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公开(公告)号：CN112864128A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011007713.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 一种集成电路(IC)器件结构，包括：主芯片，具有器件层和在器件层的相邻第一和第二区域之上的一个或多个第一金属化层级。第一金属化层级互连到器件层。互连芯粒在第一区域内的第一金属化层级之上。互连芯粒包括多个第二金属化层级，以及多个第三金属化层级，在第二区域内的第一金属化层级之上并且与互连芯粒相邻。互连特征尺寸或组成中的至少一个在第二金属化层级中的一个第二金属化层级与第三金属化层级中相邻的一个第三金属化层级之间不同。
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公开(公告)号：CN111902933A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021409.2
申请日：2019-05-14
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·A·埃尔谢尔比尼 , F·艾德 , J·M·斯旺 , S·利夫
IPC: H01L23/528 , H01L23/525 , H01L23/522 , H01L25/065
Abstract: 本文公开了微电子组件、相关的设备和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：具有第一表面和相对的第二表面的封装衬底；嵌入在第一电介质层中的第一管芯，第一管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第一管芯的第一表面通过第一互连耦合到封装衬底的第二表面；嵌入在第二电介质层中的第二管芯，第二管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第二管芯的第一表面通过第二互连耦合到第一管芯的第二表面；以及嵌入在第三电介质层中的第三管芯，第三管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第三管芯的第一表面通过第三互连耦合到第二管芯的第二表面。
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公开(公告)号：CN107924373A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082563.2
申请日：2015-09-25
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S·利夫 , A·A·埃尔谢尔比尼 , T·卡姆嘎因 , S·N·奥斯特 , G·查乌拉
Abstract: 描述了使用通过线路连接的无线电设备接口的微电子封装通信。一个示例包括系统板、集成电路芯片以及安装到系统板以承载集成电路芯片的封装基底，封装基底具有导电连接器以将集成电路芯片连接到外部部件。封装基底上的无线电设备耦合到集成电路芯片，以将数据调制到载波上并发射经调制的数据。系统板上的无线电设备接收所发射的经调制的数据并解调所接收的数据，并且线缆接口耦合到系统板无线电设备以将所接收的经解调的数据耦合到线缆。
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公开(公告)号：CN104716054B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201410627727.2
申请日：2014-11-10
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S·奥斯特 , R·L·散克曼 , C·盖勒 , O·卡哈德 , J·S·古扎克 , R·V·玛哈简 , J·C·小马塔雅巴斯 , J·斯旺 , F·艾德 , S·利夫 , T·麦金托什 , T·T·喀姆盖恩 , A·艾尔舍比尼 , K·艾根
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/498
CPC classification number: H05K1/189 , G06F1/163 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H05K1/0393 , H05K1/181 , H05K1/185 , H05K13/0469 , H05K2201/0137 , H05K2203/1469 , Y10T29/49146 , H01L2924/00
Abstract: 本申请公开了柔性电子组件和方法。本公开一般涉及器件、系统和制造柔性微电子组件的方法。在一示例中，在微电子部件上模制聚合物，该聚合物在模制后呈基本刚性状态。对于微电子部件和聚合物模形成布线层，该布线层包括电耦合到微电子部件的迹线。将输入应用于聚合物模，该聚合物模在应用该输入时从基本刚性状态转换为基本柔性状态。
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