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公开(公告)号：CN102224572A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980146889.1
申请日：2009-09-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67213 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/0216 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , Y10T279/23
Abstract: 本揭示案的液体输送机制提供一种供单一运动轴中使用的解决方案，其允许在较宽温度范围内将一或多个流体流动路径连接至真空环境中。所述机制不使用尤其在非常低的温度下容易疲劳的可挠性管道。在一实施例中，管在经密封活塞内轴向移动以允许液体输送。在第二实施例中，使用波纹管来提供所需功能性。在另一实施例中，有可能藉由利用两个或两个以上经适当组态的机制来达成两个或两个以上运动轴中的移动。
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公开(公告)号：CN107110799A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201480084213.5
申请日：2014-12-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: G01N23/225
CPC classification number: H01J37/28 , G01N23/203 , G01N23/2251 , G01N23/2252 , G01N2223/61 , H01J37/145 , H01J37/16 , H01J2237/0216
Abstract: 描述一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的设备。所述设备包含：真空腔室；基板支撑件，布置在真空腔室中，其中基板支撑件被配置成用于支撑用于显示器制造的大面积基板；以及第一成像带电粒子束显微镜，被配置成用于产生用于检查由基板支撑件支撑的基板的带电粒子束，其中第一成像带电粒子束显微镜包含物镜的减速场透镜部件。
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公开(公告)号：CN105874560A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071806.8
申请日：2014-11-14
Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/065
CPC classification number: G21K1/02 , G21K5/04 , H01J37/026 , H01J37/065 , H01J37/12 , H01J37/16 , H01J37/24 , H01J37/3002 , H01J37/3007 , H01J37/3174 , H01J37/3175 , H01J37/3177 , H01J2237/002 , H01J2237/0216 , H01J2237/024 , H01J2237/032 , H01J2237/04 , H01J2237/1215 , H01J2237/16 , H01J2237/1825 , H01J2237/303 , H01J2237/30472
Abstract: 本发明涉及一种准直器电极，其包括设置有中心电极孔(82)的电极主体(81)，其中所述电极主体限定介于两个相反的主要表面之间的电极高度，并且其中所述电极主体在所述电极主体内部容纳用于传送冷却液体(102)的冷却导管(105)。所述电极主体优选地具有圆盘形状或扁圆环形状。本发明还涉及一种适用于带电粒子束产生器的准直器电极堆叠，其包括：第一准直器电极和第二准直器电极，其各自设置有用于传送所述冷却液体(102)的冷却导管(105)；以及连接导管(110)，其用于所述第一及第二准直器电极的所述冷却导管之间的液体连接。
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公开(公告)号：CN105590822A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510768953.7
申请日：2015-11-12
Applicant: FEI公司
IPC: H01J37/26
CPC classification number: H01J37/265 , H01J37/02 , H01J2237/0216 , H01J2237/16 , H01J37/268 , H01J2237/28
Abstract: 本发明涉及具有气压修正的带电粒子显微镜。一种使用带电粒子显微镜的方法，包括以下步骤：在样品保持器上提供样品；引导来自源的带电粒子的射束通过照明器从而照射样品；使用检测器来检测响应于所述照射而从样品发出的辐射通量，特别地包括以下步骤：为显微镜提供气压传感器；从所述气压传感器为自动控制器提供压强测量信号；调用所述控制器以使用所述信号作为到控制程序的输入，以基于所述信号来补偿所述射束和所述样品保持器的相对位置误差。
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公开(公告)号：CN105185674A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201410269131.X
申请日：2014-06-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J37/20 , B82Y40/00 , C25D5/48 , C25D5/54 , C25D7/00 , H01J37/26 , H01J2237/0216 , Y10S977/742
