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公开(公告)号：CN108369907A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201780004391.6
申请日：2017-01-10
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/00
CPC classification number: C09K3/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供液体组合物和使用其的半导体基板的表面处理方法，所述液体组合物为对半导体基板材料赋予拒醇性的液体组合物，所述液体组合物包含：表面活性剂(A)0.01～15质量％，其具有式(1)：(式中，n为3以上且20以下的整数。)所示的取代基和阴离子性亲水基团；和，化合物(B)0.0001～20质量％，其重均分子量为200以上且500000以下、且每1g具有4mmol以上且30mmol以下的氨基，所述化合物(B)为选自由聚乙烯亚胺、和具有式(2)或(3)：(式中，R1和R2各自独立地为氢或碳数1～6的烷基、烯基、炔基或芳基。)(式中，R3和R4各自独立地为氢或碳数1～6的烷基、烯基、炔基或芳基，X-为氟化物离子、氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子、氟硼酸根离子、磷酸根离子、乙酸根离子、三氟乙酸根离子、硫酸根离子、硫酸氢根离子、甲硫酸根离子、氢氧化物离子、高氯酸根离子或硝酸根离子。)所示的取代基的化合物组成的组。
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公开(公告)号：CN107431014A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680021359.4
申请日：2016-04-08
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C11D1/40 , C11D1/62 , C11D3/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于，提供在具有含有含碳硅氧化物(SiOC)的材料的晶圆的制造工序中用于去除晶圆表面上的SiOC的清洗液、及使用其的清洗方法。本发明的清洗液的特征在于，包含氟化合物2质量％～30质量％、属于铵盐或胺的特定阳离子性表面活性剂0.0001质量％～20质量％及水，并且pH值为0～4。
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公开(公告)号：CN107078043A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056375.2
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/04 , C11D7/38 , C11D17/08 , G03F7/42
Abstract: 根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面的光致抗蚀剂和干蚀刻残渣的清洗方法，其特征在于，所述半导体元件具有Low‑k膜和包含10原子％以上的钽的材料，所述清洗方法使用包含过氧化氢0.002～50质量％、碱土金属化合物0.001～1质量％、碱和水的清洗液。
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公开(公告)号：CN104823267B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201380062660.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/36 , C23G1/20 , C23G1/205 , G03F7/0752 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76814 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过用包含10～30质量％过氧化氢、0.005～10质量％季铵氢氧化物、0.005～5质量％氢氧化钾、0.000005～0.005质量％氨基多亚甲基膦酸、以及水的清洗液进行清洗，从而能够去除硬掩模(5)、有机硅氧烷系薄膜(6)、干法蚀刻残渣(8)以及光致抗蚀层(7)而不腐蚀低介电常数层间绝缘膜(4)、铜或铜合金等的布线材料(2)、阻隔金属层(1)以及阻隔绝缘膜(3)。另外，根据本发明的优选的方式，即使在清洗液中添加了酸的情况下也抑制铜布线的损伤、即使在清洗液添加了钛的情况下也不引起较大的过氧化氢的分解。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106796878A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055599.1
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面上的光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有低介电常数膜(Low‑k膜)和包含10原子％以上的钨的材料，所述清洗液包含碱土金属化合物0.001～5质量％、无机碱和/或有机碱0.1～30质量％、以及水。
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公开(公告)号：CN105981136A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580005638.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K13/08 , C11D1/22 , C11D1/29 , C11D1/34 , C11D1/40 , C11D1/62 , C11D1/75 , C11D1/90 , C11D1/92 , C11D3/04 , C11D3/24 , C11D3/39 , C23F11/04 , H01L21/308
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/006 , C11D1/29 , C11D1/345 , C11D3/0073 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/36 , C23G1/061 , C23G1/106 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76814
Abstract: 根据本发明，可以提供如下液体组合物：其用于从具有氮化钛、钨和低介电常数层间绝缘膜的基板去除氮化钛而不腐蚀钨和低介电常数层间绝缘膜，该液体组合物包含：(A)氧化剂，其为选自由高锰酸钾、过二硫酸铵、过二硫酸钾和过二硫酸钠组成的组中的至少一种、(B)氟化合物、和(C)钨防腐蚀剂，且pH值为0～4，前述(C)钨防腐蚀剂包含：选自由烷基胺和其盐、氟烷基胺和其盐等组成的C1化合物组中的2种以上不同的化合物，或者包含选自前述C1化合物组中的1种以上和选自由聚氧亚烷基烷基胺、聚氧亚烷基氟烷基胺等组成的C2化合物组中的1种以上，前述(A)氧化剂中的高锰酸钾的浓度为0.001～0.1质量％，前述(B)氟化合物的浓度为0.01～1质量％。
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公开(公告)号：CN104662643B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380028068.4
申请日：2013-06-06
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/768
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/044 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/308 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/76814 , H01L21/76838
Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制低介电层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物液及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液态组合物包含：0.05～25质量％的氢氧化季铵、0.001～1.0质量％的氢氧化钾、5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，0.0005～10质量％的吡唑类。
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公开(公告)号：CN103119693A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180040397.1
申请日：2011-07-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/28 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/401 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/02068 , H01L21/28079 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L29/66545
Abstract: 提供一种通过对硅自然氧化膜、进而对由硅构成的虚拟栅极进行选择性蚀刻，以高成品率制造高精度、高品质的晶体管的方法。一种晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法使用如下的结构体，具有使用规定的蚀刻液的蚀刻工序，且将虚拟栅极置换为铝金属栅极，所述结构体在基板上具有至少将高介电材料膜和由其表面具有硅自然氧化膜的硅构成的虚拟栅极层叠而成的虚拟栅极层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁、及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101755324B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200880100170.X
申请日：2008-07-03
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/34 , C23G1/04 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: C23G1/103 , C11D3/0073 , C11D3/28 , C11D3/33 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/06 , H01L21/02063 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供了一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序，其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3，5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1，2，4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种，清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外，本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。
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