公开(公告)号：CN104812530A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380061943.9

申请日：2013-12-04

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 木村毅

IPC: B24B37/26 ,  B24B37/11 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24D11/003 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够有效地抑制被抛光材料表面的抛光不匀的圆形状抛光垫。就本发明的圆形状抛光垫而言，其包括在抛光表面具有XY格子槽的圆形状抛光层，圆形状抛光层的中心点在由以下3条虚拟直线A、B和C包围的区域Z内(包括虚拟直线上的部分)偏移。其中，虚拟直线A为连接如下点的直线：使X槽或Y槽上的点在与该X槽或Y槽垂直相交的方向移动槽间距的5％距离的点；虚拟直线B为连接如下点的直线：使XY格子槽的一条对角线D上的点在与该对角线D垂直相交的方向移动槽间距的5％距离的点；虚拟直线C为连接如下点的直线：使XY格子槽的另一条对角线E上的点在与该对角线E垂直相交的方向移动槽间距的5％距离的点。

公开(公告)号：CN101636247B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN200880008531.8

申请日：2008-03-12

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  下村哲生

IPC: B24B37/20

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/205

Abstract: 本发明的目的在于提供从使用初期至末期不会随着透光率的下降而产生终点检测误差的研磨垫；以及提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种研磨垫，具有包含研磨区域及透光区域的研磨层，其特征在于，所述透光区域的研磨面侧的表面经粗糙化处理，并且所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率为40～60％。

公开(公告)号：CN101489720B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780027348.8

申请日：2007-08-22

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 数野淳 ,  下村哲生 ,  中井良之 ,  小川一幸 ,  木村毅

IPC: B24B37/00 ,  C08G18/32 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/26 ,  C08G18/12 ,  C08G18/4238 ,  C08G18/4854 ,  C08G18/664 ,  C08G18/6674 ,  C08G18/724 ,  C08G18/7621 ,  C08J9/30 ,  C08J2375/04 ,  C08L83/00 ,  C08G18/3243

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种平坦化特性及耐磨损性优良的抛光垫及其制造方法。本发明涉及抛光垫，其包含由具有微小气泡的聚氨酯发泡体构成的抛光层，其特征在于，所述聚氨酯发泡体是(1)通过与4，4’-亚甲基双(邻氯苯胺)反应而形成tanδ的峰值温度为100℃以上的非发泡聚氨酯的异氰酸酯封端的预聚物A、(2)通过与4，4’-亚甲基双(邻氯苯胺)反应而形成tanδ的峰值温度为40℃以下的非发泡聚氨酯的异氰酸酯封端的预聚物B以及(3)4，4’-亚甲基双(邻氯苯胺)的反应固化物，且异氰酸酯封端的预聚物A与异氰酸酯封端的预聚物B的混合比为A/B＝50/50～90/10(重量％)。

公开(公告)号：CN100551626C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710148751.8

申请日：2002-10-03

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  增井敬志 ,  驹井茂 ,  小野浩一 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  濑柳博

IPC: B24B37/04 ,  B24D3/20 ,  B24D13/00 ,  B24D18/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。

公开(公告)号：CN101175603A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200680017013.3

申请日：2006-02-24

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 木村毅 ,  中井良之 ,  渡边公浩

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24D3/32 ,  Y10T29/49995 ,  Y10T83/0304 ,  Y10T409/303808 ,  Y10T409/304536

Abstract: 本发明提供抛光垫和用于生产该抛光垫的方法，该抛光垫能够同时解决问题如划痕出现、抛光速率变化或劣化、在晶片面内抛光量的大量变化、抛光浆料过量消耗和不可能在抛光对象和抛光垫之间保持适当浆料，该抛光垫对将抛光速率保持在适当值和对改进抛光后抛光对象的面内均匀性尤其有用，且对例如半导体晶片等的化学机械抛光在生产上非常有用。该抛光垫由在抛光面内具有凹槽的聚氨酯泡沫体形成。凹槽形成面，即，凹槽的侧面和底面的表面粗糙度(Ra)不大于10。用于生产该抛光垫的方法包括逐步改变凹槽加工刀片的进给速度和进给量，以在抛光面内形成截面为矩形的同心圆形凹槽。

