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公开(公告)号:CN109282923B
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN201811366142.4
申请日:2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体压力传感器,其包括顶栅型场效应晶体管、电致变色器件、第一开关、第二开关、恒定电源,顶栅型场效应晶体管的栅极包括压电层,顶栅型场效应晶体管的源极通过第一开关与电致变色器件的工作电极相连,顶栅型场效应晶体管的漏极连接电源线,电致变色器件的对电极接地;第二开关连接恒定电源的负极与第一开关,且第二开关、恒定电源所在旁路与电致变色器件相并联。另外,本发明提供了一种半导体压力传感器的压力测量方法,该方法无需使用复杂的接口电路,通过眼睛直接观察颜色即可获得当前环境的压力信息。本发明的半导体压力传感器具有功耗低、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号:CN109282923A
公开(公告)日:2019-01-29
申请号:CN201811366142.4
申请日:2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体压力传感器,其包括顶栅型场效应晶体管、电致变色器件、第一开关、第二开关、恒定电源,顶栅型场效应晶体管的栅极包括压电层,顶栅型场效应晶体管的源极通过第一开关与电致变色器件的工作电极相连,顶栅型场效应晶体管的漏极连接电源线,电致变色器件的对电极接地;第二开关连接恒定电源的负极与第一开关,且第二开关、恒定电源所在旁路与电致变色器件相并联。另外,本发明提供了一种半导体压力传感器的压力测量方法,该方法无需使用复杂的接口电路,通过眼睛直接观察颜色即可获得当前环境的压力信息。本发明的半导体压力传感器具有功耗低、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号:CN119797774A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411787548.5
申请日:2024-12-06
Applicant: 东南大学
IPC: C03C17/36 , H01M10/42 , H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种用于制备全固态薄膜储能器件的界面改性方法,属于储能器件制备领域。该方法通过氧等离子体处理在锂磷氧氮化物表面形成磷酸锂/氧化锂复合膜作为锂磷氧氮化物/阳极界面之间的缓冲层,有效降低了锂磷氧氮化物的界面阻抗,并抑制了电子在电解质之间的传输。与磷酸锂或氧化锂等单一缓冲层相比,氧等离子体处理工艺可以一步生成复合缓冲层,工艺简单,而且生成的复合缓冲层借鉴了磷酸锂和氧化锂二者的优点,规避了二者的缺点,该复合缓冲层具有高锂离子电导率、高化学稳定性、高机械性能、低电子电导率等优点。
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公开(公告)号:CN109283474A
公开(公告)日:2019-01-29
申请号:CN201811366123.1
申请日:2018-11-16
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域,公开了一种半导体磁场传感器及其操作方法,该半导体磁场传感器包括:磁敏三级管与电致变色单元,磁敏三极管包括发射极与集电极,发射极与电源线相连,集电极与第一开关的一端相邻,第一开关的另一端分别与电致变色单元的第一电极和第二开关的一端相连,第二开关的另一端与电源的一端相连,电源的另一端与电致变色单元的第二电极分别与地线相连,磁敏三极管将磁场信息转化为电信号,电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示磁场信息。上述半导体磁场传感器无需额外增加复杂的接口电路,通过人眼即可直接快速获得当前环境的磁场信息,具有结构简单、成本低、体积小、功耗低、操作简单、使用方便等优点。
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