公开(公告)号：CN1263781C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN01811078.9

申请日：2001-06-07

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 濑柳博 ,  井上薰 ,  小川一幸 ,  增井敬志 ,  小野浩一

IPC: C08G18/10 ,  C08J9/02

CPC classification number: C08J9/30 ,  B24B37/24 ,  B24D3/28 ,  C08J9/0061 ,  C08J2375/04 ,  C08J2483/00

Abstract: 一种通过混合包含异氰酸酯化合物的第一成分和包含含活泼氢基团的化合物的第二成分生产细孔聚氨酯泡沫塑料的方法，其特征在于包含基于第一成分和第二成分的总量，以0.1-5重量%的量，不包括5重量%，向所述第一成分和第二成分的至少一种中加入不含羟基的非离子硅氧烷表面活性剂，随后搅拌所述包含表面活性剂的成分和惰性气体以将所述惰性气体分散成微细气泡，来制备气泡分散体，然后混合所述气泡分散体与剩余成分，固化得到的混合物。因此，不使用化学反应发泡剂如水、可汽化膨胀发泡剂如碳氟化合物、或其它物质如细粒中空泡沫或溶于溶剂的物质，可生产具有均匀细孔和比具有相同密度的聚氨酯泡沫塑料更高硬度的聚氨酯泡沫塑料。

公开(公告)号：CN1669739A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510054378.0

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24B37/04 ,  B24D3/32 ,  H01L21/304 ,  B24B7/24

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN100537147C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200710139901.9

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24D11/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN1651193A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510054379.5

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24D3/28 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN100379522C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510054378.0

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24B37/04 ,  B24D3/32 ,  H01L21/304 ,  B24B7/24

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN1224499C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN01819489.3

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24B37/00 ,  B24D11/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN1651192A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510054380.8

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN1513008A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN02811396.9

申请日：2002-04-04

Applicant: 东洋纺织株式会社 ,  东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 增井敬志 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  小野浩一 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  濑柳博

IPC: C08G18/08 ,  C08L75/04 ,  C08J5/14 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  C08G18/10 ,  C08G18/12 ,  C08G18/6674 ,  C08G18/724 ,  C08G2101/0066 ,  C08L1/00 ,  C08L33/00 ,  C08L75/04 ,  C08G18/3876 ,  C08G18/3812 ,  C08L2666/02

Abstract: 使用聚氨酯中分散含有实心珠子的聚氨酯组合物且该聚氨酯为含有微细气泡的聚氨酯微发泡体并且通过动态粘弹性测定装置测定的40℃下的贮存弹性率在270MPa以上的聚氨酯组合物的研磨垫具有良好的平坦性。另外使用聚氨酯中分散含有实心珠子的聚氨酯组合物且上述实心珠子为在水性介质中溶胀或者溶解的实心珠子的聚氨酯组合物的研磨垫，可以兼有平坦性和均匀性，并且可以减少刮痕。

公开(公告)号：CN100496896C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510054379.5

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24D3/28 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。

公开(公告)号：CN100484718C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510054380.8

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋橡膠工业株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24D11/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。