公开(公告)号：CN108766857A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810427948.3

申请日：2018-05-07

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 彭新村 ,  邹继军 ,  刘云 ,  邓文娟 ,  朱志甫 ,  王炜路 ,  冯林 ,  王智栋

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限于有源区，大幅度提升入射光的吸收率，降低光电子输运距离，还可以降低表面光反射导致的有害光电发射对电子束品质的影响，从而有效提升量子效率和电子束的品质。GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源可以采用纳米压印刻蚀、自组装纳米球刻蚀、电子束光刻、聚焦离子束刻蚀等工艺进行制备，工艺技术成熟，稳定性好，可应用于大型电子加速器、微光夜视、扫描电镜等领域。

公开(公告)号：CN106711250B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710095598.0

申请日：2017-02-22

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 汤彬 ,  朱志甫 ,  邹继军 ,  王盛茂 ,  邓文娟 ,  彭新村

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/118 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层；在p型GaN和n型衬底上沉积金属并做退火处理形成欧姆接触电极；在p型GaN层上沉积10BC4或6LiF作为中子转换层。AlGaN/GaN变掺杂变组分结构内部具有内建电场，当中子照射到10BC4或6LiF后发生核反应产生α粒子，α粒子电离AlGaN/GaN产生电子空穴对，该电场驱动电子、空穴分别向n型和p型电极两端定向运动，有利于收集效率的提高和漏电流的减小，从而提高了中子探测器的灵敏度以及探测效率。

公开(公告)号：CN106711250A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201710095598.0

申请日：2017-02-22

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 汤彬 ,  朱志甫 ,  邹继军 ,  王盛茂 ,  邓文娟 ,  彭新村

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/118 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03048 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/118 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层；在p型GaN和n型衬底上沉积金属并做退火处理形成欧姆接触电极；在p型GaN层上沉积10BC4或6LiF作为中子转换层。AlGaN/GaN变掺杂变组分结构内部具有内建电场，当中子照射到10BC4或6LiF后发生核反应产生α粒子，α粒子电离AlGaN/GaN产生电子空穴对，该电场驱动电子、空穴分别向n型和p型电极两端定向运动，有利于收集效率的提高和漏电流的减小，从而提高了中子探测器的灵敏度以及探测效率。

公开(公告)号：CN104752117B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201510093090.8

申请日：2015-03-03

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  万明 ,  冯林 ,  邓文娟 ,  彭新村 ,  程滢 ,  江少涛 ,  王炜路 ,  张益军 ,  常本康

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的负电子亲和势电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs‑O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，提高光电发射效率，从而有利于扩展纳米线负电子亲和势电子源的应用范围。

公开(公告)号：CN222070841U

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202420427945.0

申请日：2024-03-06

Applicant: 江西誉鸿锦材料科技有限公司 ,  东华理工大学

Inventor： 赖兴阳 ,  邹继军 ,  邓文娟 ,  邵春林 ,  钟耀宗 ,  葛子琪 ,  吴粤川 ,  彭增涛

IPC: G01T3/08

Abstract: 本实用新型公开了一种填充6LiF的半绝缘GaN微沟槽型中子探测器，该探测器包括半绝缘GaN自支撑衬底、组合掩模层或者光刻胶掩模层、Si3N4钝化层、微沟槽结构、正面肖特基接触金属电极、背面欧姆接触金属电极以及正面填充的6LiF中子转换层材料，中子将从正面肖特基接触金属电极入射；在中子探测的过程中，正面的微沟槽结构极大的增加了GaN材料与中子转换层的接触面积，从而可有效提高各向同性发射的带电粒子进入半导体材料的概率；半绝缘GaN自支撑衬底厚度为200～400μm，能够保证在中子探测过程中所产生的二级带电粒子能够将能量完全损失在GaN材料内，极大的提高了探测效率；再加上第三代半导体GaN其宽禁带、高位阈能等优秀的物理、化学特性，使得GaN较Si、GaAs等材料在高温高压、强辐射等恶劣环境下表现出更加优异的性能。

公开(公告)号：CN215298598U

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202121098469.5

申请日：2021-05-21

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 王怀平 ,  马善农 ,  胡开明 ,  邓文娟 ,  葛远香 ,  冯林 ,  张建文

