公开(公告)号：CN1296981C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200310115678.6

申请日：2003-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  筱木裕之 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  久原孝一 ,  高尾幸弘 ,  山田纮士

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。

公开(公告)号：CN1881572A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610091292.X

申请日：2006-06-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  石部真三 ,  野间崇 ,  大塚久夫 ,  高尾幸弘 ,  金森宽

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。

公开(公告)号：CN1276492C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN03143065.1

申请日：2003-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置制造方法。本发明的半导体装置制造方法包括：在Si衬底(1)上形成第一氧化膜(3)，在该第一氧化膜上形成金属焊盘(2a、2b)的工序；由粘接薄膜(7)、粘接剂与薄膜、或者粘接剂粘合所述Si衬底(1)和支承该Si衬底(1)的支承衬底(8)的工序；腐蚀所述Si衬底(1)形成开口部后，在所述Si衬底(1)的下表面和所述开口部内形成第二氧化膜(10)的工序；腐蚀所述第二氧化膜(10)后形成连接在所述焊盘的配线(12)并在该配线(12)上形成导电端子(14)的工序；由所述Si衬底(1)的下表面至所述粘接薄膜(7)进行切割的工序；分离所述Si衬底(1)和所述支承衬底(8)的工序。

公开(公告)号：CN1512553A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310115678.6

申请日：2003-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  筱木裕之 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  久原孝一 ,  高尾幸弘 ,  山田纮士

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。

公开(公告)号：CN1469447A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03143065.1

申请日：2003-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种削减制造工序数量，并实现低成本化的半导体装置制造方法。本发明的半导体装置制造方法包括：在Si衬底1上介由第一氧化膜3形成金属焊盘2a、2b的工序；介由粘接薄膜7粘合所述Si衬底1和支承该Si衬底1的支承衬底8的工序；腐蚀所述Si衬底1形成开口部后，在所述Si衬底1的背面和所述开口部内形成第二氧化膜10的工序；腐蚀所述第二氧化膜10后形成连接在所述焊盘的配线12并在该配线12上形成导电端子14的工序；由所述Si衬底1的背面至所述粘接薄膜7进行切割的工序；分离所述这Si衬底1和所述支承衬底8的工序。

公开(公告)号：CN1983612B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200610166709.4

申请日：2006-12-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  冈田和央 ,  石部真三 ,  北川胜彦 ,  森田佑一 ,  大塚茂树 ,  山田纮士 ,  大久保登 ,  篠木裕之 ,  沖川满

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。

公开(公告)号：CN100446187C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510053022.5

申请日：2005-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  关嘉则 ,  和久井元明

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/544 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在制造粘贴支承体构成的半导体装置时的切削工序中谋求切削精度的提高。本发明的半导体装置的制造方法具有使刀片沿切割区域(60)移动切削粘贴了玻璃衬底(14)的半导体晶片(10)的工序，其具有以下特征。即，在半导体晶片(10)上的切割区域(60)的两侧形成相互相对的一对对准标记(51a)、(51b)。而且，在切削工序中，在使旋转刀片的位置与切割区域(60)的中心即中心线(61)对准时，利用识别相机检测对准标记(51a)、(51b)的位置，基于该检测结果求出中心线(61)，将旋转刀片的位置对准在该中心线(61)上进行切割。

公开(公告)号：CN101174572A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710197182.6

申请日：2004-08-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  北川胜彦 ,  大塚久夫 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  高尾幸弘 ,  山口惠一 ,  和久井元明 ,  饭田正则

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/13

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。

公开(公告)号：CN100367451C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200410056261.1

申请日：2004-08-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  北川胜彦 ,  大塚久夫 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  高尾幸弘 ,  山口惠一 ,  和久井元明 ,  饭田正则

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。

公开(公告)号：CN101101918A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200610103193.9

申请日：2006-07-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/148 ,  H01L23/48 ,  H01L21/82 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/10 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种搭载有感光元件的背面射入型半导体装置及其制造方法，不增加制造成本而谋求其性能的提高。在形成有感光元件(11)及其焊盘电极(13)的半导体基板(10)的表面上粘接支承体(15)。然后，蚀刻支承体(15)，形成贯通支承体(15)而露出焊盘电极(13)的通孔(16)。之后，形成与焊盘电极(13)连接，通过通孔(16)并在支承体(15)表面延伸的配线(17)。最后，通过切割将半导体基板(10)分离成多个半导体芯片(10A)。该半导体装置使支承体(15)和电路基板(30)相对而进行安装。