公开(公告)号：CN113013259A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110217571.0

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 赵杰 ,  王英民 ,  孙有民 ,  王成熙 ,  王清波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种低导通压降肖特基二极管结构及其制备方法，该结构在N型外延层中设置环状的P型增压环、N型引出区和N型区表面接触区，本发明为充分降低N型引出区串联电阻，设计环形结构的N型引出区，通过扩散工艺形成高浓度的N型深磷层，该工艺形成的肖特基二极管由于从N型表面接触区到N+埋层之间增加了高浓度的深磷层，即N型引出区，能有效降低二者之间的外延层串联电阻，增大接触面积，从而获得更低的导通电阻。

公开(公告)号：CN110828559A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911115642.5

申请日：2019-11-14

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王清波 ,  薛东风 ,  赵杰 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  杜欣荣 ,  温富刚 ,  卓青青

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法，横向PNP晶体管是通过在N型外延层上进行选择性的P型杂质掺杂形成：由一个P型掺杂区构成PNP晶体管的发射区，在发射区外由一个完整或部分的环形P型掺杂区构成PNP晶体管的集电区，在两个P型掺杂区之间是N型掺杂的外延层，形成PNP晶体管的基区，从而构成一个横向的P-N-P结构，形成横向PNP晶体管。它与传统PNP管的区别在于：新型结构横向PNP晶体管的P型集电区单独进行掺杂，使P型集电区杂质浓度低于N型基区浓度，当PNP晶体管CE电压增大时，由于横向PNP晶体管P型集电区浓度低于N型集区，CB结空间电荷区主要向P型集电区扩展，抑制因CE电压增大导致的基区宽度变化，从而获得较高的厄利电压。