一种单粒子瞬态加固LDO设计方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115542999A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211042504.0

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本发明涉及一种单粒子瞬态加固LDO设计方法,属于CMOS集成电路空间单粒子效应防护技术领域。该方法通过使用双指数电流源模型,定位LDO电路中单粒子瞬态敏感节点分别为环路主级点和带隙基准源电路中负反馈放大器正向输入点。针对LDO核心电路,增加主级点电路模块的支路电流;针对LDO的带隙基本源电路,调整基准电路中的左右两侧bjt管比例为1:2,并设计模拟信号双路冗余电路结构实现加固。提高了LDO在空间辐照环境下的可靠性。

    一种总剂量防护带隙基准源电路

    公开(公告)号:CN110908426B

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN201911043357.7

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 一种总剂量防护带隙基准源电路,包括:带隙核心电路、启动电路I、动态基极补偿分支电路I、动态基极补偿分支II、电源抑制比PSRR增强电路、启动电路II和带隙输出电压电路。动态基极补偿分支电路I和动态基极补偿分支电路II用于补偿带隙核心电路在受到辐照总剂量效应下所感生的双极性晶体管基极泄漏电流,二者间又利用反馈环路实现稳定结构;电源抑制比PSRR增强电路提供带隙核心电路的栅极偏置电压实现提高电源抑制比;带隙输出电压电路则将带隙核心电路的输出参考电流信号Iref转化为参考电压信号Vref,并向外输出;启动电路II接收带隙输出电压电路输出的带隙参考电压Vref,向带隙核心电路提供启动信号。本发明利用动态基极补偿机制实现抗辐照总剂量效应。

    一种总剂量防护带隙基准源电路

    公开(公告)号:CN110908426A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201911043357.7

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 一种总剂量防护带隙基准源电路,包括:带隙核心电路、启动电路I、动态基极补偿分支电路I、动态基极补偿分支II、电源抑制比PSRR增强电路、启动电路II和带隙输出电压电路。动态基极补偿分支电路I和动态基极补偿分支电路II用于补偿带隙核心电路在受到辐照总剂量效应下所感生的双极性晶体管基极泄漏电流,二者间又利用反馈环路实现稳定结构;电源抑制比PSRR增强电路提供带隙核心电路的栅极偏置电压实现提高电源抑制比;带隙输出电压电路则将带隙核心电路的输出参考电流信号Iref转化为参考电压信号Vref,并向外输出;启动电路II接收带隙输出电压电路输出的带隙参考电压Vref,向带隙核心电路提供启动信号。本发明利用动态基极补偿机制实现抗辐照总剂量效应。

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