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公开(公告)号：CN115249708A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210200474.5
申请日：2022-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 一种半导体器件，包括在衬底上沿第一方向延伸的位线、与位线中两条相邻位线之间的衬底连接的下接触部、下接触部上的着接焊盘、以及围绕着接焊盘侧壁的绝缘结构，所述绝缘结构包括顶表面在比着接焊盘的顶表面低的水平处的第一绝缘图案和在第一绝缘图案的顶表面上的第二绝缘图案。
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