公开(公告)号：CN101617370A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200880004505.8

申请日：2008-02-06

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 金镇祺 ,  潘弘柏

IPC: G11C16/02 ,  G11C7/18 ,  G11C8/12 ,  G06F9/445

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10

Abstract: 一种用于编程NAND闪速单元的方法，用于在允许随机页面编程操作的同时最小化编程应力。该方法包括从正偏置的源极线非对称预充电NAND串，而将位线从NAND串去耦合，随后，施加编程电压到选择的存储器单元，并且之后应用位线数据。在非对称预充电和施加编程电压之后，所有选择的存储器单元由于它们将从它们相应的NAND串去耦合而被设置为编程禁止状态，并且它们的沟道将被本地提升到有效地禁止编程的电压。VSS偏置的位线将使得本地提升的沟道放电到VSS，从而允许发生选择的存储器单元的编程。VDD偏置的位线将不对预充电的NAND串起作用，从而保持所选择的存储器单元的编程禁止状态。

公开(公告)号：CN101548329A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780045070.7

申请日：2007-12-10

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 潘弘柏 ,  吴学俊 ,  金镇祺

IPC: G11C7/10 ,  G11C11/34 ,  H03M9/00

CPC classification number: G11C7/1045 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1075 ,  G11C7/1078 ,  G11C2207/107

Abstract: 本发明提供了一种方法和系统，其允许使用串行存取或者使用并行存取来执行存取一个或者多个存储体的方法。在串行模式中，每一链路作为独立的串行链路操作。相反，在并行模式期间，链路作为并行链路共同操作。其中，在串行模式中，对于每一链路独立地接收输入和输出控制，在并行模式期间，所有的链路共同使用单组输入和输出控制。

公开(公告)号：CN101517652A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034118.4

申请日：2007-09-12

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 金镇祺

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/02 ,  G11C7/10 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C16/34 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/344 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5621

Abstract: 一种用于多电平闪烁单元的阈值电压分布方案，其中擦除阈值电压和至少一个编程阈值电压位于擦除电压域中。擦除电压域中的至少一个编程阈值电压降低了Vread电压电平，以最小化读出干扰效应，由于编程的状态之间的阈值电压距离被最大化，则延长了多电平闪烁单元的寿命长度。擦除电压域可以低于0V，而编程电压域大于0V。因此，用于编程验证和读出具有擦除电压域和编程电压域中的编程阈值电压的多电平闪烁单元的电路使用负和正的高电压。

公开(公告)号：CN101278352A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036482.X

申请日：2006-09-29

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 潘弘柏 ,  金镇祺 ,  吴学俊

IPC: G11C7/10 ,  G11C11/4197 ,  G11C16/06

Abstract: 本发明提供一种以菊花链级联排列串行耦合设备的技术。设备以菊花链级联排列被耦合，以使得第一设备的输出被耦合到在菊花链中第二设备的输入，从而提供信息的传送，如从第一设备向第二设备传送数据、地址和命令信息，以及控制信号。以菊花链级联耦合的设备包括串行输入(SI)和串行输出(SO)。信息通过SI输入到设备。信息通过SO从设备输出。菊花链级联中在先设备的SO被耦合到菊花链级联中在后设备的SI。通过设备的SI输入到在先设备的信息经过设备传送，并通过设备的SO输出设备。信息然后通过在先设备的SO与在后设备的SI之间的连接传送到在后设备的SI。

公开(公告)号：CN103985404A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410195813.0

申请日：2006-09-29

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 金镇祺 ,  潘弘柏

IPC: G11C7/10 ,  G11C5/06

CPC classification number: G06F3/0611 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/0688 ,  G06F13/4243 ,  G11C5/066 ,  G11C7/1021 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1078 ,  G11C8/10 ,  G11C16/06 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3459 ,  G11C2207/107 ,  G11C2216/30

Abstract: 本发明公开一种用于在半导体存储器中串行数据链接接口和存储体之间控制数据传输的装置、系统和方法。在一实施例中，本发明公开了一种具有多个串行数据链接和多个存储体的闪烁存储器设备，其中，所述链接独立于所述多个体。所述闪烁存储器设备可以以菊花链配置级联，并在存储器设备之间使用回波信号线串行通信。此外，本发明描述了一种虚拟多链接配置，其中使用单个链接来模拟多链接。

公开(公告)号：CN101627436B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN200780050573.3

