立可调的填充因子接近100％的球面微透镜阵列或柱型微透镜阵列。
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公开(公告)号：CN101727007B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910243539.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法，是采用光刻胶-银膜一光刻胶的三层膜层结构基片，纳米掩模图形面与基片表层光刻胶接触曝光。银膜功能是通过紫外照明光，将铬膜上的线宽尺度在20nm～500nm的图形成像到基片表层光刻胶，实现纳米图形成像光刻。表层光刻胶曝光显影后，通过两步刻蚀，将图形传递到金属银膜和底层光刻胶层，从而实现高深宽比的纳米光刻胶图形。
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