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公开(公告)号:CN117706690A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311754616.3
申请日:2023-12-18
Applicant: 鹏城实验室
IPC: G02B6/293 , G02B6/126 , G02B6/122 , G02B6/10 , G02B6/12 , G02B6/35 , G02B27/28 , G02B27/30 , G02B27/09
Abstract: 本发明提出一种偏振分集模块和波长选择开关装置,其中,偏振分集模块包括光波导芯片,光波导芯片包括若干并排的光波导;光波导包括相背设置的入射端和出射端,出射端包括在垂直于入射端至出射端的方向上并排设置的第一端部和第二端部,若干光波导在垂直于入射端至出射端的方向上并排设置;入射端用于接收光信号,光信号包括水平偏振光分量和垂直偏振光分量;光波导用于将水平偏振光分量输出至第一端部;光波导用于对垂直偏振光分量进行偏振旋转,以使其转化为水平偏振光分量,并输出至第二端部。本申请的技术方案,能够降低偏振分集模块的装配难度,提高偏振分集模块的生产效率。
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公开(公告)号:CN117675027A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311652423.7
申请日:2023-12-04
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开了一种非线性补偿均衡方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:根据星座点功率确定接收信号中的目标符号的非线性畸变程度,根据非线性畸变程度确定目标符号对应的均衡神经网络,非线性畸变程度越高,对应的均衡神经网络的尺寸越大,将目标符号输入至对应的均衡神经网络中进行非线性补偿均衡。由于本发明通过自适应分割星座点将具有不同畸变程度的星座点送入不同的均衡网络中分别处理,对于畸变小的星座点,尺寸较小的神经网络就能取得良好的均衡效果,从而降低后均衡算法的总计算量,具有较大的应用前景。
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公开(公告)号:CN117348165A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202311350537.6
申请日:2023-10-18
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开一种波长选择开关及可重构光分插复用器,所述波长选择开关,包括光纤阵列、光纤准直器阵列功能组件、偏振分离功能组件、偏振旋转功能组件、曲面反射镜功能组件、柱透镜功能组件、棱栅功能组件、以及控制引擎;其中,所述光纤准直器阵列功能组件、所述偏振分离功能组件、所述偏振旋转功能组件、所述曲面反射镜功能组件、所述柱透镜功能组件、所述棱栅功能组件的至少其中之一包括超表面结构,所述超表面结构包括衬底、以及布设于所述衬底的金属或电介质微结构阵列。本技术方案,提高波长选择开关的性能、减小波长选择开关的体积。
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公开(公告)号:CN117335267A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202311267902.7
申请日:2023-09-26
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开一种光电集成激光器,涉及集成光电子器件技术领域,本光电集成激光器包括层叠设置的硅基芯片层和VCSEL芯片层,所述硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜,所述VCSEL芯片层所发出的光通过所述超构透镜后进行整形,然后进入所述硅基芯片层。本发明光电集成激光器通过在硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜,可以对VCSEL芯片层的出射光进行调整,减小其模斑,并改变其发散角,从而提高耦合效率。
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公开(公告)号:CN116827430A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202310884389.X
申请日:2023-07-18
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H04B10/079
Abstract: 本发明提供一种光谱信号监测器、光谱信号监测方法、设备及存储介质,该光谱信号监测器通过第一耦合模块将待监测光网络信号发送至第一信号调节模块;第一信号调节模块将待监测光网络信号进行第一光谱整形,获得第一光网络信号;信道拓展模块将原始信道进行拓展以获得预设数量的传输信道,并基于传输信道将第一光网络信号发送至第二信号调节模块;第二信号调节模块将第一光网络信号进行第二光谱整形,获得目标光网络信号;第二耦合模块获取各个传输信道对应的电流响应信号并结合传输函数,确定待监测光网络信号的光谱重构值。由于发明对待监测光网络信号进行分辨率调节,且各个信道同时进行信号获取,能够得到精准的光谱重构值。
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公开(公告)号:CN116742469A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310853423.7
申请日:2023-07-11
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开了一种多材料体系光电集成平台及其制备方法,属于光电集成技术领域,包括自下而上依次设置的绝缘体衬底、二氧化硅过渡层、硅器件层、氮化硅器件层,以及覆盖硅器件层和氮化硅器件层的二氧化硅包层;硅器件层上集成有锗硅光电探测器、III‑V族材料激光器和硅‑氮化硅波导耦合器;氮化硅器件层上集成有铌酸锂光电调制器和氮化硅无源光子器件;第一电器件位于铌酸锂光电调制器上方,通过互连金属与铌酸锂光电调制器互连;第二电器件位于锗硅光电探测器上方,通过互连金属与锗硅光电探测器互连。本发明采用绝缘体材料作为衬底,结合多材料体系发挥各自优势的特点,可以满足多功能、高性能的光电集成需求。
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公开(公告)号:CN115877630A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211736245.1
申请日:2022-12-30
Applicant: 鹏城实验室 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种倍频结构及倍频装置,倍频结构包括沿基波入射方向交替排布的第一晶体和第二晶体,其中,第一晶体具有二阶非线性,第二晶体不具有二阶非线性;本申请通过周期性排布第一晶体和第二晶体,可以实现基频与倍频光传输方向上的非线性系数周期性变化,实现准相位匹配,以达到频率变换的要求,且不需要控制第一晶体和第二晶体的尺寸,转换波长的范围较宽,更加容易实现。
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公开(公告)号:CN120010056A
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202510497400.6
申请日:2025-04-21
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开了一种光栅耦合器,涉及光栅耦合器技术领域,其中,光栅耦合器包括波导芯层和衬底层,波导芯层设有光栅部,光栅部用于接收外部光纤耦入的光线,以使光线耦入波导芯层,并通过波导芯层传输;衬底层设于波导芯层背离外部光纤的一侧,衬底层设有反射结构,反射结构与光栅部相对设置,用于反射自波导芯层散射至衬底层的光线,以使光线通过光栅部耦入波导芯。本发明的技术方案,能够提高光栅耦合器的耦合效率。
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公开(公告)号:CN119247640A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411522380.5
申请日:2024-10-29
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器及其制备方法、电光元件,涉及光电子技术领域,其中,电光调制器包括基层、第一功能层以及第二功能层;所述第一功能层设于所述基层的一侧,所述第一功能层的背离所述基层的一侧设有波导层和调制层的至少其一;所述第二功能层包覆于所述第一功能层,所述第二功能层背离所述第一功能层的一侧设有电极结构,以使所述电极结构和所述第一功能层相互隔离;本发明的技术方案,能够提高电光调制器的调制效率。
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公开(公告)号:CN118151416A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410405701.7
申请日:2024-04-07
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域,公开了一种极简推挽差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片,该芯片第一行波电极和第二行波电极与波形发生器连接,上臂波导和下臂波导均设于第一行波电极和第二行波电极之间。本发明波形发生器将微波信号转换为由正向信号和负向信号构成的差分信号;波形发生器将正向信号传输至第一行波电极,将负向信号传输至第二行波电极,以在第一行波电极和第二行波电极之间产生差分电场;上臂波导与下臂波导在差分电场中形成双端推挽结构,且极化方向相反。本发明通过将微波信号转换为差分信号在第一行波电极和第二行波电极之间形成差分电场,无需增加芯片长度便能够使驱动电压达到足够低的水平,有效提升了电光调制器的性能。
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