一种适用于处理器系统单粒子软错误脆弱点识别方法

    公开(公告)号:CN103678123B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310637395.1

    申请日:2013-11-29

    Abstract: 一种适用于处理器系统单粒子软错误脆弱点识别方法,基于单粒子软错误的防护设计对系统性能和资源的影响,建立脆弱点识别模型分析防护的重要性功能模块。通过编译指令的工作原理,从设计的代码级划分元电路节点(完成预编译代码或者指令序列的特定功能/子功能模块),由编译映射关系从指令级提取元电路节点脆弱性因素,进行等级论域划分,最终利用灰度系统理论对元电路节点的脆弱因素等级划分的不确定区间(灰度区间)进行可信度评估,并按照等级可信度排序得到计算结果。本发明可为处理器系统提供简便的脆弱性分析方法,实现可靠性的前提下减少系统代价和性能损失、提高系统防护效果的目的。

    一种抗单粒子闩锁效应的标准单元设计方法

    公开(公告)号:CN103886158A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410126616.3

    申请日:2014-03-31

    Abstract: 一种抗单粒子闩锁效应的标准单元设计方法,步骤如下:(1)在标准单元版图中进行阱接触保护带设计,即在标准单元版图中与阱接触相连并伸出到晶体管有源区两侧的区域设为保护带,并且在阱接触保护带上多打接触孔;(2)减小阱接触保护带的间距,阱接触保护带的间距(dWC)最大不超过4um;(3)增大NMOS和PMOS有源区的间距,NMOS和PMOS有源区的间距(dAA)不小于0.69um;(4)减小阱接触保护带距MOS管源极的距离,根据SMIC013MMRF工艺的设计规则,采用的第1、2和3层金属的节宽均为0.4μm,采用的单元高度为4.0μm,相当于10个金属层的节宽。本发明实现了抗单粒子闩锁效应的加固设计,代价小、易实现、可靠性高。

    一种基于Virtex5器件的位流文件解析方法及定时刷新方法

    公开(公告)号:CN107945827B

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201711028717.7

    申请日:2017-10-29

    Abstract: 一种基于Virtex5器件的位流文件解析方法及定时刷新方法,其中解析方法步骤如下:(1)对Virtex5型至少8个系列的器件进行底层架构分析,确定每个系列器件的资源类型;(2)对每个系列器件的位流文件帧结构进行分析,确定每帧的bit数以及包含的资源类型、大小、位置,计算位流文件的总bit数;(3)根据步骤(1)、(2)的结果,通过ISE生成Virtex5型对应系列器件的位流文件,根据生成的位流文件的总bit数与步骤(2)中计算的总bit数进行比较,判断步骤(1)(2)的分析是否准确,若准确执行步骤(4),否则重新从步骤(1)开始分析;(4)针对每个系列的器件,根据位流文件的总bit数构建以资源类型长度为未知数的多元方程,得到一个多元方程组,求解该方程组,得到资源类型的大小。

    一种快速低资源开销的改进LZO压缩方法

    公开(公告)号:CN107967296B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201711050579.2

    申请日:2017-10-31

    Abstract: 一种快速低资源开销的改进LZO压缩方法,首先根据回指距离构建LZO压缩方法对新字符进行压缩的第一压缩格式及对应的第一压缩算法、第二压缩格式及对应的第二压缩算法,然后记录进行LZO压缩的新字符长度,根据新字符长度、回指距离选择的压缩格式及对应的压缩算法进行LZO压缩。本发明以LZO算法为基础,对比特文件进行统计分析,在保留哈希运算的前提下提出一套新的压缩格式,该压缩格式种类划分少,判断方式简单,在几乎不降低压缩率的前提下减小回指距离,压缩与解压缩速度均有较大提高,更便于硬件实现和宇航应用,具有很好的使用价值。

    基于SMIC 65nm商用工艺的抗SEU和SET的DICE触发器设计方法

    公开(公告)号:CN109450407A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811101647.8

