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公开(公告)号：CN109282923B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811366142.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体压力传感器，其包括顶栅型场效应晶体管、电致变色器件、第一开关、第二开关、恒定电源，顶栅型场效应晶体管的栅极包括压电层，顶栅型场效应晶体管的源极通过第一开关与电致变色器件的工作电极相连，顶栅型场效应晶体管的漏极连接电源线，电致变色器件的对电极接地；第二开关连接恒定电源的负极与第一开关，且第二开关、恒定电源所在旁路与电致变色器件相并联。另外，本发明提供了一种半导体压力传感器的压力测量方法，该方法无需使用复杂的接口电路，通过眼睛直接观察颜色即可获得当前环境的压力信息。本发明的半导体压力传感器具有功耗低、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN110010710B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910313220.2
申请日：2019-04-18
Applicant: 东南大学成贤学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器及其制作方法，该用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器包括：衬底、设置在衬底上表面的底栅、设置在底栅表面的栅氧化层、设置在栅氧化层上表面相对两侧的源极和漏极、设置在栅氧化层上表面的a‑IGZO半导体层、设置在a‑IGZO半导体层上表面的保护层，所述保护层位于源极和漏极中间，保护层顶部形成与源极和漏极相接且正对的凹陷。上述用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器，在激光激励下，其电学性能与不加光激励时电学性能差别很大，具有更低的导通阈值电压Vth，更大的输出工作电流，能有效用于探测光以及根据性能变化的大小来判断不同波段的光，且其能有效解决现有源极和漏极材料极易氧化且易使晶体管性能不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN109520647A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811366141.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/16
Abstract: 本发明提出一种MEMS压力传感器及其压力测试方法，该MEMS压力传感器包括设置在第二衬底的第二表面上的压力敏感单元、电致变色单元、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、电源；所述第二衬底的相对于所述第二表面的第一表面上形成凹槽，所述压力敏感单元正对所述凹槽设置，所述电致变色单元设置在所述压力敏感单元周边，所述第一开关、所述第二开关的两侧分别连接所述电致变色单元与压力敏感单元，所述第三开关、所述第四开关的两侧分别连接所述电致变色单元和所述电源，所述压力敏感单元包括压电层。与现有技术相比，本发明无需使用接口电路即可实现环境压力的测量，通过眼睛观察颜色可获得环境压力，具有设计和制备简单、成本低、功耗低等优点。
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公开(公告)号：CN108091656B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201711249419.0
申请日：2017-12-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
Abstract: 本发明公开了一种阻变型非易失性存储器及其操作方法，该阻变型非易失性存储器包括由底栅、栅氧化层、源极以及漏极与半导体层构成的底栅底接触式薄膜晶体管以及顶栅与源极或者漏极的交叠部分构成的一阻变型存储器；其中半导体层上方设置顶栅，下方两侧分别设置有源极和漏极，半导体层位于源极和漏极之间的部分称为沟道，沟道底部与栅氧化层接触，栅氧化层下方设置有底栅。本发明提供的半导体阻变型存储器相较于传统的阻变型存储器而言具有结构紧凑，单元尺寸较小等优点。基于本发明的阻变型存储器的操作方法能够有效地进行存储。
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公开(公告)号：CN108155191B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201711249418.6
申请日：2017-12-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本发明公开了一种多值阻变型非易失性存储器及其操作方法，该多值阻变型非易失性存储器包括由底栅、栅氧化层、源极以及漏极与半导体层构成的底栅底接触式薄膜晶体管以及顶栅与源极和漏极的交叠部分构成的阻变型存储器；其中半导体层上方设置顶栅，下方两侧分别设置有源极和漏极，半导体层位于源极和漏极之间的部分称为沟道，沟道底部与栅氧化层接触，栅氧化层下方设置有底栅。本发明提供的多值阻变型非易失性存储器相较于传统的阻变型存储器而言具有结构紧凑，单元尺寸较小、存储密度高等优点。基于本发明的多值阻变型存储器的操作方法能够有效地进行多值存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109283474A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811366123.1