IPC: G09B23/18

Abstract: 一种基于FPGA与数字电路的通用实验口袋机，其中，所述箱体内上层设置有缓冲层，所述箱体内下层设置有载板，所述载板一端布置有载板开关与直流稳压电源，所述FPGA核心板布置在载板开关下方，所述扩展模块布置在FPGA核心板下方，所述载板另一端上部布置有面包板，所述面包板下方布置有导线放置区；并在FPGA核心板上设置有与FPGA芯片连接的复位电路、CLOCK时钟电路、配置芯片模块、存储器模块、接口模块、流水灯模块、独立按键模块、LED数码管显示模块、蜂鸣器模块、串口通信模块及DC电源模块；本实用新型体积小、重量轻、便于携带、硬件模块全面、结构简单、设计合理，便于FPGA与数字电路实验操作，维护方便。

公开(公告)号：CN215076429U

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202120542354.4

申请日：2021-03-16

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 黄伟莉 ,  邓文娟 ,  李平 ,  卢海林 ,  周桥 ,  冯志徽 ,  欧阳秀贞

IPC: A47B41/00 ,  A47B41/02 ,  A47B9/00 ,  A47B97/00 ,  G08B21/24 ,  F21V33/00 ,  F21Y115/10

Abstract: 本实用新型属于书桌技术领域，涉及一种智慧学习书桌，其中，包括桌脚，所述桌脚上端通过螺丝固定连接有桌外腿，所述桌外腿内部通过卡套卡接有电动升降杆，所述电动升降杆上端套接有伸缩杆套，所述伸缩杆套上端固定连接有横梁，所述横梁上端固定连接有桌面内板，所述桌面内板表面固定连接有桌面外板，桌面内板底端通过角码固定连接有弹簧升降滑轨，所述弹簧升降滑轨侧面通过螺丝固定连接有手托。其有益效果是，通过设置坐姿智能引导装置能在学习人员趴靠在桌子上，出现错误坐姿首先语音播放器提示学习人员对坐姿调整，若持续错姿超时则一旁的振动干扰器产生震动以干扰警示，能及时提示学习人员对学习姿势进行纠正。

公开(公告)号：CN206163528U

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201621287778.6

申请日：2016-11-29

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 卜毅 ,  邹继军 ,  朱志甫 ,  邓文娟 ,  彭新村

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型涉及一种二氧化钒薄膜忆阻存储器，包括微控制器、电压脉冲发生器、二氧化钒薄膜、用于控制二氧化钒薄膜环境温度的恒温器和放大电路，微控制器与电压脉冲发生器连接，电压脉冲发生器与二氧化钒薄膜连接，二氧化钒薄膜与放大电路连接，恒温器的控制系统及放大电路分别与微控制器连接。本实用新型二氧化钒薄膜忆阻存储器，是利用相变特性的一种高密度存储器件，可同时实现多位信息的存储；二氧化钒薄膜忆阻器所用的薄膜制备工艺成熟与当前集成电路工艺兼容性较好，降低了成本，有利于该忆阻器的实际应用。

公开(公告)号：CN210403649U

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201921831173.2

申请日：2019-10-29

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 邹继军 ,  夏聚洋 ,  彭新村 ,  邓文娟

IPC: H01J9/02

Abstract: 一种具备高发射电流效率的电注入阴极，其中，n型GaAs衬底上表面依次生长有n型变带隙AlGaAs层、n型AlGaAs层、p型AlGaAs层、p型变带隙AlGaAs层及p型GaAs层，p型GaAs层上利用等离子体增强化学气相沉积技术沉积有SiO2绝缘层，同时在被刻蚀掉部分SiO2绝缘层的p型GaAs层上生成有用于形成驱动电极的发射区域，且发射区域中未被驱动电极覆盖的p型GaAs层表面则为用于形成Cs-O激活层的阵列电子发射面；并在n型GaAs衬底下表面形成有提供电子的电极，本实用新型无需精确控制刻蚀变带隙AlGaAs/GaAs阵列发射层，使得电注入阴极结构更简单，更易于实现，发射电流效率高。

公开(公告)号：CN221466593U

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202420120580.7

申请日：2024-01-18

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 江霖霖 ,  彭新村 ,  邹继军 ,  邓文娟 ,  王玉 ,  刘思源 ,  钟潮燕 ,  陈雷庆

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/0224

Abstract: 本实用新型公开了基于电子束直写光刻技术的异质结热光伏电池，包括P型Ge衬底，P型Ge衬底的上表面依次沉积有N型GaInP2层、n+‑GaAs黏附层和正面电极层，P型Ge衬底的下表面设有背面电极层，所述背面电极层为正电极，正面电极层为负电极，所述GaInP2层上设有采用基于电子束直写光刻技术制作的纳米阵列结构。本实用新型通过在GaInP2衬底层上制作纳米阵列结构，可以降低光电转换有源区的反射率，提升光电转换效率，提高电池性能。