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公开(公告)号：CN117349076A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310413837.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种被配置为与主机和非易失性存储器装置通信的存储控制器的操作方法以及存储控制器。该方法可以包括：通过对非易失性存储器装置的目标超级块的第一类型错误位的数量进行计数来产生错误计数；确定错误计数是否超过第一参考值；基于确定错误计数超过第一参考值，从非易失性存储器装置的锁存单元提取设置数据；确定设置表的参考设置数据是否与提取的设置数据匹配，参考设置数据指示关于非易失性存储器装置的设计的操作环境的信息；以及基于确定参考设置数据与提取的设置数据不匹配，将复位请求提供给锁存单元。
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公开(公告)号：CN108694989B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201810249317.7
申请日：2018-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备包括非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备在选定的存储单元的编程操作期间检测多个目标状态中的至少一个目标状态的状态通过循环的循环计数，并且基于检测到的状态通过循环的循环计数来生成指示编程操作是否成功的状态循环计数信息(SLCI)；以及存储控制器，其响应于检测到操作条件或外部命令，向非易失性存储器设备请求状态循环计数信息，并且基于来自非易失性存储器设备的状态循环计数信息，将包括选定的存储单元的存储块指派为坏块。
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公开(公告)号：CN116230033A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211539848.2
申请日：2022-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/04
Abstract: 存储设备包括非易失性存储器，每个非易失性存储器包括内部温度传感器；存储器控制器，被配置为具有为不同温度定义的多个操作命令和外部温度传感器。存储器控制器在第一频率中从外部温度传感器获得外部温度值，在不同于第一频率的第二频率中获得内部温度传感器的内部温度值，当外部温度值和内部温度值之间的差异等于或小于第一阈值时，基于外部温度值确定目标非易失性存储器的温度范围，当差异超过第一阈值时，基于内部温度值确定温度范围，并向目标非易失性存储器提供对应于温度范围的操作命令。
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公开(公告)号：CN115527590A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210253717.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/14
Abstract: 提供了一种执行安全擦除的存储设备及其操作方法。存储设备可以包括控制器，控制器被配置为控制包括多个块的非易失性存储器装置。控制器包括安全擦除控制逻辑，安全擦除控制逻辑被配置为：控制对多个块的安全擦除操作，并且响应于来自主机的针对多个块之中的第一块的安全擦除请求来执行控制操作，使得基于第一块是否处于安全擦除状态和/或劣化状态中的至少一种的确定结果来确定是否要跳过对第一块的安全擦除操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112667524A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011088888.0
申请日：2020-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/1009
Abstract: 一种存储装置的存储器管理方法，包括：在存储块中对请求写入的数据进行编程；对从存储块的最后一页编程有请求写入的数据的时间开始的经过时间进行计数；当经过时间超过阈值时，触发存储装置的垃圾收集；以及在存储块的第一干净页对通过垃圾收集所收集的有效数据进行编程。
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公开(公告)号：CN112099730A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010263658.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。
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公开(公告)号：CN112086112A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010439690.6
申请日：2020-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/04
Abstract: 一种操作包括多个非易失性存储器的存储设备的方法，多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器，该方法包括：检查是否已经达到多个非易失性存储器的预定温度检查周期；响应于检查结果，使用温度传感器监控多个非易失性存储器中的至少一些非易失性存储器的温度信息；基于监控的温度信息，通过应用温度加速条件来获得多个非易失性存储器的待机时间信息；以及基于监控的温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个，改变操作多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
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公开(公告)号：CN109493911A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811022123.X
申请日：2018-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/006 , G06F3/0653 , G06F11/073 , G06F11/0772 , G06F11/0787 , G11C29/44 , G11C29/82
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的存储器控制器的操作方法包括：从非易失性存储器件接收关于操作失败的信息，从非易失性存储器件接收锁出状态信息，基于锁出状态信息确定是否输出了锁出信号，以及根据确定结果将与关于操作失败的信息相对应的失败块确定为正常块或坏块。
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