申请日：2007-11-29

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 金镇祺

IPC: G11C7/12 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427

Abstract: 本发明涉及一种用于最小化闪烁存储器中编程干扰的方法。为了降低不期望从擦除状态进行编程的与非闪烁存储器单元串中的编程干扰，使用局部提升的沟道禁止方案。在该局部提升的沟道禁止方案中，不期望编程的与非串中的所选择的存储器单元和与非串中的其他单元去耦。这使得去耦的单元的沟道被局部提升到在对应字线上升到编程电压时足以禁止F-N隧穿的电压电平。由于高提升效率，应用到与非串中的剩余存储器单元的栅极的传递电压可以相对于现有技术方案下降，从而在允许随机页面编程时最小化编程干扰。

公开(公告)号：CN101617370B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200880004505.8

申请日：2008-02-06

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 金镇祺 ,  潘弘柏

IPC: G11C16/02 ,  G11C7/18 ,  G11C8/12 ,  G06F9/445

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10

Abstract: 一种用于编程NAND闪速单元的方法，用于在允许随机页面编程操作的同时最小化编程应力。该方法包括从正偏置的源极线非对称预充电NAND串，而将位线从NAND串去耦合，随后，施加编程电压到选择的存储器单元，并且之后应用位线数据。在非对称预充电和施加编程电压之后，所有选择的存储器单元由于它们将从它们相应的NAND串去耦合而被设置为编程禁止状态，并且它们的沟道将被本地提升到有效地禁止编程的电压。VSS偏置的位线将使得本地提升的沟道放电到VSS，从而允许发生选择的存储器单元的编程。VDD偏置的位线将不对预充电的NAND串起作用，从而保持所选择的存储器单元的编程禁止状态。

公开(公告)号：CN101919002B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200880119297.6

申请日：2008-12-11

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 吴学俊 ,  金镇祺 ,  潘弘柏

IPC: G11C5/06 ,  G11C16/02 ,  G11C5/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L23/535 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C5/06 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  H01L23/481 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00015

Abstract: 第一存储器装置和第二存储器装置具有相同的输入/输出布局结构。为了形成堆叠，将第二存储器装置固定到第一存储器装置。为促进连接性，第二存储器装置关于第一存储器装置在堆叠中旋转偏移，来将第一存储器装置的输出和第二存储器装置的对应输入对准。第二存储器装置关于第一存储器装置在堆叠中旋转偏移导致第一存储器装置的一个或者多个输出和第二存储器装置的一个或者多个相应输入对准。基于堆叠中一个存储器装置和另一个的输出和输入之间的链路，存储器装置的堆叠可以包括促进通过存储器装置的一个或者多个串行连接结构的路径。

公开(公告)号：CN101563729B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200780046944.0

申请日：2007-12-18

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 金镇祺

IPC: G11C7/10 ,  G06F12/00 ,  G06F13/14 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/413 ,  G11C7/20

CPC classification number: G11C14/0018 ,  G11C11/005

Abstract: 提供用于保存数据的混合固态存储器系统。固态存储器系统包括易失性固态存储器、非易失性固态存储器和存储器控制器。此外，提供一种用于在固态存储器系统中保存数据的方法，所述方法包括下面的步骤。由存储器控制器接收写命令。响应于写命令，在易失性存储器中保存写数据。响应于数据传送请求，从易失性存储器传送数据到非易失性存储器。

公开(公告)号：CN102760476A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210111943.2

申请日：2007-08-22

Applicant: 莫塞德技术公司

Inventor： 金镇祺 ,  吴学俊 ,  潘弘柏 ,  S·普日贝尔斯基

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/20 ,  G11C8/04

CPC classification number: G11C7/1042 ,  G11C7/10 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/20 ,  G11C8/04 ,  G11C16/0483

Abstract: 存储器系统体系结构具有串联的存储器设备。存储器系统为可扩缩的，以包括任意数量的存储器设备，而没有任何性能下降或者复杂的重新设计。每一个存储器设备具有串行的输入/输出接口，用于在其他存储器设备和存储器控制器之间通信。存储器控制器以至少一个位流来发布命令，其中该位流遵循模块化命令协议。该命令包括具有可选的地址信息和设备地址的操作码，使得仅有所寻址的存储器设备对命令起作用。与每个输出数据流和输入命令数据流并行地分别提供分离的数据输出选通和命令输入选通信号，用于识别数据的类型和数据的长度。模块化命令协议被用于在每一存储器设备中执行并发的操作以进一步提高性能。