研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层

    公开(公告)号:CN1476367A

    公开(公告)日:2004-02-18

    申请号:CN01819489.3

    申请日:2001-11-28

    CPC classification number: B24B37/26 B24B37/22 B24D3/28 B24D11/001 B24D11/008

    Abstract: 一种研磨垫,稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易,厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子;以及没有由个体差异的质量偏差,可容易改变加工图案,可进行微细加工,形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子;以及可对应各种被研磨材料,能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒,由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成,并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20~1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

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