公开(公告)号：CN101130232A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710148749.0

申请日：2002-10-03

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  增井敬志 ,  驹井茂 ,  小野浩一 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  濑柳博

IPC: B24B37/04 ,  B24D13/00 ,  B24D18/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。

公开(公告)号：CN1586002A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822514.7

申请日：2002-10-03

Applicant: 东洋纺织株式会社 ,  东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  增井敬志 ,  驹井茂 ,  小野浩一 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  濑柳博

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C08G18/00

CPC classification number: C08G18/00 ,  B24B37/24 ,  B24D3/30 ,  B24D18/00 ,  C08G18/10 ,  C08G18/12 ,  C08G18/4211 ,  C08G18/4236 ,  C08G18/4808 ,  C08G18/4854 ,  C08G18/61 ,  C08G18/664 ,  C08G18/6674 ,  C08G18/724 ,  C08G2101/00 ,  C08G2101/0066 ,  C08J9/0061 ,  C08J2205/052 ,  C08J2375/04 ,  C08J2483/00 ,  C08L83/00 ,  C09D175/08 ,  H01L21/30625 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249976 ,  C08G18/3814 ,  C08G18/3243 ,  C08G18/5096

Abstract: 本发明提供提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。

公开(公告)号：CN101636248B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200880008905.6

申请日：2008-03-13

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 中井良之 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  下村哲生 ,  小川一幸

IPC: B24B37/24 ,  C08G18/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  C08G18/10 ,  C08G18/12 ,  C08G18/4833 ,  C08G18/4854 ,  C08G18/6674 ,  C08G18/724 ,  C08G2101/0025 ,  C08G18/3802 ,  C08G18/792 ,  C08G18/3206

Abstract: 本发明的目的在于提供吸湿或者吸水时能够高水平维持尺寸稳定性并且研磨速度大的研磨垫及其制造方法。另外，本发明的目的在于提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种研磨垫，具有研磨层，所述研磨层包含具有微小气泡的聚氨酯发泡体，其特征在于，所述聚氨酯发泡体含有以下(1)、(2)和(3)的反应固化物：(1)包含异氰酸酯单体、高分子量多元醇α以及低分子量多元醇的异氰酸酯封端预聚物A；(2)包含多聚化二异氰酸酯及数均分子量200～1000的聚乙二醇的异氰酸酯封端预聚物B；和(3)增链剂。

公开(公告)号：CN101636248A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008905.6

申请日：2008-03-13

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 中井良之 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  下村哲生 ,  小川一幸

IPC: B24B37/00 ,  C08G18/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  C08G18/10 ,  C08G18/12 ,  C08G18/4833 ,  C08G18/4854 ,  C08G18/6674 ,  C08G18/724 ,  C08G2101/0025 ,  C08G18/3802 ,  C08G18/792 ,  C08G18/3206

Abstract: 本发明的目的在于提供吸湿或者吸水时能够高水平维持尺寸稳定性并且研磨速度大的研磨垫及其制造方法。另外，本发明的目的在于提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种研磨垫，具有研磨层，所述研磨层包含具有微小气泡的聚氨酯发泡体，其特征在于，所述聚氨酯发泡体含有以下(1)、(2)和(3)的反应固化物：(1)包含异氰酸酯单体、高分子量多元醇α以及低分子量多元醇的异氰酸酯封端预聚物A；(2)包含多聚化二异氰酸酯及数均分子量200～1000的聚乙二醇的异氰酸酯封端预聚物B；和(3)增链剂。

公开(公告)号：CN101636247A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008531.8

申请日：2008-03-12

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  下村哲生

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/205

Abstract: 本发明的目的在于提供从使用初期至末期不会随着透光率的下降而产生终点检测误差的研磨垫；以及提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种研磨垫，具有包含研磨区域及透光区域的研磨层，其特征在于，所述透光区域的研磨面侧的表面经粗糙化处理，并且所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率为40～60％。