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    研磨垫及半导体器件的制造方法
    1.
    发明授权
    研磨垫及半导体器件的制造方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN100349267C

    公开(公告)日：2007-11-14

    申请号：CN200380104102.8

    申请日：2003-11-27

    Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

    Inventor： 中森雅彦 ,  下村哲生 ,  山田孝敏 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  渡边公浩

    IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

    Abstract: 本发明的目的在于提供可以在进行研磨的状态下实现高精度的光学终点检测并且研磨特性(表面均一性、面内均一性等)优良的研磨垫，进而可以获得宽范围的晶片的研磨轮廓的研磨垫。本发明之一的研磨垫，在透光区域的波长400～700nm的全区域中的透光率，在50%以上。本发明之二的研磨垫的透光区域的厚度为0.5～4mm，并且在透光区域的波长600～700nm的全区域中的透光率，在80%以上。本发明之三的研磨垫的透光区域被设于研磨垫的中心部和周端部之间，并且直径方向的长度(D)为圆周方向的长度(L)的3倍以上。

    研磨垫及半导体器件的制造方法
    6.
    发明公开
    研磨垫及半导体器件的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1926666A

    公开(公告)日：2007-03-07

    申请号：CN200480042307.2

    申请日：2004-10-20

    Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

    Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  渡边公浩

    IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

    CPC classification number: B24B37/205 ,  H01L21/30625

    Abstract: 本发明提供一种研磨垫及使用了该研磨垫的半导体器件的制造方法。即使在使用碱性料浆或酸性料浆进行研磨的情况下，也可以在从使用开始直至使用结束的长时间内持续维持高精度的光学终点检测。本发明的研磨垫被用于化学机械抛光中，具有研磨区域及透光区域，所述透光区域的浸渍于pH11的KOH水溶液或pH4的H2O2水溶液中24小时后的测定波长λ下的透光率T1(％)与浸渍前的测定波长λ下的透光率T0(％)的差ΔT(ΔT＝T0－T1)(％)，在测定波长400～700nm的全部范围内在10(％)以内。

    一种生产半导体晶片抛光垫的方法
    7.
    发明授权
    一种生产半导体晶片抛光垫的方法 失效 复审申请 转让

    公开(公告)号：CN101175603B

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN200680017013.3

    申请日：2006-02-24

    Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

    Inventor： 木村毅 ,  中井良之 ,  渡边公浩

    IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

    CPC classification number: B24B37/26 ,  B24D3/32 ,  Y10T29/49995 ,  Y10T83/0304 ,  Y10T409/303808 ,  Y10T409/304536

    Abstract: 本发明提供抛光垫和用于生产该抛光垫的方法，该抛光垫能够同时解决问题如划痕出现、抛光速率变化或劣化、在晶片面内抛光量的大量变化、抛光浆料过量消耗和不可能在抛光对象和抛光垫之间保持适当浆料，该抛光垫对将抛光速率保持在适当值和对改进抛光后抛光对象的面内均匀性尤其有用，且对例如半导体晶片等的化学机械抛光在生产上非常有用。该抛光垫由在抛光面内具有凹槽的聚氨酯泡沫体形成。凹槽形成面，即，凹槽的侧面和底面的表面粗糙度(Ra)不大于10。用于生产该抛光垫的方法包括逐步改变凹槽加工刀片的进给速度和进给量，以在抛光面内形成截面为矩形的同心圆形凹槽。

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