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于SMIC 65nm商用工艺的抗SEU和SET的DICE触发器设计方法,首先使用堆叠CMOS电路替代DICE触发器上的输入电路,实现输入电路的抗SET加固设计;然后对DICE触发器上的主锁存器和从锁存器进行处理,减小SET脉冲宽度和电荷共享效应的作用距离,实现抗SEU加固;最后使用C-element电路替代DICE触发器上的输出电路,以滤除锁存器中传播到输出端的SET。本发明采用堆叠CMOS电路、C-element电路配合填充MOS管和源隔离MOS管实现DICE触发器的电路设计,可靠性高,解决了使用延迟滤波电路实现SET加固带来过大时序开销的问题,有效提高了DICE触发器抗SEU和SET的能力,达到了预期的防护效果,实现代价小。

    一种快速低资源开销的改进LZO压缩方法

    公开(公告)号:CN107967296A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201711050579.2

    申请日:2017-10-31

    Abstract: 一种快速低资源开销的改进LZO压缩方法,首先根据回指距离构建LZO压缩方法对新字符进行压缩的第一压缩格式及对应的第一压缩算法、第二压缩格式及对应的第二压缩算法,然后记录进行LZO压缩的新字符长度,根据新字符长度、回指距离选择的压缩格式及对应的压缩算法进行LZO压缩。本发明以LZO算法为基础,对比特文件进行统计分析,在保留哈希运算的前提下提出一套新的压缩格式,该压缩格式种类划分少,判断方式简单,在几乎不降低压缩率的前提下减小回指距离,压缩与解压缩速度均有较大提高,更便于硬件实现和宇航应用,具有很好的使用价值。

    一种缓解SET效应的VCO偏置电路

    公开(公告)号:CN106849943A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201611194030.6

    申请日:2016-12-21

    CPC classification number: H03L7/0995 H03K19/00338

    Abstract: 一种缓解SET效应的VCO偏置电路,针对压控振荡器中偏置电路在辐照条件下出现电压抖动而导致输出频率异常现象,本发明根据分压原理,将冗余偏置单元串联电阻后并联,降低在单一敏感点上电压抖动而引起的偏置电压抖动。本电路中通过使用电阻替代晶体管,减少了电路敏感点的数量。在通常状态下,由于电阻上不通过电流,电阻两侧的电压相等,当SET的发生时,电阻两侧节点电压发生改变,而电阻并联的方式可有效的降低电阻两侧的电压改变量,而并联电阻的路数越多,对电压的抑制作用越大,但引入的电路开销越大,本发明在设计时合理的考虑电路开销与加固效果之间的关系,选择了三路并联结构,减少了SET带来的影响,提高了电路的抗辐照性能。

    一种随机存储器的周期性自检错恢复方法

    公开(公告)号:CN103680639B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201310635260.1

    申请日:2013-11-29

    Abstract: 一种随机存储器的周期性自检错恢复方法,可对随机存储器进行容错和纠错设计。方法首先将随机存储器进行冗余处理,设计判决模块对冗余的输出结果进行三取二判决和一致性比较,判决结果做为纠错输入,一致性比较结果作为纠错使能。同时地址产生模块周期性产生存储器读取地址实现检错控制。本发明可为易由于外因(例如空间辐射环境)而产生错误的随机存储器提供一种检错和纠错的方法,改变传统冗余容错技术的错误累积失效问题,纠错能力不受纠检错算法限制,有效的对存储器进行防护。

    一种分裂基FFT结构设计方法

    公开(公告)号:CN103198055B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201310033677.0

    申请日:2013-01-29

    Abstract: 本发明涉及一种分裂基FFT结构设计方法,以分裂基FFT算法原理为参考,对公式进行进一步的规整化,开展了2N点分裂基FFT并行流水结构设计的研究,按照快速计算以及资源优化的要求,对计算过程中的每个步骤进行优化处理,实现了2N点FFT的并行流水结构,该结构具有一定的规律性,此外对计算过程中的旋转因子采用选择存储方法,大量的节省了存储资源,对于大点数的FFT旋转因子的计算提出了使用CORDIC算法计算以节约资源,并给出了CORDIC算法计算说明。

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