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公开(公告)号：CN112786744A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110177271.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的二维全无机钙钛矿白光LED器件的制备方法，通过酸化学法、真空抽滤以及干法球磨工艺制备微米尺度的Cs3Sb2Cl9晶体粉末；使用真空沉积法，在石英衬底上制备得到大气环境稳定、结晶质量高、具有明显(110)取向生长的二维全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9薄膜；采用PMMA封装，制成含有TiO2/Cs3Sb2Cl9薄膜的石英基片和UVLED单元的平面结构的白光LED器件。本发明制备方法以步骤简单、成本低、过程可控为特点，可运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN112557343A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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公开(公告)号：CN106283195A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN118501886A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410555351.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种用于卫星激光测距的高精度高重复频率门控信号产生方法，属于激光测距领域。本发明具体包括：存储用户提供的内插系数；记录输入点火信号脉冲相对系统时钟的时间值，基于内插系数计算所需延时时长；将所述延时时长分为粗延时时长和细延时时长；计算粗延时周期与细延时时长并将其存入FIFOc与FIFOx；对输入信号进行延时处理，最终获得高精度高重复频率延时门控信号输出脉冲。本发明具有高精度、高重复频率、高实时性的延时信号输出、可实现超过100KHz重复率的延时信号输出，从而满足高精度、高重复频率卫星激光测距门控信号的技术需求。本发明可用于卫星激光测距系统距离门控信号产生、提高卫星激光测距系统观测效率，降低观测背景噪声。
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公开(公告)号：CN115369488B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210835318.6
申请日：2022-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法，包括以下步骤：使用溶液法生长得到钙钛矿单晶；向生长容器中注入第一清洗剂并去除生长溶液后，使钙钛矿单晶倒置并浸泡在第一清洗剂中，清洗生长溶液；清洗结束后，向生长容器中注入第二清洗剂并去除第一清洗剂，使钙钛矿单晶浸泡在第二清洗剂中，清洗第一清洗剂；清洗结束后，去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，完成对钙钛矿单晶表面的处理。通过本发明提供的方法处理后的钙钛矿单晶表面平整、光滑、缺陷密度低，物理、电学、光学性能有全面的提高，可直接应用于器件材料、科研等领域，无需再次加工处理。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111312857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN115369488A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210835318.6
申请日：2022-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法，包括以下步骤：使用溶液法生长得到钙钛矿单晶；向生长容器中注入第一清洗剂并去除生长溶液后，使钙钛矿单晶倒置并浸泡在第一清洗剂中，清洗生长溶液；清洗结束后，向生长容器中注入第二清洗剂并去除第一清洗剂，使钙钛矿单晶浸泡在第二清洗剂中，清洗第一清洗剂；清洗结束后，去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，完成对钙钛矿单晶表面的处理。通过本发明提供的方法处理后的钙钛矿单晶表面平整、光滑、缺陷密度低，物理、电学、光学性能有全面的提高，可直接应用于器件材料、科研等领域，无需再次加工处理。
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公开(公告)号：CN113061971A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110214026.6
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法，基于溶液法，利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点，在析晶点附近，人为制造温差，可控诱导成核，达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢，金属传热快，在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差，且该范围区域的温度高于其他位置，使该区域溶解度降低，相对低于其他位置，以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核，可控生长；原料利用率高；生长出来的晶体质量高，形状规则，受到应力小，该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。
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