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公开(公告)号：CN103958439B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280057788.9
申请日：2012-11-27
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1873 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B35/50 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3291 , C04B2235/3296 , C04B2235/768 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , H01L41/0477 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/43
Abstract: 本发明提供一种适合在高温环境下的使用的压电器件和压电陶瓷组合物。该压电器件具有将包含钙钛矿组合物和Ag成分的压电陶瓷组合物烧制而得到的压电陶瓷层；和夹着该压电陶瓷层的导体层，压电陶瓷层中，在钙钛矿组合物的烧结体中的空隙偏析有Ag。压电陶瓷组合物优选含有由(Pba·Rex){Zrb·Tic·(Ni1/3Nb2/3)d·(Zn1/3Nb2/3)e}O3[式中，Re是La和/或Nd，a～e、x满足下列的条件，即：0.95≤a≤1.05、0≤x≤0.05、0.35≤b≤0.45、0.35≤c≤0.45、0＜d≤0.10、0.07≤e≤0.20、b+c+d+e＝1]表示的钙钛矿组合物和Ag成分，该Ag成分按氧化物换算相对于钙钛矿组合物优选含有0.05～0.3质量％。
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公开(公告)号：CN103360066B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310273420.2
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式（1）：（PbxLay）（ZrzTi（1－z））Ｏ3（式（1）中0.9＜x＜1.3、0≦y＜0.1、0≦z＜0.9）表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式（2）CnH2n＋1COOH（其中，3≦n≦7）表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P（磷）、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y（钇）的1种或2种以上。
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公开(公告)号：CN104446463A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410553563.3
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物，是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的，式(1)中0.9
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公开(公告)号：CN104073758A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410350628.4
申请日：2014-07-22
Applicant: 中国人民解放军装甲兵工程学院
CPC classification number: H01L41/1875 , C23C4/06 , C23C4/134 , C23C28/021 , C23C28/027 , G01L1/16 , G01L5/0019 , G01M5/0033 , G01M99/00 , G01N3/36 , G01N27/041 , G01N29/24 , G01N2203/0623 , H01L41/0805 , H01L41/314
Abstract: 本发明提供了一种钛酸铅涂层及其制备方法，该方法将混合粉料喷涂在基体表面，经极化，得到钛酸铅涂层；所述混合粉料包括PbTiO3粉、PbO粉和Al粉。钛酸铅(PbTiO3)是一种铁电性材料，可用于制备压电传感器，而本发明又加入PbO粉和Al粉，可改善钛酸铅涂层的压电性能。本发明制备的这种涂层能与基体紧密结合，压电信号强度高，因而可被广泛应用在机械零件如活塞环、气缸和齿轮等上，用来更好地动态监测零件的服役情况。
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公开(公告)号：CN102046563B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200980119294.7
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/49 , C01G25/00 , C04B35/46 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中，3≤n≤7)表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102113144B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200980129916.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/316 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C04B35/49
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1646 , C04B35/49 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 提供一种具有含Pb的压电膜的压电器件，该压电膜的耐久性得到改善并且没有降低压电性质。压电器件(1)在基板(11)上以下列顺序具有下部电极(12)；压电膜(13)，其包含由下面的通式(P)表示的含Pb的钙钛矿氧化物；以及上部电极(14)，其中烧绿石氧化物层(13p)的平均层厚度Th不大于20nm。通式(P)：AaBbO3，其中，A：至少一种类型的包含Pb作为主要组分的A位元素，B：至少一种类型的B位元素，所述B位元素选自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe和Ni组成的组，以及O：氧元素。
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公开(公告)号：CN102113144A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129916.4
申请日：2009-07-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1646 , C04B35/49 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 提供一种具有含Pb的压电膜的压电器件，该压电膜的耐久性得到改善并且没有降低压电性质。压电器件(1)在基板(11)上以下列顺序具有下部电极(12)；压电膜(13)，其包含由下面的通式(P)表示的含Pb的钙钛矿氧化物；以及上部电极(14)，其中烧绿石氧化物层(13p)的平均层厚度Th不大于20nm。通式(P)：AaBbO3，其中，A：至少一种类型的包含Pb作为主要组分的A位元素，B：至少一种类型的B位元素，所述B位元素选自由Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe和Ni组成的组，以及O：氧元素。
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公开(公告)号：CN101490316A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026986.8
申请日：2007-07-13
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: C30B29/32 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C04B35/46 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316
Abstract: 一种压电物质，其由ABO3制成的钙钛矿型结构的氧化物制成，其中A的主要组分是Pb，B的主要组分含有Nb、Mg、Zn、Sc、Cd、Ni、Mn、Co、Yb、In以及Fe中的至少两种元素以及Ti，其特征在于是具有四方晶的a晶畴和c晶畴的单轴取向晶体或单晶体。
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公开(公告)号：CN100443303C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510052152.7
申请日：2005-02-25
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置，该电介质元件在上部电极层和下部电极层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
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公开(公告)号：CN101258620A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032356.7
申请日：2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供了一种压电膜、一种压电膜元件、一种使用该压电膜元件的液体排出头和一种液体排出装置。通过使用由根据通式ABO3构成的钙钛矿复合氧化物所组成的外延氧化物膜作为压电膜而得到压电膜元件，该压电膜元件可适用于液体排出头的排出压力生成元件。该外延氧化物膜至少具有相对于彼此具有晶向偏离的A晶畴和B晶畴。A晶畴和B晶畴之间的晶向偏离小于2°。
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