一种硅酸三钙粉体的制备方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115092940A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210780727.0

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明属于水泥基建材料技术领域,公开一种硅酸三钙粉体的制备方法,包括以下步骤:以CaCO3粉体、SiO2粉体为制备原料,经混合处理,获得组分均匀的混合粉体;将获得的混合粉体预压制坯,获得坯料;将获得的坯料于1200~1500℃的温度下烧结处理0.5~1.5h,即获得硅酸三钙;所述烧结处理采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结。本发明采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结制备硅酸三钙,利用微波和微波耦合外热源的共同作用可实现坯体内外的快速烧结,混合加热机制在低温下使样品更容易加热,而在高温下可保证样品稳定加热,有效的降低了硅酸三钙的合成时间与合成温度,提高了合成纯度与效率。

    一种Cu/SiO2-Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113930634B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202111108563.9

    申请日:2021-09-22

    Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域,公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法,所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物,制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶,随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉,混合均匀后将其于800~950℃温度下进行热压烧结,即获得金属基复合材料;其中,所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01~0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相,通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角,改善界面结合状态、力学性能及电学性能;且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa;0~200℃电导率不随测试温度改变而变化,200~400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加,400~900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。

    一种氧化锆/氧化铝陶瓷复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113416064A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110430562.X

    申请日:2021-04-21

    Abstract: 本发明涉及一种氧化锆/氧化铝陶瓷复合材料及其制备方法,属于氧化铝陶瓷技术领域。本发明的氧化锆/氧化铝陶瓷复合材料的制备方法,包括以下步骤:将3Y‑ZrO2和Al2O3的混合粉体进行真空热压烧结,冷却,即得;所述混合粉体中3Y‑ZrO2和Al2O3的质量比为15~65:100。本发明的氧化锆/氧化铝陶瓷复合材料的制备方法,由于采用了热压烧结技术,压力促进材料烧结制备过程中闭气孔的排出,在较短时间或较低温度下能够实现较高致密度,优化材料界面性能,进而显著提高氧化锆/氧化铝陶瓷复合材料的摩擦磨损等性能。

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