Abstract: 本发明涉及一种透射电镜微栅的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面；在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层；及刻蚀所述第一金属层及第二金属层，形成多个第一通孔及第二通孔相对设置于所述碳纳米管层的第一表面及第二表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103597571B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201280027699.X
申请日：2012-05-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/09 , H01J37/20 , H01J2237/0216 , H01J2237/26
Abstract: 本发明提供一种带电粒子装置，其具有筒形的镜筒(10)、设于该镜筒内部的带电粒子线光学系统、设于该镜筒的试料台(103)、以及支承所述镜筒的支承装置(211、212)。所述支承装置具有在沿所述镜筒的轴线方向设定的多个支承点对所述镜筒进行简支的简支构造，所述镜筒的支承点被设定在如下位置：将所述镜筒视为两端为自由端的梁时的、与梁的振动的波节的位置对应的位置。由此，能够不增加镜筒自身的重量，使镜筒高刚性化，使作用于镜筒的振动降低。
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公开(公告)号：CN102312189B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110183672.7
申请日：2011-07-01
CPC classification number: C23C14/12 , C03C17/002 , C23C14/042 , C23C14/54 , H01J2237/0216
Abstract: 本发明涉及成膜装置。提供能够减少可传送到对准机构的振动和变形并由此抑制在表面方向上的基板和掩模之间的不对准的成膜装置。所述成膜装置包括：成膜室；对准机构支撑部件；和设置在对准机构支撑部件上的对准机构，其中：对准机构支撑部件包含用于放置对准机构的支撑板、和腿部；支撑板被设置为借助于腿部与成膜室的顶板分开；并且，支撑板的至少一部分由能够将传送到支撑板的振动转换成热能而由此抑制振动的阻尼材料形成。
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公开(公告)号：CN102312189A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110183672.7
申请日：2011-07-01
CPC classification number: C23C14/12 , C03C17/002 , C23C14/042 , C23C14/54 , H01J2237/0216
Abstract: 本发明涉及成膜装置。提供能够减少可传送到对准机构的振动和变形并由此抑制在表面方向上的基板和掩模之间的不对准的成膜装置。所述成膜装置包括：成膜室；对准机构支撑部件；和设置在对准机构支撑部件上的对准机构，其中：对准机构支撑部件包含用于放置对准机构的支撑板、和腿部；支撑板被设置为借助于腿部与成膜室的顶板分开；并且，支撑板的至少一部分由能够将传送到支撑板的振动转换成热能而由此抑制振动的阻尼材料形成。
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公开(公告)号：CN100397572C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN03159790.4
申请日：2003-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: H01J37/3175 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/0216 , H01J2237/15
Abstract: 一种电子束聚焦设备在电子束投影光刻系统中控制由发射器发射的电子束的路径，该设备有：顶部磁铁和底部磁铁，放在装晶片真空室的上面和下面，顶部磁铁和底部磁铁产生真空室内的磁场；上部磁极片和下部磁极片，从真空室顶部和底部伸出，与顶部磁铁和底部磁铁磁性地接触；及上部环形伸出部和下部环形伸出部，从上部磁极片和下部磁极片相互面对的表面上伸出。所述光刻系统包括：围出一放置一晶片空间的真空室；发射器，它在真空室内以预定距离对着晶片分开地设置，发射电子束到晶片上；及有上述结构的电子束聚焦设备。电子束聚焦设备及使用该设备的所述影光刻系统能在晶片和电子束发射器之间提供均匀的电/磁场并减小由于真空室振动引起的电子束路径的弯曲。
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公开(公告)号：CN1527358A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03159790.4
申请日：2003-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: H01J37/3175 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/0216 , H01J2237/15
Abstract: 一种电子束聚焦设备在电子束投影微影系统中控制由发射器发射的电子束的路径，该设备有：顶部和底部磁铁，放在装晶片真空室的上面和下面，顶部和底部磁铁产生真空室内的磁场；上部和下部磁极片，从真空室顶部和底部伸出，与底部和底部磁铁磁性地接触；及上部和下部环形伸出部，从上部和下部磁极片相互面对的表面上伸出。所述微影系统包括：围出一放置一晶片空间的真空室；发射器，它在真空室内以预定距离对着晶片分开地设置，发射电子束到晶片上；及有上述结构的电子束聚焦设备。电子束聚焦设备及使用该设备的所述影微影系统能在晶片和电子束发射器之间提供均匀的电/磁场并减小由于真空室振动引起的电子束路径的弯曲。
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