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公开(公告)号:CN101530988B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200910135488.8
申请日:2006-05-10
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/24 , B24B37/04 , H01L21/304 , C08G18/10 , C08G101/00
Abstract: 本发明提供一种在研磨对象物的表面难以发生划伤,且平坦化特性优越的研磨垫。本发明的研磨垫,其具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的研磨层,其特征在于,作为所述聚氨酯树脂发泡体的原料成分的高分子量多元醇成分是数均分子量为600~700的疏水性高分子量多元醇,且所述聚氨酯树脂发泡体含有不具有羟基的硅系非离子表面活性剂10~15重量%,所述聚氨酯树脂发泡体的比重是0.7~0.8,阿斯卡D硬度是55~65度。
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公开(公告)号:CN100551626C
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200710148751.8
申请日:2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫,通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫,其平坦化特性优良,划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号:CN101537601A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200910135487.3
申请日:2006-05-10
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24D3/00 , B24D13/14 , B24B37/04 , H01L21/304 , B24D18/00 , C08G18/65 , C08G18/10 , C08G101/00
Abstract: 本发明提供一种在研磨对象物的表面难以发生划伤,且平坦化特性优越的研磨垫。本发明的研磨垫具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的研磨层,所述聚氨酯树脂发泡体的拉伸断裂伸长是25~120%。
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公开(公告)号:CN101530988A
公开(公告)日:2009-09-16
申请号:CN200910135488.8
申请日:2006-05-10
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24D3/00 , B24D13/14 , B24B37/04 , H01L21/304 , C08G18/10 , C08G101/00
Abstract: 本发明提供一种在研磨对象物的表面难以发生划伤,且平坦化特性优越的研磨垫。本发明的研磨垫具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的研磨层,所述聚氨酯树脂发泡体的拉伸断裂伸长是25~120%。
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公开(公告)号:CN101130232A
公开(公告)日:2008-02-27
申请号:CN200710148749.0
申请日:2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫,通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫,其平坦化特性优良,划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号:CN1717785A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200380104102.8
申请日:2003-11-27
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明的目的在于提供可以在进行研磨的状态下实现高精度的光学终点检测并且研磨特性(表面均一性、面内均一性等)优良的研磨垫,进而可以获得宽范围的晶片的研磨轮廓的研磨垫。本发明之一的研磨垫,在透光区域的波长400~700nm的全区域中的透光率,在50%以上。本发明之二的研磨垫的透光区域的厚度为0.5~4mm,并且在透光区域的波长600~700nm的全区域中的透光率,在80%以上。本发明之三的研磨垫的透光区域被设于研磨垫的中心部和周端部之间,并且直径方向的长度(D)为圆周方向的长度(L)的3倍以上。
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公开(公告)号:CN1513008A
公开(公告)日:2004-07-14
申请号:CN02811396.9
申请日:2002-04-04
Applicant: 东洋纺织株式会社 , 东洋橡膠工业株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G2101/0066 , C08L1/00 , C08L33/00 , C08L75/04 , C08G18/3876 , C08G18/3812 , C08L2666/02
Abstract: 使用聚氨酯中分散含有实心珠子的聚氨酯组合物且该聚氨酯为含有微细气泡的聚氨酯微发泡体并且通过动态粘弹性测定装置测定的40℃下的贮存弹性率在270MPa以上的聚氨酯组合物的研磨垫具有良好的平坦性。另外使用聚氨酯中分散含有实心珠子的聚氨酯组合物且上述实心珠子为在水性介质中溶胀或者溶解的实心珠子的聚氨酯组合物的研磨垫,可以兼有平坦性和均匀性,并且可以减少刮痕。
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公开(公告)号:CN1476367A
公开(公告)日:2004-02-18
申请号:CN01819489.3
申请日:2001-11-28
Applicant: 东洋纺织株式会社
IPC: B24B37/00 , B24D11/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26 , B24B37/22 , B24D3/28 , B24D11/001 , B24D11/008
Abstract: 一种研磨垫,稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易,厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子;以及没有由个体差异的质量偏差,可容易改变加工图案,可进行微细加工,形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子;以及可对应各种被研磨材料,能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒,由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成,并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20~1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。
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