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公开(公告)号：CN215183859U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202120431030.3
申请日：2021-02-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。
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公开(公告)号：CN214411204U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202022807782.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面上生长有外延层；形成在所述外延层上的量子点传输层；形成在所述量子点传输层上的栅氧层。如此设置，本申请提供的半导体器件，其能够在保证栅极可靠性地基础上降低Vth。
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公开(公告)号：CN213752715U
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202022333807.0
申请日：2020-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管包括第一和第二元胞，它们共同包括漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，第一元胞还包括第一深阱区、第二深阱区、第一浅阱区、第二浅阱区、第一源区、第二源区、第一栅氧化层和第一多晶硅栅极，第二元胞还包括第三深阱区、第四深阱区、第三浅阱区、第四浅阱区、第二栅氧化层、第三栅氧化层、第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极。该晶体管不但可以保证自身具有短路电流密度低、短路耐量高和短路时间长等优点，而且可以在降低体二极管正向压降的同时降低肖特基二极管的反向漏电流。
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公开(公告)号：CN213212150U
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202022753353.2
申请日：2020-11-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种快封结构以及芯片封装结构，该快封结构包括：快封本体和引脚结构，所述快封本体具有用于容纳芯片结构的封装腔，且所述快封本体设有至少一个连接部；所述至少一个连接部中的每个连接部具有用于与所述芯片结构电连接的第一连接区域和用于与所述引脚结构连接的第二连接区域，所述引脚结构与至少所述一个连接部之间可拆卸连接。本实用新型提供的快封结构可根据产品的封装以及测试需求在连接部上安装或者拆卸引脚结构，该引脚结构可以反复使用、更加环保，同时，可以降低整个快封过程的成本。
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公开(公告)号：CN212230414U
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202020729244.4
申请日：2020-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型提出了一种贴片元器件的封装结构，所述封装结构的引脚的焊接平面凹进所述封装结构的底面内以形成焊料储存槽。本实用新型的贴片元器件的封装结构的的引脚的焊接平面凹进所述封装结构的底平面内，使得引脚的焊接平面与周围结构形成焊料储存槽，多余的焊料可以储存或隐藏在焊料储存槽内，位于焊料储存槽周围的封装结构的底面形成为绝缘隔栅，可以有效避免引脚短路现象，降低生产过程中的不良率。本实用新型还提出了一种包括上述封装结构的贴片元器件及电子设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212113686U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202020348296.7
申请日：2020-03-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及封装结构技术领域，具体涉及一种封装结构，该封装结构，包括：半导体模块和包封于所述半导体模块外侧的硅胶层；本实施例采用固化后具有弹性的硅胶层代替现有技术的环氧树脂塑封料，从而实现当外界温度发生变化时，固化后具有弹性的硅胶层在热胀冷缩的过程中不会对芯片造成损伤，最终保证芯片性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN212010950U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202021008548.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/40
Abstract: 本实用新型涉及通信领域，公开一种功率器件散热装置，包括：功率器件；用于给功率器件散热的散热器；连接组件，连接组件一端与散热器连接，另一端与功率器件背离散热器一侧抵接。上述功率器件散热装置中功率器件上不再开设螺纹孔，散热器通过连接组件与功率器件连接，具体地，连接组件一端与散热器连接，另一端与功率器件背离散热器一侧抵接，即连接组件将功率器件压紧在散热器上，从而避免了在功率器件上开设螺纹孔。因此，上述功率器件散热装置通过无螺纹孔的功率模块与散热器的固定结合结构，依靠特有的连接组件实现了功率器件的无螺纹孔安装，从而增大了功率器件的引线框架或者功率器件中封装基板的固焊区域，提升了功率器件的尺寸利用率。
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公开(公告)号：CN211957687U
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202020762459.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 涉及集成电路技术领域，本申请公开一种热电堆芯片，包括衬底、支撑层及位于所述支撑层的热电偶，支撑层设置有红外吸收层，所述衬底对应所述红外吸收层刻蚀有空穴，热电堆芯片还设置用作电极焊点的凹槽，凹槽从所述衬底延伸至所述支撑层，凹槽设置两个，且两个凹槽分别位于所述空穴的相对两侧，衬底厚度在20μm至30μm之间，所述支撑层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，氮化硅膜厚度5μm-10μm，所述红外吸收层为碳化的光刻胶层，热电偶中的一支半导体为多晶硅条，所述热电偶中的一支半导体为铝条，本方案提供一种贴片式的热电堆芯片，解决现有引脚式芯片中引脚分压影响传感器校准精度的技术问题，提高芯片的封装效率，扩大芯片的应用范围。
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公开(公告)号：CN211629106U
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202020184286.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块上下桥芯片叠层布局结构以及功率模块，芯片叠层布局结构包括沿着竖直方向从上到下部分重叠设置的下桥芯片与上桥芯片，所述下桥芯片下表面的集电极与所述上桥芯片上表面的发射极互相连接。通过将上下桥芯片在竖直方向上进行三维的叠层布局，减小了上下桥芯片在功率模块中占用的二维平面上的面积，进而有效减小了整个模块的面积与体积；同时，上下桥芯片的叠层布局缩短了二者间的导电路径，提高了电性能。功率模块包括了上述芯片叠层布局结构，进而也具备其所具备的优点。
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公开(公告)号：CN211429641U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201922248723.4
申请日：2019-12-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种元器件和PCB线路板，所述元器件包括本体、至少一个引脚部和固定孔，所述本体上设置有至少一个引脚连接孔，所述引脚部设置在所述引脚连接孔内，并延伸出所述引脚连接孔外，所述固定孔设置在所述本体上，用于固定所述本体，其中，所述引脚部构造为顶针结构。本实用新型无需高温焊接，可以有效避免短路和接触不良，同时方便安装和更换。
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