公开(公告)号：CN103093810B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310013602.6

申请日：2013-01-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林志和 ,  李思翰 ,  林文斌 ,  许世玄

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C7/1072 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0047 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0076

Abstract: 一种电阻式存储器装置，包括存储器阵列、读取电路、写回逻辑电路以及写回电路。读取电路读取一被选择的存储器单元内所存储的数据，并产生第一控制信号。写回逻辑电路根据第一控制信号与第二控制信号产生写回控制信号。写回电路根据写回控制信号以及一写回电压对被选择的存储器单元执行写回操作，使得被选择的存储器单元的一电阻状态由一低电阻状态转换为一高电阻状态，并且根据被选择的存储器单元的电阻状态产生第二控制信号。

公开(公告)号：CN105304607B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410530860.6

申请日：2014-10-10

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 李思翰 ,  林志昇

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F2027/2809 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种三维对称型垂直变压器包括主线圈的第一与第二路径位于对称线的不同侧。第一与第二路径的第一端分别为主线圈的第一端与第二端。第一与第二路径的第二端相互连接。第一路径的二部份路径以硅穿孔相互连接。第二路径的二部份路径以硅穿孔相互连接。变压器的副线圈的第三与第四路径位于对称线的不同侧。第三与第四路径的第一端分别为副线圈的第一端与第二端。第三与第四路径的第二端相互连接。第三路径的二部份路径以硅穿孔相互连接。第四路径的二部份路径以硅穿孔相互连接。

公开(公告)号：CN103904136A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310516070.8

申请日：2013-10-28

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 李思翰 ,  曾珮玲 ,  林哲辉 ,  林志昇

IPC: H01L29/92

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭露一种变容器。一基底具有第一表面与第二表面以及位于上述基底的第一开口以及第二开口。一导电材料填充于上述第一与第二开口，以分别形成一第一晶圆穿孔以及一第二晶圆穿孔。一第一电容耦接于上述第一晶圆穿孔以及一第一端点之间。一第二电容耦接于上述第二晶圆穿孔以及一第二端点之间。上述第一晶圆穿孔以及上述第二晶圆穿孔之间的一空乏区电容的电容值是由施加于上述第一以及第二晶圆穿孔的一偏压电压所决定。