公开(公告)号：CN112786744B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110177271.4

申请日：2021-02-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐飞 ,  李跃 ,  王香 ,  胡紫婷 ,  陆文庆 ,  洪峰 ,  徐闰 ,  马忠权 ,  赵磊

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L33/18 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明公开了一种平面结构的二维全无机钙钛矿白光LED器件的制备方法，通过酸化学法、真空抽滤以及干法球磨工艺制备微米尺度的Cs3Sb2Cl9晶体粉末；使用真空沉积法，在石英衬底上制备得到大气环境稳定、结晶质量高、具有明显(110)取向生长的二维全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9薄膜；采用PMMA封装，制成含有TiO2/Cs3Sb2Cl9薄膜的石英基片和UVLED单元的平面结构的白光LED器件。本发明制备方法以步骤简单、成本低、过程可控为特点，可运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。

公开(公告)号：CN112786744A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110177271.4

申请日：2021-02-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐飞 ,  李跃 ,  王香 ,  胡紫婷 ,  陆文庆 ,  洪峰 ,  徐闰 ,  马忠权 ,  赵磊

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L33/18 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明公开了一种平面结构的二维全无机钙钛矿白光LED器件的制备方法，通过酸化学法、真空抽滤以及干法球磨工艺制备微米尺度的Cs3Sb2Cl9晶体粉末；使用真空沉积法，在石英衬底上制备得到大气环境稳定、结晶质量高、具有明显(110)取向生长的二维全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9薄膜；采用PMMA封装，制成含有TiO2/Cs3Sb2Cl9薄膜的石英基片和UVLED单元的平面结构的白光LED器件。本发明制备方法以步骤简单、成本低、过程可控为特点，可运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。

公开(公告)号：CN119421446A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411523865.6

申请日：2024-10-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 陆文庆 ,  任开琳

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01

Abstract: 本申请公开了一种垂直p沟道型氮化镓晶体管及其制备方法，涉及晶体管技术领域，该垂直p沟道型氮化镓晶体管自下而上包括：衬底、缓冲层、UID‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN帽层、n‑GaN沟道层、p‑GaN欧姆接触层、绝缘层、栅极、衬极、源极和漏极；n‑GaN沟道层上设有衬极；p‑GaN帽层和p‑GaN欧姆接触层上的分别设有源极和漏极；绝缘层覆盖在p‑GaN帽层、n‑GaN沟道层和p‑GaN欧姆接触层之上；栅极覆盖在部分绝缘层的上方。本申请提供的晶体管构建于p‑GaN/AlGaN/GaN基板之上，通过在其上外延生长n‑GaN/p‑GaN同质结，实现了一种增强型p型场效应晶体管的结构。

公开(公告)号：CN119421435A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411524657.8

申请日：2024-10-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 陆文庆 ,  任开琳

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/47

Abstract: 本申请公开了一种伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及晶体管技术领域，该方法选用已有的外延片、进行台面隔离、表面处理、刻蚀p‑GaN帽层以暴露接触区域、沉积钝化层、去除栅极区域掩模材料、蒸镀n型欧姆接触金属形成源极和漏极、以及蒸镀栅极接触金属，最终制备伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管。本申请在常规的高电子迁移率晶体管的基础上，在刻蚀完pGaN后，继续用掩模材料进行掩模，外延生长钝化层后通过掩模材料选择性剥离外延生长的钝化层，露出pGaN帽层从而实现栅极伪自对准。

公开(公告)号：CN119230604A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411336877.8

申请日：2024-09-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 任开琳 ,  陆文庆 ,  殷录桥 ,  张建华

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/45

Abstract: 本申请公开了一种双栅增强型氮化镓射频功率晶体管，涉及晶体管领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层的上表面设有p‑GaN帽层；p‑GaN帽层的上表面设有直流栅极；AlGaN势垒层的上表面的分别两端设有源极和漏极；AlGaN势垒层的上表面且位于源极和p‑GaN帽层之间设有射频栅极。本发明设计的晶体管结构中涉及射频栅极和直流栅极的双栅组合，可以使得晶体管器件同时获得高的截止频率、正的阈值电压、大的击穿电压和低的开关比等多个优良的电学特性。

公开(公告)号：CN117637817A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311696494.7

申请日：2023-12-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  宋世平 ,  任开琳 ,  殷录桥 ,  陆文庆

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/085 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种单片集成半桥电路结构及其制备方法，涉及单片集成半桥电路技术领域。方法包括：钝化层和设置有沟槽的基体；钝化层设置于基体的上表面；且沟槽内填充有钝化层；基体包括自下而上依次设置的衬底电极、第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层、缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；第一P+衬底层和N‑衬底层形成第一PN结；N‑衬底层和第二P+衬底层形成第二PN结；沟槽贯穿于AlGaN势垒层、GaN沟道层、缓冲层和第二P+衬底层，且沟槽的底部位于N‑衬底层的内部。本发明通过设置第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层和沟槽形成双PN结衬底能够降低对衬底电位的依赖性，完成高边管和低边管的隔离。