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公开(公告)号：CN1578135A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061816.1
申请日：2004-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04B1/0057 , H04B1/26 , H04B1/406 , H04B1/44
Abstract: 提供了一种用于动态选择N个信道的开关滤波器模块。在该开关滤波器模块中，N个双信道选择滤波器的每一个通过第一至第N个信道的两个相继的频带宽度，第一至第N个信道具有预定的频带宽度，并且一个或多个2路和3路开关相互连接该双信道选择滤波器。N个双信道选择滤波器的每个被顺序地连接到其他的双信道选择滤波器的至少一个和至少一个3路开关。
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公开(公告)号：CN1534724A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03132805.9
申请日：2003-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , Y02P80/30
Abstract: 在一个实施方案中，形成覆盖在半导体基片上的相邻的导电图形。所述导电图形各有导线和封盖层。在相邻的线图形之间形成第一间隔片形成层。在封盖层的顶表面与导线的底表面之间形成所述第一间隔片形成层。在导电图形上共形地形成的第二间隔片形成层。在共形的第二间隔片形成层上形成第一层间绝缘层。接着，在第一层间绝缘层中形成开孔，所述开孔延伸到第一间隔片形成层的部分上。用第二间隔片形成层作蚀刻掩模蚀刻第一间隔片形成层的一部分，从而在导电图形的侧壁上，与接触孔同时地形成单层间隔片。
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公开(公告)号：CN119012690A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410529061.0
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括存储器单元阵列区、接触区和连接区；栅电极，其在存储器单元阵列区和连接区上，并在竖直方向上堆叠；有源层，其在存储器单元阵列区上，并在竖直方向上堆叠；以及导电连接图案，其在连接区和接触区上，并在竖直方向上堆叠，其中，有源层中的每一个包括与栅电极竖直地重叠的沟道区，栅电极电连接到导电连接图案，导电连接图案具有台阶结构，该台阶结构包括彼此隔开的台阶区，并且台阶结构具有沿第一方向逐级下降的第一台阶部分和面对第一台阶部分并沿第一方向逐级上升的第二台阶部分。
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公开(公告)号：CN115249708A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210200474.5
申请日：2022-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 一种半导体器件，包括在衬底上沿第一方向延伸的位线、与位线中两条相邻位线之间的衬底连接的下接触部、下接触部上的着接焊盘、以及围绕着接焊盘侧壁的绝缘结构，所述绝缘结构包括顶表面在比着接焊盘的顶表面低的水平处的第一绝缘图案和在第一绝缘图案的顶表面上的第二绝缘图案。
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公开(公告)号：CN111354711A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910831000.9
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 一种半导体存储器装置可包括：衬底；位线结构，其在衬底上在一个方向上延伸，位线结构包括侧壁；存储节点接触件，其位于位线结构的侧壁上；第一间隔件和第二间隔件，它们位于位线结构的侧壁与存储节点接触件之间，第一间隔件与第二间隔件通过第一间隔件与第二间隔件之间的空间分离；位线结构上的层间电介质层，层间电介质层包括底表面；间隔件封盖图案，其从层间电介质层的底表面朝着第一间隔件与第二间隔件之间的空间向下延伸；以及着陆焊盘结构，其穿过层间电介质层，着陆焊盘结构耦接至存储节点接触件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107919693A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710929676.2
申请日：2017-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H02J7/00
CPC classification number: H02J7/025 , G06F3/041 , H02J7/007 , H02J50/80 , H02J2007/0096 , H04B5/0031 , H04B5/0037
Abstract: 公开了一种用于对电池充电的电子装置及其操作方法。提供了一种电子装置，所述电子装置包括：通信电路、电池、以及处理器，所述处理器被配置为：获得通过通信电路接收到的通信信号的强度，基于通信信号的强度来确定用于对电池充电的功率的大小，并且用所确定的大小的功率对电池充电。
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公开(公告)号：CN103885240A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310710696.2
申请日：2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/1335 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F2001/133521 , G02F2001/133548 , G02F2001/133565 , G09G3/36
Abstract: 一种显示面板，从背光单元为所述显示面板提供光，所述显示面板包括：上基板；下基板，设置为面对上基板；液晶层，设置在上基板和下基板之间；下偏振层，形成于下基板的一个表面上，并且对来自背光单元的光进行偏振-滤波；上偏振层，形成于上基板的一个表面上，并且对通过液晶层的光进行偏振-滤波；以及滤色器层，形成于下基板和上基板的一个表面上，并且对光进行滤波，使得发射多种预设颜色的光，其中下偏振层、上偏振层和滤色器层分别均包括线型图案。
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公开(公告)号：CN1652493B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200410075598.7
申请日：2004-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04L1/0009 , H04L1/0003 , H04L5/0007 , H04L5/0046 , H04L5/0048 , H04L5/006 , H04L25/0226 , H04L2025/03414 , H04W52/262
Abstract: 在OFDM通信系统中用于控制AMC的方法和设备，其中整个频带被分成多个子载波频带，在该AMC控制方法中，用对于在OFDM通信系统中可用的每个编码方法的预定方法为每一个子载波计算功率和发射比特数目。根据发射比特的数目和每个子载波的功率计算每一个编码方法的数据速率。选择具有最高计算数据速率的编码方法，并且根据在该确定的编码方法中的发射比特的数目来确定调制方法。
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公开(公告)号：CN100481991C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610171401.9
申请日：2006-12-26
CPC classification number: H04L47/10 , H04L47/115 , H04L47/14 , H04L47/27 , H04L47/283 , H04W24/06
Abstract: 一种在通信网络的移动节点中估计固定节点的可用吞吐量的方法和设备。所述通信网络包括连接到与至少一个外地网络连接的路由器的固定节点以及连接到所述固定节点的移动节点。从连接到固定节点的移动节点中选择第二移动节点，所述固定节点的可用吞吐量在第一移动节点中被估计。设置连接到所述固定节点的第二移动节点的空闲时隙间隔。通过设置的空闲时隙间隔的平均值测量第二移动节点的一个时隙间隔中的传输概率。使用测量的传输概率获取第二移动节点的传输信息。使用获取的传输信息估计所述固定节点的可用吞吐量。
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