-
公开(公告)号：CN1837404A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610065825.7
申请日：2006-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: C23C16/513 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其特征在于，具有：内部能够抽真空的纵型的筒状的处理容器；多段地保持多个被处理体，并且能够插拔于前述处理容器内的被处理体保持机构；设在前述处理容器的周围的加热机构；向前述处理容器内供给不含卤素的硅烷类气体的硅烷类气体供给机构；向前述处理容器内供给氮化气体的氮化气体供给机构；通过等离子体使前述氮化气体活性化的活性化机构；以及为了在前述被处理体上形成规定的薄膜，按照一边同时向前述处理容器内供给前述硅烷类气体和前述氮化气体一边使前述氮化气体活性化的方式，控制前述硅烷类气体供给机构、前述氮化气体供给机构和前述活性化机构的控制机构。
-
公开(公告)号：CN117373888A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310763833.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3205
Abstract: 本公开提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，即使在划分壁上沉积膜也能够维持放电。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，在所述处理容器的侧壁具有开口；划分壁，其覆盖所述开口，并且形成与所述处理容器的内部连通的内部空间；以及内部电极，其贯通所述划分壁气密地插入到所述内部空间，所述内部电极被供给RF电力，其中，在所述划分壁与所述内部电极之间设置有第一间隙。
-
公开(公告)号：CN103354202B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310258380.4
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
-
公开(公告)号：CN104051213A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410081006.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理体实施等离子体处理，其包括：能够抽真空的圆筒状的处理容器；保持多个被处理体向处理容器内插拔的保持单元；向处理容器内供给气体的气体供给单元；和利用等离子体使气体活性化的活性化单元，其中，活性化单元由沿处理容器长边方向配设的等离子体生成箱、沿等离子体生成箱配设的电感耦合型电极和连接到电感耦合型电极的高频电源构成，电感耦合型电极在等离子体生成箱的一端折返，沿等离子体生成箱的两侧壁配设，等离子体生成箱由截面“コ”状的等离子体区分壁区分形成，该等离子体区分壁由相对的一对侧壁和连接该侧壁的一端侧的背面壁构成，串联连接成为一部分被切去的状态的多个环状电极而形成电极。
-
公开(公告)号：CN102163530B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110054175.7
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/509 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103354202A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310258380.4
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
-
公开(公告)号：CN101192534B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710196363.7
申请日：2007-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01L21/318 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , C23C16/507 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种具有处理容器的成膜装置的使用方法，该处理容器具有以选自由石英和碳化硅构成的组中的材料为主成分的内面。根据该方法，在前述处理容器内进行在制品用的被处理基板上形成硅氮化膜的成膜处理，接着，从前述处理容器卸载上述制品用的被处理基板。之后，将氧化气体供向没有容纳制品用的被处理基板的前述处理容器内，进行氧化处理，使附着在前述处理容器的前述内面上的副生成物膜在从其表面至规定深度的部分上变化为氧比氮丰富的状态。
-
公开(公告)号：CN101288157B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200680037904.5
申请日：2006-10-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67303 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种处理装置，其包括：多层搭载被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部；和对上述处理容器进行加热的加热部，该处理装置的特征在于：在上述保持具上设置有当被收纳于上述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，上述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，上述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与上述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。
-
公开(公告)号：CN101494163A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910005625.6
申请日：2009-01-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，该处理装置对被处理体(W)进行热处理。处理装置具有：能够收容多个被处理体(W)的处理容器(22)；设于处理容器(22)外侧的感应加热用线圈部(104)；对感应加热用线圈部(104)施加高频电力的高频电源(110)；将气体导入处理容器(22)内的气体供给部(90)；在处理容器(22)内保持被处理体(W)的保持部(24)；和通过来自感应加热用线圈部(104)的高频感应加热并加热被处理体(W)的感应发热体(N)。在感应发热体(N)上形成有用于控制在该感应发热体(N)上产生的涡电流的流动的切口状的槽部。
-
公开(公告)号：CN101378007A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810171431.9
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/509 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
63
records
(took 0.032 seconds)
