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公开(公告)号:CN119472167A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411088290.X
申请日:2024-08-09
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开一种抗蚀剂底层组合物以及使用所述抗蚀剂底层组合物形成图案的方法。抗蚀剂底层组合物包括聚合物、由化学式3表示的化合物及溶剂,所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的结构单元或其组合。化学式1到化学式3的定义如说明书中所述。化学式1#imgabs0#化学式2#imgabs1#化学式3(R1)x(R2)y(R3)Sn‑(R4)(3‑x‑y)。
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公开(公告)号:CN117590687A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202310623747.1
申请日:2023-05-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂底层组合物和使用抗蚀剂底层组合物形成图案的方法,所述抗蚀剂底层组合物包含聚合物、由化学式3表示的化合物以及溶剂,所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的结构单元或其组合。化学式1到化学式3的定义如说明书中所描述。[化学式1][化学式2] [化学式3]
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公开(公告)号:CN104749886B
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201410705160.6
申请日:2014-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、形成图案的方法与半导体集成电路装置。所述硬掩模组合物包含:聚合物,所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分;由以下化学式2表示的单体;以及溶剂。[化学式1a][化学式1b][化学式1c][化学式2]在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中,R1a、R1b、R4a、R4b、R2a、R2b、R5a、R5b和R3与说明书中定义的相同。
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公开(公告)号:CN110879508A
公开(公告)日:2020-03-13
申请号:CN201910837249.0
申请日:2019-09-05
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂垫层组合物和使用抗蚀剂垫层组合物形成图案的方法,所述组合物包含:聚合物,包含由化学式1-1表示的第一部分和由化学式1-2表示的第二部分中的至少一者;热酸产生剂,包含由酸衍生的阴离子和衍生自pKa大于或等于7的碱的阳离子构成的盐;以及溶剂:化学式1-1到化学式1-2的定义与具体实施方式中所描述的定义相同。[化学式1-1] ,[化学式1-2]
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公开(公告)号:CN108388079A
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201810067086.8
申请日:2018-01-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G03F7/092 , C08G59/245 , C08G59/4238 , G03F7/0392 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , H01L21/3088
Abstract: 本申请公开一种抗蚀剂垫层组成物,其包含包括由化学式1和化学式2表示的部分的聚合物和溶剂,且本申请另公开一种使用所述抗蚀剂垫层组成物形成图案的方法。化学式1和化学式2的定义与实施方式中相同。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号:CN104749886A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201410705160.6
申请日:2014-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、形成图案的方法与半导体集成电路装置。所述硬掩模组合物包含:聚合物,所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分;由以下化学式2表示的单体;以及溶剂。[化学式1a][化学式1b][化学式1c][化学式2]在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中,R1a、R1b、R4a、R4b、R2a、R2b、R5a、R5b和R3与说明书中定义的相同。
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