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公开(公告)号：CN119469213A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411591916.9
申请日：2024-11-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01D5/12 , G01D3/00 , G01D21/02 , H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种用于电池监测的三物理参量融合的传感器接口电路，包括差分放大电路、固定电阻、限制电阻、固定电容、阻变型压力传感器、阈值忆阻器。差分放大电路的输入为电池的两端电压，输出端接固定电阻的一端；固定电阻的另一端连接固定电容的一端和阈值忆阻器的一端，同时作为输出端；阈值忆阻器的另一端连接阻变型压力传感器的一端和限制电阻的一端；固定电容C、阻变型压力传感器RF以及限制电阻的另一端均接地。传感器接口电路将电池的电压、温度、应力三个物理参量的值融合为输出脉冲信号的频率、脉冲信号幅值最大值、脉冲信号幅值最小值等脉冲特征量，满足电池运行状态监测与BMS的需求。
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公开(公告)号：CN114235232B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111540862.X
申请日：2021-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法，包括体硅层、衬底、埋氧层、顶硅层、压敏电阻、应力膜、欧姆接触、金属引线、绝缘介质层、小空腔、大空腔、内惠斯通电桥、外惠斯通电桥；顶硅层内部设有小空腔，体硅层内设有大空腔，压敏电阻位于两个空腔的四边中点的正上方，于顶硅层内。通过设置两套压敏电阻组成的两个位于不同厚度应力膜上的惠斯通电桥，分别测量不同量程范围的压力，在一定程度解决了低量程压力传感器在高压环境时失去线性度，以及高量程压力传感器在低压环境时灵敏度较低的问题，使压力传感器在具有大量程的同时兼顾低压环境的灵敏度；同时由于两个空腔在空间上上下堆叠，节约了芯片面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN114235233B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202111541027.8
申请日：2021-12-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法，主要包括体硅层、埋氧层、顶硅层、压敏电阻、重掺杂区、绝缘介质层、压焊块和钝化层；顶硅层中心位置设有大空腔，并在大空腔四边中心位置的上方设有小空腔；大空腔上方的顶硅层和绝缘介质层构成压力敏感薄膜；压力敏感薄膜上表面设置十字梁结构，在所述的十字梁结构四个端部设置有压敏电阻、重掺杂区和金属引线，各组压敏电阻通过重掺杂区与金属引线形成惠斯通电桥；所述的十字梁结构抑制了压力敏感薄膜的形变，进而提高了线性度；所述的小空腔结构提高了压敏电阻区域的应力集中，使得传感器在保持微型化的同时提高了灵敏度；此外该传感器制备方法与CMOS与MEMS工艺兼容，节约成本。
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公开(公告)号：CN111044796B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201911412946.8
申请日：2019-12-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的对称型热电式MEMS微波驻波计通过将两端ACPS传输线的信号线对称分布于主传输线的上下两侧构成一个对称型定向耦合器，将入射和反射微波功率分别提取到上下两条支路的耦合端和隔离端；通过在上下两支路的每个CPW传输线末端分别连接一个热电式MEMS微波功率传感器测量两支路各端口的微波功率，对测得的输出热电压取平均值，可得更准确的入射和反射微波功率，进而得到驻波比的大小；若某条支路停止工作，另一条支路仍可正常工作，即MEMS微波驻波计仍可进行测量，减小了故障率；该对称型热电式MEMS微波驻波计提高了MEMS微波驻波计的可靠性，其采用了全无源结构具有零直流功耗以及与砷化镓单片微波集成电路工艺兼容的特点。
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公开(公告)号：CN111049597B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201911393741.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种热电式自检测MEMS微波功率分配器及其制备方法，所述热电式自检测MEMS微波功率分配器包括位于砷化镓衬底上的微波功分器以及三个MEMS微波功率传感器；所述微波功分器为“T”型对称结构，包括三个端口；每个所述MEMS微波功率传感器通过CPW结构与所述微波功分器的一个端口相连，所述MEMS微波功率传感器用于测量三个所述端口处微波功率大小。本发明在线测量出输入和输出端口处微波功率大小，实现了MEMS微波功率分配器的实时在线功率自检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114088257A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111360679.1
