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公开(公告)号：CN115007854A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210805672.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
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公开(公告)号：CN113042049B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110287345.X
申请日：2021-03-17
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体光催化剂及其制备方法和应用，属于光电催化剂技术领域。该半导体光催化剂由ReS2与泡沫Cu2O/Cu复合而成，该催化剂能够在光照下提升光生载流子的分离速度，从而提升光催化还原CO2的效率，对解决CO2过多排放所造成的环境问题和能源危机具有良好实际应用前景，且该催化剂合成方法简单，易操作，对设备要求不高，低成本，低能耗，适合扩大化生产。
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公开(公告)号：CN113975946A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111274410.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种等离子体与光催化剂协同转化二氧化碳的方法，属于二氧化碳综合利用领域。方法主要是：在等离子体电源功率为60W的等离子体催化装置中，加入0.01g的光催化剂，以50mL/min的流速通入CO2，并进行等离子体放电反应10min，将CO2还原成CO。本发明的优点是：工艺简单，操作简便，成本低，有益于工业化生产。
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公开(公告)号：CN116947739A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310447019.X
申请日：2023-04-23
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C07D211/56 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及一种有机无机杂化新型无铅钙钛矿晶体的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿材料制备技术领域。本发明主要是以四氨基哌啶(4amp)、氯化锌(ZnCl2)粉末和三氯化锑(SbCl3)为原料，在盐酸存在下在可控温烘箱中进行反应。不同于(4amp)2ZnCl4在365nm紫外光波长的激发光下发出蓝光)，本发明制备得到的钙钛矿晶体(Sb3+:(4amp)2ZnCl4微晶)掺杂Sb3+后经过365nm的紫外光激发后发出粉红色光，且具有晶体稳性好、发光特性优异的特点；另外本发明的制备方法简单、易操作、对设备要求不高、低成本、低能耗，适合扩大化生产。
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公开(公告)号：CN114891254B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210769653.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种新型钙钛矿薄膜的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿薄膜制备技术领域。一种新型钙钛矿薄膜((TEA)2ZrCl6@PDMS薄膜)的制备方法，主要是以四乙基氯化铵、四氯化锆粉末和聚二甲基硅氧烷为原料制备新型钙钛矿薄膜((TEA)2ZrCl6@PDMS薄膜)，将四乙基氯化铵和四氯化锆粉末制备得到的(TEA)2ZrCl6小单晶粉末混合在具有柔性特点的聚二甲基硅氧烷中，使制备得到产物薄膜既具备(TEA)2ZrCl6在254nm紫外光波长的激发光下发出蓝光的特性，也具有PDMS的柔性特点，最终得到的薄膜具有稳定、柔性好、发光好的特点；并且该制备方法简单、易操作、对设备要求不高、低成本、低能耗，适合扩大化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115041200B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210892359.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种转化二氧化碳的光催化剂及其制备方法和应用，属于二氧化碳转化技术领域。本发明公开了一种转化二氧化碳的光催化剂，该光催化剂是以二硫化铼(ReS2)纳米材料为生长基底，然后将Cs2PtI6生长在二硫化铼(ReS2)纳米材料表面形成的Cs2PtI6/ReS2复合材料，本发明的光催化剂能够在可见光照射下催化二氧化碳的转化，且制备方法简单、重复性高、不需要复杂的反应控制条件，可进行大批量生产，有利于该光催化剂的工业化应用。
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公开(公告)号：CN115007854B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210805672.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
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公开(公告)号：CN114927569A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210553866.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入区、P+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、N‑buffer区、金属衬底电极、金属集电极、金属发射极、栅极氧化层和多晶硅沟槽栅。本发明基于高可靠性的N型4H‑SiC衬底，深入漂移区的氧化层沟槽在器件正向阻断时辅助耗尽漂移区、同时减小了发射极和集电极之间的寄生电容；延伸到P‑epi层的沟槽栅结构提高了器件的栅氧可靠性，并且与其他器件隔离，简化了制造工艺。
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公开(公告)号：CN114891254A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210769653.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种新型钙钛矿薄膜的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿薄膜制备技术领域。一种新型钙钛矿薄膜((TEA)2ZrCl6@PDMS薄膜)的制备方法，主要是以四乙基氯化铵、四氯化锆粉末和聚二甲基硅氧烷为原料制备新型钙钛矿薄膜((TEA)2ZrCl6@PDMS薄膜)，将四乙基氯化铵和四氯化锆粉末制备得到的(TEA)2ZrCl6小单晶粉末混合在具有柔性特点的聚二甲基硅氧烷中，使制备得到产物薄膜既具备(TEA)2ZrCl6在254nm紫外光波长的激发光下发出蓝光的特性，也具有PDMS的柔性特点，最终得到的薄膜具有稳定、柔性好、发光好的特点；并且该制备方法简单、易操作、对设备要求不高、低成本、低能耗，适合扩大化生产。
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公开(公告)号：CN114890444A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210615270.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种制备无铅含Te双钙钛矿微米晶的反溶剂制备方法及其产品，属于双钙钛矿微米晶制备技术领域。本发明公开了一种制备无铅含Te双钙钛矿微米晶的反溶剂制备方法，主要是以CsCl、TeCl4和甲醇为原料制备无铅含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)。本发明的反溶剂制备方法具有简单、易操作的优点，制备过程中对设备要求不高、低成本、低能耗，适合扩大化生产；同时制备得到的无铅含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)结构极其稳定、尺寸均匀、有较强的吸收能力，具有稳定好和发光好的特点，具有良好的应用前景。
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