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公开(公告)号：CN100592474C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN02822514.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C08G18/00
CPC classification number: C08G18/00 , B24B37/24 , B24D3/30 , B24D18/00 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/4211 , C08G18/4236 , C08G18/4808 , C08G18/4854 , C08G18/61 , C08G18/664 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G2101/00 , C08G2101/0066 , C08J9/0061 , C08J2205/052 , C08J2375/04 , C08J2483/00 , C08L83/00 , C09D175/08 , H01L21/30625 , Y10T428/249953 , Y10T428/249976 , C08G18/3814 , C08G18/3243 , C08G18/5096
Abstract: 本发明提供提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN100551625C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710148750.3
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101130231A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710148748.6
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101115779B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200680004397.5
申请日：2006-02-27
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: C08G18/66 , C08G18/48 , C08G18/32 , C08G18/12 , B24B37/24 , H01L21/304 , C08G101/00
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/28 , C08G18/10 , C08G2101/00 , C08G18/3237 , C08G18/3215
Abstract: 本发明提供一种具有由聚氨酯树脂发泡体形成的研磨层的研磨垫及其制造方法中，所述聚氨酯树脂发泡体是异氰酸酯末端预聚物和增链剂的反应固化物，其中，(1)使用熔点70℃以下的芳香族多胺作为增链剂，(2)使用含有异氰酸酯成分和高分子量多元醇的异氰酸酯末端预聚物和作为增链剂的芳香族二醇的EO/PO加成体，或(3)使用脂肪族/脂环族异氰酸酯末端预聚物和作为增链剂的非卤素类芳香族胺。此外，所述聚氨酯树脂发泡体也可以使用多聚化二异氰酸酯和芳香族二异氰酸酯作为异氰酸酯成分。由此能够得到具有极其均匀的微细气泡，研磨特性(平坦化特性)优异，修整性提高的研磨垫。
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公开(公告)号：CN100540221C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710148747.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101148031A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710148746.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101148030A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710148745.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101130234A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710148751.8
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN100551626C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710148751.8
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101130232A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710148749.0
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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