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公开(公告)号：CN115694471A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211339506.6
申请日：2022-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵超低温红外图像传感器的电平移位结构，包括转换信号输入管；电平钳位管的栅端接收电平VREF，电平钳位管的源端分别连接反馈管的源端、反向N管的栅端、反向P管的栅端；电平钳位管的漏端连接转换信号输入管的源端；转换信号输入管的漏端接地；转换信号输入管的栅端接IP；反馈管的漏端与上拉管的源端相接，上拉管的栅端接IP，上拉管的漏端接电源VDD；反向P管的源端接电源VDD，反向P管的漏端连接反向N管的源端，反向N管的漏端接地；电平VREF由电平VREF钳位匹配电压产生电路产生。保证转换信号输入管(低阈值管)的源漏电压不超过1.2V，确保该器件工作在正常的电压区间，避免击穿风险。
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公开(公告)号：CN115050768A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210737686.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法，像元结构中阱注入区、传输管阈值调整注入层和PD注入区设置在外延层上，传输管阈值调整注入层的一侧设置有栅氧化层和栅极，FD区位于阱注入区内部，高k介质层覆盖器件表面，钝化层淀积在器件表面。通过淀积高k介质层与反射金属层，利用金属与半导体之间的功函数差，在半导体PD注入区的表面感应出空穴，并通过将金属层与外延层共同接到电源地，实现对PPD表面感生空穴层的电位钳制，从而避免了通过高剂量离子注入的方式形成光电二极管表面的钳位层，有效的减少了PPD表面由于注入损伤引入的缺陷，减少了光电二极管中光电子在表面的复合，提升了像素单元的量子效率。
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公开(公告)号：CN114979522A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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公开(公告)号：CN111294531B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010171737.5
申请日：2020-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高帧频CMOS图像传感器及其实现方法，属于CMOS图像传感器的帧频提升领域。本发明的高帧频CMOS图像传感器及其实现方法，时钟发生器通过时钟延迟单元产生多路异步时钟信号，异步时钟信号具有均匀的相位差，上升沿计数器和下降沿计数器根据异步时钟信号进行触发计数，而上升沿计数器和上下降沿计数器分别在时钟信号的上升沿和下降沿触发并计数，实现分辨率指数级提升，在同样分辨率下，实现帧频指数级提升。
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公开(公告)号：CN112019779A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010858423.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374
Abstract: 本发明为一种超大阵列图像传感器的校准型面阵驱动电路及方法，包括行驱动电路A、行驱动电路B和驱动校准电路；所述行驱动电路A和行驱动电路B的版图结构相同，分别连接像元面阵，对像元面阵产生驱动信号；所述驱动校准电路的输入端连接产生图像传感器控制信号的状态机的输出端，驱动校准电路的输出端分别连接行驱动电路A和行驱动电路B的输入端；所述驱动校准电路将状态机输入的控制信号分为两路，一路控制信号通过延时校准后输出至行驱动电路A，另一路控制信号直接输出至行驱动电路B。本发明实现了对像元阵列的可靠控制，支持芯片的拼接复用，具有设计结构简单、可移植性强，可靠性高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110311660A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910592627.3
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种自适应抗单粒子翻转的D触发器，D触发器有时钟信号输入端C和数据信号输入端D，第一输出端Q和第二输出端QN；时钟输入电路的输入端与时钟信号输入端C连接，输出端分别与开关控制RC滤波结构型主锁存器和开关控制RC滤波结构型从锁存器连接；SEU监测电路分别与开关控制RC滤波结构型主锁存器及开关控制RC滤波结构型从锁存器连接；开关控制RC滤波结构型主锁存器电路分别与数据信号输入端D和开关控制RC滤波结构型从锁存器连接；开关控制RC滤波结构型从锁存器与输出电路连接；输出电路还分别连接第一输出端Q及第二输出端QN。本发明具有良好的单粒子加固能力，并克服了加固触发器不能应用于高速无辐照环境的局限性。
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公开(公告)号：CN110311656A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910592610.8
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K3/012 , H03K3/013 , H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种自适应抗单粒子翻转的异步复位和置位D触发器，时钟信号输入电路分别与时钟信号输入端C、可控电阻-电容滤波结构的主锁存器和可控电阻-电容滤波结构的从锁存器连接；SEU监测电路分别与可控电阻-电容滤波结构的主锁存器及可控电阻-电容滤波结构的从锁存器连接；可控电阻-电容滤波结构的主锁存器分别与数据信号输入端D、复位信号输入端R、置位信号输入端SN及可控电阻-电容滤波结构的从锁存器连接；可控电阻-电容滤波结构的从锁存器分别与复位信号输入端R、置位信号输入端SN及输出电路连接；输出电路与第一输出端Q及第二输出端QN连接。
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公开(公告)号：CN114885108B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210550326.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法，包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元；对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号，将其传输至比较单元一输入端，DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器，将斜坡信号传输至比较单元另一输入端，斜坡信号大于输入信号时，比较单元产生翻转信号，寄存处理单元存储此时的数字码值，对其进行处理后，将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能，避免传统计数器在A/D转换时产生大量翻转和计数，有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象，提升了温度敏感型图像传感器性能。
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公开(公告)号：CN114979522B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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公开(公告)号：CN114051107B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111264687.6
申请日：2021-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/76
Abstract: 本发明提供一种CMOS图像传感器的双模式精细增益配置装置及方法，可变采样电容阵列输入侧连接采样信号，输出侧连接反馈运算阵列，实现多种倍数的增益补偿，配合可变反馈电容和恒定反馈电容，能够实现1以下倍数的增益补偿，解决了现有增益配置的步进粗和仅支持正向配置的缺陷，实现精细步进增益和正负增益双向调整，根据实际情况增加可变采样电容阵列中开关电容的数量进而能够实现更高倍数的增益补偿，提高了通用性和精度；本方法，满足高质量成像对光线微弱变化的增益校准需求，提出增益校准算法流程，根据图像输出实际灰度值，通过对比本发明中真值表，确定增益校准配置和校准方法，步骤简单，可快速选择需要得可变采样电容阵列，实现增益补偿。
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