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种半导体磁场传感器及其操作方法，该半导体磁场传感器包括：磁敏三级管与电致变色单元，磁敏三极管包括发射极与集电极，发射极与电源线相连，集电极与第一开关的一端相邻，第一开关的另一端分别与电致变色单元的第一电极和第二开关的一端相连，第二开关的另一端与电源的一端相连，电源的另一端与电致变色单元的第二电极分别与地线相连，磁敏三极管将磁场信息转化为电信号，电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示磁场信息。上述半导体磁场传感器无需额外增加复杂的接口电路，通过人眼即可直接快速获得当前环境的磁场信息，具有结构简单、成本低、体积小、功耗低、操作简单、使用方便等优点。
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公开(公告)号：CN109490290B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811366834.9
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种半导体湿度传感器及其操作方法，其包括：设置在基底上的传感器单元与电致变色单元，传感器单元包括依次设置于基底上的栅极、栅氧化层、半导体层、设置于半导体层上相对两侧的源极与漏极，源极分别与电致变色单元的第一电极和开关的一端相连，漏极与电源线相连，开关的另一端与电源的一端相连，电源的另一端与电致变色单元的第二电极分别与地线相连，传感器单元将湿度信息转化为电信号，电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示湿度信息。上述半导体湿度传感器通过传感器单元将湿度信息转化为电信号，电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示湿度信息，从而通过人眼即可直接快速获得当前环境的湿度信息。
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公开(公告)号：CN110120349A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910402464.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东南大学成贤学院
IPC: H01L21/443 , H01L21/34 , H01L29/417 , H01L29/43
Abstract: 本发明公开了一种InGaZnO薄膜晶体管的源漏电极及晶体管制备方法，源极和漏极通过掩膜板利用电子束依次蒸发生成钛和金层制备得到，该方法克服了现有技术中的铜电极容易氧化、铜电极沉积在金属氧化物有源层上之后铜原子向氧化物扩散的缺陷，具有高电导率的特点。测试后结果表明，通过本方法制备得到的晶体管的阈值电压为4.5V，亚阈值摆幅较小，栅极偏压Vgs对器件的漏电流Ids有很好的调控作用，器件夹断特性良好。
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公开(公告)号：CN110010710A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910313220.2
申请日：2019-04-18
Applicant: 东南大学成贤学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器及其制作方法，该用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器包括：衬底、设置在衬底上表面的底栅、设置在底栅表面的栅氧化层、设置在栅氧化层上表面相对两侧的源极和漏极、设置在栅氧化层上表面的a-IGZO半导体层、设置在a-IGZO半导体层上表面的保护层，所述保护层位于源极和漏极中间，保护层顶部形成与源极和漏极相接且正对的凹陷。上述用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器，在激光激励下，其电学性能与不加光激励时电学性能差别很大，具有更低的导通阈值电压Vth，更大的输出工作电流，能有效用于探测光以及根据性能变化的大小来判断不同波段的光，且其能有效解决现有源极和漏极材料极易氧化且易使晶体管性能不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN109556712A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811372266.3
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
IPC: G01J1/50
Abstract: 本发明公开了一种光电二极管及其操作方法，该光电二极管包括依次电连接的第一电源、第一电阻、光电二极管单元、第一开关与电致变色单元，电致变色单元的第一电极分别与第一开关的另一端和第二开关的一端相连，第二开关的另一端与第二电源的一端相连，电致变色单元的第二电极分别与第二电源的另一端和第一电源的负极相连，当第一开关断开且第二开关打开时，在第一电源的作用下光电二极管单元处于反向偏置状态，光电二极管单元接收光信号并转换为电信号，电致变色单元在电信号的作用下发生颜色变化以显示光信号。上述光电二极管通过电致变色单元的颜色变化来显示光强，无需增加复杂的信号检测电路，通过人眼即可直接快速获得当前环境的光强。
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