-
公开(公告)号：CN112557343B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
-
公开(公告)号：CN112557343A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
-
公开(公告)号：CN112133775B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010919307.7
申请日：2020-09-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/117 , H01L31/18 , G01T1/161 , G01T1/24 , G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区，SiPM作为载流子的倍增放大区，形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时，整个器件作为高灵敏探测器应用；当将单个或部分APD单元作为像素单元时，可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。
-
公开(公告)号：CN112133775A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010919307.7
申请日：2020-09-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/117 , H01L31/18 , G01T1/161 , G01T1/24 , G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区，SiPM作为载流子的倍增放大区，形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时，整个器件作为高灵敏探测器应用；当将单个或部分APD单元作为像素单元时，可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.011 seconds)
