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公开(公告)号：CN113992871A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111277400.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器芯片级ADC的双位移位校正系统，包括依次连接的SH电路、多级串联的编码器电路和flash ADC电路，SH电路用于电荷分享或者电容翻转结构实现，每级编码器电路输出4位数字码，含两位校正码；根据电容的电荷守恒原理，采用电荷分享采样技术，实现了双位移位校正功能，每级4bit输出，两位校正算法，级间闭环增益只有4倍，采用非交叠时钟控制，前级采样，后级放大输出，流水线工作，降低了级间闭环增益，降低了后级量化范围，提升了校正区间，对于ADC的整体性能提升具有显著效果。采用多级串联的编码器电路，可有效降低系统功耗、提升量化输入摆幅并极大提升SFDR等关键动态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN113873184A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111277411.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器芯片级ADC修调系统，包括修调控制模块和修调预写入模块，修调控制模块连接修调预写入模块，修调控制模块用于输出控制信号给修调预写入模块，修调预写入模块的修调输出连接到ADC模块的控制端，与ADC模块的各待修正模块连接，用于输出修调控制信号，针对系统修调预写入、电容失配修调、功耗修调和误差修调，可有效弥补工艺偏差失配、工艺角偏离等因素引起的性能参数下降和功耗超差、提升ADC的关键动态和静态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN112992863A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110222735.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L31/02 , H01L25/065 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供了一种覆盖可见光波段和红外波段的光电探测器，包括光电探测器本体，所述光电探测器本体包括靠近光线由顶至底设置的第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆；所述第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆依次叠加设置；所述第一晶圆上装配有若干个可见光像元和读出电路；所述第二晶圆上装配有若干个红外读出电路；所述第三晶圆上装配有若干个红外像元阵列；第一晶圆与第二晶圆硅片键合设置，所述第三晶圆通过第一晶圆与第二晶圆硅片键合后互联设置，实现可见光波段图像和红外波段图像的探测，该光电探测器结构简单，操作方便，便于在复杂的光照条件下进行成像，满足星体追踪，目标识别，深空探测等多领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN112422955A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011166168.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，属于仿真分析领域。一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，包括以下步骤：1)对ADC比较器的翻转进行仿真分析，得出翻转区间偏移；2)计算所述翻转区间偏移分布在ADC计数器的一个时钟周期内的概率和跨越多个时钟周期的概率，并计算由此而引起的CMOS图像传感器噪声电压；3)将所述CMOS图像传感器噪声电压和对应的概率相乘，得到由ADC固有噪声引起的CMOS图像传感器噪声的计算值。本发明的分析方法，确定了由ADC固有噪声而引起CMOS图像传感器的整体噪声，在设计阶段有利于明确设计值是否满足设计要求，为噪声设计改进提供依据。
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公开(公告)号：CN111405195A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010209608.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/235
Abstract: 本发明公开了一种双曝光CMOS图像传感器的数据转换装置及其转换方法，属于CMOS图像传感器领域。本发明的双曝光CMOS图像传感器的低回踢数据转换装置及其转换方法，在两种模式之间，通过切换转换ADC比较器的输入，实现双曝光模式下转换ADC比较器的翻转信号均为上升沿，在卷帘模式下，转换ADC比较器正向端接入斜坡信号，比较器负向端接入模拟前端输出信号，其翻转信号为上升沿；在全局模式下，其正负端接入信号切换，其翻转信号仍为上升沿；从而保证两种曝光模式下，斜坡信号和像元输出信号相交引起比较器翻转均产生上升沿信号，保证ADC计数器可复用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110351500A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910614970.3
申请日：2019-07-09
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种兼容两种曝光模式的CMOS图像传感器读出电路，包括像元、增益放大器、相关双采样电路、切换电路、斜坡发生电路、模拟数字转换器和计数器；像元输出端连接增益放大器的第一输入端；增益放大器的第二输入端连接切换电路的第一输出端，增益放大器的输出端连接相关双采样电路的输入端，相关双采样电路的输出端连接模拟数字转换器的第一输入端，模拟数字转换器的第二输入端连接斜坡发生电路的输出端，斜坡发生电路的输入端连接切换电路的第二输出端；模拟数字转换器的输出端连接计数器的输入端。本发明读出电路结构能够满足两种曝光模式输出，使两种曝光模式集成于同一相机；且兼容两种曝光模式的同时，基本不占用系统额外的面积和功耗。
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公开(公告)号：CN120016824A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510227092.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明属于模拟集成电路设计技术领域，具体涉及一种通用型低功耗片上负压产生电路，本发明主要包括包括负压电荷泵产生模块、环形振荡器、第一电容、第二电容和低通滤波器；不需要基准电压、反馈网络、非交叠时钟及复杂的振荡电路，通过反相器互联产生振荡输出，输出频率不影响负压电荷泵输出值；通过多路选通二极管阵列，将幅值介于二极管阈值电压和‑vdd之间的周期信号转化为较为稳定的负压信号；然后通过低通滤波，给运算放大器提供一个稳定的负压地。
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公开(公告)号：CN119946459A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510004210.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/76 , H04N25/706
Abstract: 本发明涉及图像传感器技术领域，具体涉及一种触发型CMOS图像传感器及其实现方法；所述控制电路包括用于输出光电信号的输出电路和用于输入光电信号的读出电路，所述输出电路包括复位管S4、传输管S5、输出管S6、源跟随管S10、比较单元、开关S8、开关S7以及光电信号存储电容；本发明采用像素级光电信号存储和比较方式，确定后一次图像与前一次图像在单个像素的上变化情况，对变化信号进行量化并标识位置信息，极大的缩短了量化和处理时间，大幅降低了功耗和提升了帧频，对目标检测、跟踪、边境监测等事件发现应用场景具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113992871B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111277400.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器芯片级ADC的双位移位校正系统，包括依次连接的SH电路、多级串联的编码器电路和flash ADC电路，SH电路用于电荷分享或者电容翻转结构实现，每级编码器电路输出4位数字码，含两位校正码；根据电容的电荷守恒原理，采用电荷分享采样技术，实现了双位移位校正功能，每级4bit输出，两位校正算法，级间闭环增益只有4倍，采用非交叠时钟控制，前级采样，后级放大输出，流水线工作，降低了级间闭环增益，降低了后级量化范围，提升了校正区间，对于ADC的整体性能提升具有显著效果。采用多级串联的编码器电路，可有效降低系统功耗、提升量化输入摆幅并极大提升SFDR等关键动态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN112992863B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110222735.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L31/02 , H01L25/065 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供了一种覆盖可见光波段和红外波段的光电探测器，包括光电探测器本体，所述光电探测器本体包括靠近光线由顶至底设置的第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆；所述第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆依次叠加设置；所述第一晶圆上装配有若干个可见光像元和读出电路；所述第二晶圆上装配有若干个红外读出电路；所述第三晶圆上装配有若干个红外像元阵列；第一晶圆与第二晶圆硅片键合设置，所述第三晶圆通过第一晶圆与第二晶圆硅片键合后互联设置，实现可见光波段图像和红外波段图像的探测，该光电探测器结构简单，操作方便，便于在复杂的光照条件下进行成像，满足星体追踪，目标识别，深空探测等多领域的应用需求。
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