公开(公告)号：CN102138202B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980131013.X

申请日：2009-07-07

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 镰田京子 ,  田中圭一 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/10 ,  C11D7/244 ,  C11D7/261 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法，所述残渣剥离液组合物在具有由铝(Al)或铝合金构成的金属配线的半导体基板的制造工序中，可将为了形成导通孔而进行干蚀刻及灰化后残留的抗蚀剂残渣及来源于钛(Ti)的残渣在低温、短时间内完全除去，并且不会腐蚀层间绝缘材料、配线材料等部件。该残渣剥离液组合物是含有(A)氟化铵；(B)甲磺酸；(C)具有碳-碳三键的化合物；(D)水溶性有机溶剂；以及(E)水的残渣剥离液组合物，并且，该残渣剥离液组合物中的(A)、(C)、(D)及(E)的含量分别为0.005～2质量％、0.1～10质量％、60～75质量％及5～38质量％，且(B)相对于(A)为0.9～1.5倍量(摩尔比)。

公开(公告)号：CN104862675B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510083537.3

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 田中圭一 ,  普林安加·柏达那·普特拉

IPC: C23C18/34 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/34 ,  C23C18/40 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/1084 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供使用化学镀液的贯通电极的形成方法,上述贯通电极的形成方法具有如下工序:对于形成于基板的孔的侧壁,(1)使用至少含有钴离子或镍离子、络合剂、还原剂以及pH调节剂的化学镀钴液或化学镀镍液,在前述孔的入口至前述孔的中央部形成作为防止铜扩散的层的金属合金膜的工序;(2)使用至少含有钴离子或镍离子、络合剂、还原剂、pH调节剂以及具有氨基的聚合物的化学镀钴液或化学镀镍液,在前述孔的中央部至前述孔的底形成作为防扩散层的金属合金膜的工序;以及(3)使用化学镀铜液,在(1)工序以及(2)工序形成的防扩散层上层叠铜晶种层的工序。

公开(公告)号：CN102138202A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980131013.X

申请日：2009-07-07

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 镰田京子 ,  田中圭一 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/10 ,  C11D7/244 ,  C11D7/261 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法，所述残渣剥离液组合物在具有由铝(Al)或铝合金构成的金属配线的半导体基板的制造工序中，可将为了形成导通孔而进行干蚀刻及灰化后残留的抗蚀剂残渣及来源于钛(Ti)的残渣在低温、短时间内完全除去，并且不会腐蚀层间绝缘材料、配线材料等部件。该残渣剥离液组合物是含有(A)氟化铵；(B)甲磺酸；(C)具有碳-碳三键的化合物；(D)水溶性有机溶剂；以及(E)水的残渣剥离液组合物，并且，该残渣剥离液组合物中的(A)、(C)、(D)及(E)的含量分别为0.005～2质量％、0.1～10质量％、60～75质量％及5～38质量％，且(B)相对于(A)为0.9～1.5倍量(摩尔比)。

公开(公告)号：CN102047394B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200980120530.7

申请日：2009-05-20

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 田中圭一 ,  外赤隆二

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02071 ,  G03F7/423

Abstract: 在半导体器件的布线形成工序中，能够将利用反应性气体进行干蚀刻及利用等离子气体进行灰化时产生的抗蚀剂残渣物除去，而不会腐蚀层间绝缘材料、布线材料等半导体器件的部件，并且，可抑制处理后放置一定期间后发生的后腐蚀(after-corrosion)的发生。通过依次进行(1)利用含有氢氟酸的水溶液进行的洗涤工序、(2)利用过氧化氢与氨的混合溶液进行的洗涤工序以及(3)利用双氧水进行的洗涤工序，能够除去以铝(Al)为主要成分的金属布线侧壁的抗蚀剂残渣物，并且能抑制后腐蚀的发生。

公开(公告)号：CN104862675A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510083537.3

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 田中圭一 ,  普林安加·柏达那·普特拉

IPC: C23C18/34 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/34 ,  C23C18/40 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/1084 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供使用化学镀液的贯通电极的形成方法，上述贯通电极的形成方法具有如下工序：对于形成于基板的孔的侧壁，(1)使用至少含有钴离子或镍离子、络合剂、还原剂以及pH调节剂的化学镀钴液或化学镀镍液，在前述孔的入口至前述孔的中央部形成作为防止铜扩散的层的金属合金膜的工序；(2)使用至少含有钴离子或镍离子、络合剂、还原剂、pH调节剂以及具有氨基的聚合物的化学镀钴液或化学镀镍液，在前述孔的中央部至前述孔的底形成作为防扩散层的金属合金膜的工序；以及(3)使用化学镀铜液，在(1)工序以及(2)工序形成的防扩散层上层叠铜晶种层的工序。

公开(公告)号：CN102047394A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120530.7

申请日：2009-05-20

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 田中圭一 ,  外赤隆二

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02071 ,  G03F7/423

Abstract: 在半导体器件的布线形成工序中，能够将利用反应性气体进行干蚀刻及利用等离子气体进行灰化时产生的抗蚀剂残渣物除去，而不会腐蚀层间绝缘材料、布线材料等半导体器件的部件，并且，可抑制处理后放置一定期间后发生的后腐蚀(after-corrosion)的发生。通过依次进行(1)利用含有氢氟酸的水溶液进行的洗涤工序、(2)利用过氧化氢与氨的混合溶液进行的洗涤工序以及(3)利用双氧水进行的洗涤工序，能够除去以铝(Al)为主要成分的金属布线侧壁的抗蚀剂残渣物，并且能抑制后腐蚀的发生。