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公开(公告)号：CN112557343B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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公开(公告)号：CN112557343A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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