申请日：2021-11-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，在敏感薄膜的上表面和下表面分别制备两个压敏电阻，且在敏感薄膜厚度方向上两组压敏电阻完全重合，并且同一表面的两个压敏电阻分别正对敏感薄膜一组相对边缘的中心位置；敏感薄膜下表面的两个压敏电阻的两端分别通过金属引线与结构上表面的电极层电连接，金属引线上设有绝缘层；四个压敏电阻之间采用惠斯通电桥方式连接。本发明中两组压敏电阻沿敏感薄膜厚度方向垂直分布，且两组压敏电阻在水平方向上均沿同一方向排布，结构具有高度的对称性，解决了压阻排布的不对称性导致传感器输出精度降低的问题。
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公开(公告)号：CN111044800B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201911420910.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的一种状态可控的对称型热电式MEMS微波驻波计采用一个对称型定向耦合器，将入射和反射微波功率分别提取到上下两条支路的耦合端和隔离端；采用热电式MEMS微波功率传感器测量两支路各端口功率，取平均值可得更准确的入射和反射微波功率，进而可得驻波比大小；设计的两条支路单独工作也可实现测量功能，减小了故障率；为了实现MEMS微波驻波计的状态转换功能，在其提取支路上添加MEMS微波开关；当MEMS微波开关处于关断状态时，入射微波功率不再被提取，直接传输到输出端口，减小了不需要检测时微波功率的损耗。该状态可控的对称型热电式MEMS微波驻波计提高了MEMS微波驻波计的可靠性，而且具有低损耗、小芯片面积以及与砷化镓单片微波集成电路工艺兼容的特点。
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公开(公告)号：CN113257194A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110326976.8
申请日：2021-03-26
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3258 , G09G3/3266
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路及其驱动方法，包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、驱动管T5、存储电容器Cs、补偿电容器Cc、有机发光二极管OLED、第一扫描控制线Vs1、第二扫描控制线Vs2、数据信号线Vdata、电源/基准复用线Vdd/Vref。驱动方法包括补偿阶段、数据写入阶段和发光阶段。其中，数据写入阶段既实现数据信号的写入，也实现对驱动管T5迁移率变化的补偿。本发明的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路具有开口率高、补偿驱动管迁移率变化、以及减缓有机发光二极管OLED退化速度等优点。
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公开(公告)号：CN113160754A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110453249.8
申请日：2021-04-26
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种单电容结构的AMOLED像素补偿电路及其驱动方法，包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、驱动管T4、存储电容器Cs、有机发光二极管OLED、扫描控制线Vs、发光控制线Vem、基准/数据复用线Vref/Vdata。驱动方法包括复位阶段、补偿阶段和发光阶段，其中补偿阶段实现对驱动管T4阈值电压的提取和数据信号的写入。本发明的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路具有结构简单、开口率高、能够补偿晶体管阈值电压正向和负向漂移、补偿有机发光二极管OLED退化问题的优点。
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公开(公告)号：CN109490290B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811366834.9
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种半导体湿度传感器及其操作方法，其包括：设置在基底上的传感器单元与电致变色单元，传感器单元包括依次设置于基底上的栅极、栅氧化层、半导体层、设置于半导体层上相对两侧的源极与漏极，源极分别与电致变色单元的第一电极和开关的一端相连，漏极与电源线相连，开关的另一端与电源的一端相连，电源的另一端与电致变色单元的第二电极分别与地线相连，传感器单元将湿度信息转化为电信号，电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示湿度信息。上述半导体湿度传感器通过传感器单元将湿度信息转化为电信号，电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示湿度信息，从而通过人眼即可直接快速获得当前环境的湿度信息。
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