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公开(公告)号：CN113160754B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110453249.8
申请日：2021-04-26
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种单电容结构的AMOLED像素补偿电路及其驱动方法，包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、驱动管T4、存储电容器Cs、有机发光二极管OLED、扫描控制线Vs、发光控制线Vem、基准/数据复用线Vref/Vdata。驱动方法包括复位阶段、补偿阶段和发光阶段，其中补偿阶段实现对驱动管T4阈值电压的提取和数据信号的写入。本发明的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路具有结构简单、开口率高、能够补偿晶体管阈值电压正向和负向漂移、补偿有机发光二极管OLED退化问题的优点。
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公开(公告)号：CN114348952B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210255118.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01L23/28
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器封装结构，在外壳的内侧壁上贴合有一组相对设置的金属极板，金属极板在通入电压后会形成电场，根据介电分离效应，在该电场的作用下，渗入密封腔体的外界污物向着金属极板运动和聚集，并在重力作用下落入金属极板的底端的污物收集槽内，解决现有技术中封装气密性随传感器工作时间的增长逐渐下降，导致外界污物进入封装腔体后下沉到MEMS压力传感器芯片表面，从而造成传感器性能下降的问题。此外，盖状波纹膜片及其连接方式能有效提高密封胶装配的封装气密性，减小波纹膜片上的预应力和热应力；波纹膜片采用高韧性陶瓷材料，有助于抑制恶劣工作环境对波纹膜片的腐蚀和破坏。
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公开(公告)号：CN114235232A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111540862.X
申请日：2021-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法，包括体硅层、衬底、埋氧层、顶硅层、压敏电阻、应力膜、欧姆接触、金属引线、绝缘介质层、小空腔、大空腔、内惠斯通电桥、外惠斯通电桥；顶硅层内部设有小空腔，体硅层内设有大空腔，压敏电阻位于两个空腔的四边中点的正上方，于顶硅层内。通过设置两套压敏电阻组成的两个位于不同厚度应力膜上的惠斯通电桥，分别测量不同量程范围的压力，在一定程度解决了低量程压力传感器在高压环境时失去线性度，以及高量程压力传感器在低压环境时灵敏度较低的问题，使压力传感器在具有大量程的同时兼顾低压环境的灵敏度；同时由于两个空腔在空间上上下堆叠，节约了芯片面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN112767882B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110248873.4
申请日：2021-03-08
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路及其驱动方法，该有源矩阵有机发光二级管像素补偿电路包括第一开关晶体管(T1)、第二开关晶体管(T2)、第三开关晶体管(T3)、驱动管(T4)、存储电容器(Cst)、有机发光二极管(OLED)、重置控制线(Vset)、发光控制线(Vem)、扫描控制线(Vscan)、基准/数据复用线(Vref/Vdata)。驱动方法包括重置阶段、补偿阶段和发光阶段，其中，补偿阶段既实现对驱动管T4阈值电压漂移的补偿，也实现数据信号的写入。本发明具有开口率高、补偿范围广(能够补偿阈值电压正向和负向漂移)以及补偿有机发光二级管工作电压(Voled)退化问题等优点。
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公开(公告)号：CN113611969A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110887962.3
申请日：2021-08-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01M50/24 , H01M50/244 , H01M50/271 , H01M50/298 , H01M10/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种固态锂离子电池的封装，包括盖板、固态锂离子电池以及基底，所述盖板下表面设置上电极层，上电极层上设置导线层，所述导线层位于盖板的中心位置；所述基底上设置有凹槽，所述凹槽表面和周侧依次设置有绝缘层和下电极层；盖板与基底相贴合，盖板与基底的凹槽形成密封腔体，所述固态锂离子电池设置在密封腔体中该技术方案克服了现有技术中存在的不足，使电池具有高的能量密度的同时还具有高的可靠性能和机械强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112271105B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011537051.X
申请日：2020-12-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS热保护器及其制备方法，包括第一衬底；第二衬底；在第一衬底上表面形成的开放腔、悬臂梁、第一绝缘层和第二绝缘层；第一电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的中部；第二电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的悬空端；第三电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的固定端。本发明的MEMS热保护器，通过使用MEMS体加工和键合工艺，以及设置开放腔、悬臂梁、第一电极、第二电极和第三电极，从而设计出一种具有实时在线质量监测、额定电流可调控的MEMS热保护器，以提高电路或系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN112284578A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011597567.3
申请日：2020-12-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器，包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、第一钝化层、电极层、第二钝化层。压敏电阻位于埋氧层上表面，第一钝化层为位于埋氧层上表面的长方体壳体，长方体壳体的顶部中央设有通孔，第一钝化层盖合在压敏电阻上，与压敏电阻之间的空隙构成隔离腔。电极层位于第一钝化层的上表面，并通过通孔与压敏电阻连接。第二钝化层位于电极层的上表面。通过设置隔开的钝化层，有效抑制钝化层中缺陷及其电荷俘获造成的压敏电阻性能漂移，从而提高传感器的长期稳定性，同时缓解钝化层与压敏电阻之间的材料特性失配引起的稳定性问题以及抑制环境气氛和辐照等对压敏电阻性能的影响。
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公开(公告)号：CN109282923B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811366142.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体压力传感器，其包括顶栅型场效应晶体管、电致变色器件、第一开关、第二开关、恒定电源，顶栅型场效应晶体管的栅极包括压电层，顶栅型场效应晶体管的源极通过第一开关与电致变色器件的工作电极相连，顶栅型场效应晶体管的漏极连接电源线，电致变色器件的对电极接地；第二开关连接恒定电源的负极与第一开关，且第二开关、恒定电源所在旁路与电致变色器件相并联。另外，本发明提供了一种半导体压力传感器的压力测量方法，该方法无需使用复杂的接口电路，通过眼睛直接观察颜色即可获得当前环境的压力信息。本发明的半导体压力传感器具有功耗低、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN110010710B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910313220.2
申请日：2019-04-18
Applicant: 东南大学成贤学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器及其制作方法，该用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器包括：衬底、设置在衬底上表面的底栅、设置在底栅表面的栅氧化层、设置在栅氧化层上表面相对两侧的源极和漏极、设置在栅氧化层上表面的a‑IGZO半导体层、设置在a‑IGZO半导体层上表面的保护层，所述保护层位于源极和漏极中间，保护层顶部形成与源极和漏极相接且正对的凹陷。上述用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器，在激光激励下，其电学性能与不加光激励时电学性能差别很大，具有更低的导通阈值电压Vth，更大的输出工作电流，能有效用于探测光以及根据性能变化的大小来判断不同波段的光，且其能有效解决现有源极和漏极材料极易氧化且易使晶体管性能不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN111584310A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010511487.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种可重构驱动电压RF MEMS开关及其制造方法，包括：基底；CPW结构，位于所述基底上；悬臂梁结构，设置在所述CPW结构上；驱动电极，设置在所述基底上，位于所述悬臂梁结构的悬臂梁的下方；以及充电结构，包括充电介质层以及压焊块，所述充电介质层设置在所述驱动电极上，所述充电介质层位于所述悬臂梁的下方；所述压焊块通过金属连接线与所述驱动电极连接。本发明的一种可重构驱动电压RF MEMS开关，通过增加充电介质层(隧穿层/陷阱层/阻挡层)能够捕获并存储电荷，对充电介质层进行“充电”可使其形成“附加电源”，从而在不改变开关原有结构参数的条件下实现RF MEMS开关的驱动电压的降低。
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