公开(公告)号：CN110010710B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201910313220.2

申请日：2019-04-18

Applicant: 东南大学成贤学院

Inventor： 陆清茹 ,  黄晓东 ,  李帆

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器及其制作方法，该用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器包括：衬底、设置在衬底上表面的底栅、设置在底栅表面的栅氧化层、设置在栅氧化层上表面相对两侧的源极和漏极、设置在栅氧化层上表面的a‑IGZO半导体层、设置在a‑IGZO半导体层上表面的保护层，所述保护层位于源极和漏极中间，保护层顶部形成与源极和漏极相接且正对的凹陷。上述用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器，在激光激励下，其电学性能与不加光激励时电学性能差别很大，具有更低的导通阈值电压Vth，更大的输出工作电流，能有效用于探测光以及根据性能变化的大小来判断不同波段的光，且其能有效解决现有源极和漏极材料极易氧化且易使晶体管性能不稳定的问题。

公开(公告)号：CN110120349A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910402464.8

申请日：2019-05-15

Applicant: 东南大学成贤学院

Inventor： 陆清茹 ,  黄晓东 ,  李帆

IPC: H01L21/443 ,  H01L21/34 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明公开了一种InGaZnO薄膜晶体管的源漏电极及晶体管制备方法，源极和漏极通过掩膜板利用电子束依次蒸发生成钛和金层制备得到，该方法克服了现有技术中的铜电极容易氧化、铜电极沉积在金属氧化物有源层上之后铜原子向氧化物扩散的缺陷，具有高电导率的特点。测试后结果表明，通过本方法制备得到的晶体管的阈值电压为4.5V，亚阈值摆幅较小，栅极偏压Vgs对器件的漏电流Ids有很好的调控作用，器件夹断特性良好。

公开(公告)号：CN110010710A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910313220.2

申请日：2019-04-18

Applicant: 东南大学成贤学院

Inventor： 陆清茹 ,  黄晓东 ,  李帆

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器及其制作方法，该用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器包括：衬底、设置在衬底上表面的底栅、设置在底栅表面的栅氧化层、设置在栅氧化层上表面相对两侧的源极和漏极、设置在栅氧化层上表面的a-IGZO半导体层、设置在a-IGZO半导体层上表面的保护层，所述保护层位于源极和漏极中间，保护层顶部形成与源极和漏极相接且正对的凹陷。上述用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器，在激光激励下，其电学性能与不加光激励时电学性能差别很大，具有更低的导通阈值电压Vth，更大的输出工作电流，能有效用于探测光以及根据性能变化的大小来判断不同波段的光，且其能有效解决现有源极和漏极材料极易氧化且易使晶体管性能不稳定的问题。