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公开(公告)号：CN103109356A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180044539.1
申请日：2011-07-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: C09K13/00 , H01L21/02068 , H01L21/28079 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L21/823842 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液和使用该硅蚀刻液的晶体管的制造方法，所述硅蚀刻液含有：0.1～40重量%的选自氨、二胺和通式（1）所示的多胺中的至少1种碱化合物；0.01～40重量%的选自规定的多元醇和不具有还原性的糖类中的至少1种多元醇；以及40～99.89重量%的水，所述蚀刻液在采用去除由硅形成的虚设栅极并替换成含有铪、锆、钛、钽或钨的金属栅极的方法来制造具有至少由高介电材料膜和该金属栅极构成的层叠体的晶体管的方法中在该由硅形成的虚设栅极的蚀刻中使用。
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公开(公告)号：CN103098181A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043435.9
申请日：2011-07-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/0206 , B81C1/00825
Abstract: 本发明提供用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。另外，本发明提供使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN103098179A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043414.7
申请日：2011-07-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00 , C11D7/32 , H01L21/308
CPC classification number: G03F7/40 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C1/00849 , H01L21/0206 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供一种用于抑制由多晶硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的微细结构体的制造方法，所述处理液含有选自具有碳原子数12、碳原子数14和碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物中的至少一种及水。
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公开(公告)号：CN102959691A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180031421.5
申请日：2011-10-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/36 , C11D11/0047
Abstract: [课题]本发明提供在半导体电路元件的制造工序中，在半导体基板表面的化学机械研磨（CMP）后去除残渣和污染物质的洗涤用液体组合物以及使用其的洗涤方法。[解决方法]本发明的洗涤用液体组合物含有氢氧化季铵、1-乙炔基-1-环己醇、络合剂、二乙烯三胺五甲叉膦酸以及水，且pH为9~13。通过使用本发明的洗涤用液体组合物进行洗涤，可以保护其不受来源于半导体电路元件制造工序、环境的污染、腐蚀、氧化、产生异物的影响，从而得到清洁的配线表面。
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公开(公告)号：CN102640264A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080047543.9
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/02057 , B81B2203/0109 , B81B2203/0361 , B81C1/00849 , H01L21/31111
Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法，所述处理液含有具有烃基且包含氧亚乙基结构的图案倒塌抑制剂，所述烃基包含可以一部分或全部被氟取代的烷基和烯基的任一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101632042B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880008229.2
申请日：2008-03-06
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31133 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/36 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02063
Abstract: 本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸类、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。此外，还提供一种使用该洗涤用组合物的半导体元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN102138202A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980131013.X
申请日：2009-07-07
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D7/10 , C11D7/244 , C11D7/261 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02063
Abstract: 本发明提供残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法，所述残渣剥离液组合物在具有由铝(Al)或铝合金构成的金属配线的半导体基板的制造工序中，可将为了形成导通孔而进行干蚀刻及灰化后残留的抗蚀剂残渣及来源于钛(Ti)的残渣在低温、短时间内完全除去，并且不会腐蚀层间绝缘材料、配线材料等部件。该残渣剥离液组合物是含有(A)氟化铵；(B)甲磺酸；(C)具有碳-碳三键的化合物；(D)水溶性有机溶剂；以及(E)水的残渣剥离液组合物，并且，该残渣剥离液组合物中的(A)、(C)、(D)及(E)的含量分别为0.005～2质量％、0.1～10质量％、60～75质量％及5～38质量％，且(B)相对于(A)为0.9～1.5倍量(摩尔比)。
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公开(公告)号：CN100526450C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200410005492.X
申请日：2004-02-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/02063 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/3723 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。
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公开(公告)号：CN1578932A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821688.1
申请日：2002-10-31
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , G03F7/425 , H01L21/31133 , H01L21/31138
Abstract: 在本发明的抗蚀剂剥离方法中，在氧气比例为2％体积或更低的氛围中，使具有残留抗蚀剂层的布线基质与抗蚀剂剥离组合物接触。优选在用过氧化氢预处理残留的抗蚀剂层之后除去抗蚀剂。在本发明的抗蚀剂剥离方法中优选使用含胺化合物、溶剂、强碱和水的抗蚀剂剥离组合物。
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公开(公告)号：CN116635572A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180083613.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/28
Abstract: 提供水性组合物，其对不锈钢的表面通过少的工序进行充分且高效的粗糙化，并且处理后的不锈钢的厚度等品质保持良好。上述课题通过如下的用于对不锈钢的表面进行粗糙化的水性组合物解决。即水性组合物中：以水性组合物的总量计，包含0.1～10质量％的过氧化氢；以水性组合物的总量计，包含1～30质量％的卤化物离子；以水性组合物的总量计，包含0～3质量％的铜离子。
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