公开(公告)号：CN108388079B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201810067086.8

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵信孝 ,  权纯亨 ,  朴贤 ,  白载烈 ,  周范俊 ,  崔有廷 ,  韩权愚

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/115

Abstract: 本申请公开一种抗蚀剂垫层组成物，其包含包括由化学式1和化学式2表示的部分的聚合物和溶剂，且本申请另公开一种使用所述抗蚀剂垫层组成物形成图案的方法。化学式1和化学式2的定义与实施方式中相同。[化学式1][化学式2]

公开(公告)号：CN105713512A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510591897.4

申请日：2015-09-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任浣熙 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  朴银秀 ,  姜善惠 ,  金补宣 ,  金相均 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  张俊英 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16

CPC classification number: C09D183/14 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08K5/01 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。

公开(公告)号：CN112166167B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201980034252.7

申请日：2019-04-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尙兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  张俊英 ,  尹龙云

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。该蚀刻组成物执行蚀刻时，可提高相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率。

公开(公告)号：CN112680228B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202011107899.9

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  张俊英 ,  金贤贞 ,  文炯朗 ,  李智惠 ,  韩权愚 ,  黄基煜

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN107129757B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610835603.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  卢健培 ,  徐珍雨 ,  沈秀姸 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  张俊英 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D7/20 ,  C09D1/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。

公开(公告)号：CN107129757A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201610835603.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  卢健培 ,  徐珍雨 ,  沈秀姸 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  张俊英 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D7/00 ,  C09D1/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。

公开(公告)号：CN111212881A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201880066432.9

申请日：2018-02-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 卢健培 ,  郭泽秀 ,  张俊英 ,  具仑永 ,  金龙国 ,  金真教 ,  裵镇希 ,  司空峻 ,  徐珍雨 ,  沈秀妍 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了一种用于形成二氧化硅膜的组合物，该组合物含有含硅聚合物和溶剂，其中由用于形成二氧化硅膜的组合物形成的二氧化硅膜满足关系式1。关系式1的定义如说明书中的描述。

公开(公告)号：CN108388079A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810067086.8

申请日：2018-01-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵信孝 ,  权纯亨 ,  朴贤 ,  白载烈 ,  周范俊 ,  崔有廷 ,  韩权愚

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/115

CPC classification number: G03F7/092 ,  C08G59/245 ,  C08G59/4238 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3088

Abstract: 本申请公开一种抗蚀剂垫层组成物，其包含包括由化学式1和化学式2表示的部分的聚合物和溶剂，且本申请另公开一种使用所述抗蚀剂垫层组成物形成图案的方法。化学式1和化学式2的定义与实施方式中相同。[化学式1][化学式2]

公开(公告)号：CN105315679A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410779783.8

申请日：2014-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  赵娟振 ,  黄丙奎 ,  金补宣 ,  朴玺美 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  韩权愚

IPC: C08L83/16 ,  C09D1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。

公开(公告)号：CN104513613A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410487212.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  朴银秀 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  黄丙奎 ,  金相均 ,  赵娟振

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/00

CPC classification number: C09D183/16 ,  B05D3/0254 ,  B05D2518/10 ,  C01B33/126 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本发明还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。