公开(公告)号：CN119551629A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411631571.5

申请日：2024-11-15

Applicant: 苏州大学

Inventor： 梁卓维 ,  赵天翊 ,  王玉生 ,  孙宝全

IPC: B81C1/00 ,  A61B5/08

Abstract: 本发明涉及一种基于硅纳米线阵列的柔性传感器件及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、在硅片表面镀银后进行一次刻蚀，形成硅纳米线阵列；S2、对一次刻蚀后的硅片进行一次超声诱导、二次刻蚀，在硅纳米线阵列底部形成裂纹；S3、在硅纳米线阵列顶部涂抹增粘剂，然后在加热条件下将硅纳米线阵列转移至基底表面，并进行剥离、固化、二次超声诱导；S4、在二次超声诱导后的硅纳米线阵列顶部设置第二电极，得到所述的基于硅纳米线阵列的柔性传感器件。本发明所述的制备方法构建了底部聚集，顶部开放整齐的开花状硅纳米线阵列，可以更快的进行微小水滴的蒸发、摩擦、吸附、脱附、以获得更快的响应和更好的信噪比。

公开(公告)号：CN119191302A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411253114.7

申请日：2024-09-09

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙宝全 ,  宋宇航 ,  王玉生 ,  宋涛

IPC: C01B33/021 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于新能源材料及器件领域，具体涉及一种柔性硅纳米线及其制备方法和应用。本发明通过金属辅助的湿法刻蚀技术，使刻蚀过程中的硅纳米线在指定位置形成水平裂纹。该裂纹的形成是由于浸水过程中银颗粒构成的膜分层以及随后的湿法刻蚀过程中银颗粒的再分布和再附着所造成的，部分银以颗粒形式重新分布在硅纳米线的侧壁上，形成局部水平腐蚀，导致裂纹状硅纳米线的产生。在导电碳胶的帮助下，通过裂纹结构的存在，通过将硅纳米线阵列进行剥离，使其负载在柔性的导电碳胶基底上，制备成垂直结构的水蒸发诱导器件，其优良的性能得益于剥离后的硅纳米线丰富的三维结构的优点，其提供了大的比表面积，高密度的纳米孔道结构和显着的表面电位。

公开(公告)号：CN118739902A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410750086.3

申请日：2024-06-12

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙宝全 ,  袁先荣 ,  王玉生 ,  宋涛

IPC: H02N3/00

Abstract: 本发明属于水伏效应技术领域，具体涉及一种微观有序水伏器件及其制备方法。本发明基于均一氧化硅球形颗粒进行自组装形成规整微观结构设计了一种新型微观结构有序的蒸发式水伏器件。与现有技术相比，微观结构有序的水伏器件相对于结构无序的水伏器件来说，从微观结构上对器件进行了精确调控，有利于结合模拟对水伏器件进行精确设计，促进水伏器件发电过程的模型化以及机理探究。

公开(公告)号：CN113037136A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110014407.X

申请日：2021-01-06

Applicant: 苏州大学

Inventor： 朱利丰 ,  朱舒 ,  王玉生 ,  宋涛 ,  孙宝全

IPC: H02N3/00 ,  G01F23/22 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线水伏电池、水位监测器和自驱动水位监测装置，包括水伏电池，其竖直设置在水中，所述水伏电池能够产生电能，当水位变化时，所述水伏电池产生的电信号变化；储能模块，其与所述水伏电池电性连接，所述储能模块储存所述水伏电池产生的电能；数据处理模块，其与所述水伏电池连接，所述数据处理模块接收所述水伏电池的电信号，并根据电信号的大小来判断水位的变化，输出水位信息；显示模块，其与数据处理模块连接以显示水位信息。其实现小功率自驱动，同时实时输出水位信号，结构紧凑。

公开(公告)号：CN105655443A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610111226.8

申请日：2016-02-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙宝全 ,  王玉生 ,  鲍桥梁

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/184 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明属于太阳能光电转化技术领域，尤其涉及一种由光致极化而引起的场效应来增强太阳能电池效率的方法，该方法包括以下步骤：(1)对太阳能电池表面进行预处理，改变其表面能，预处理方法包括紫外-臭氧、等离子腐蚀、修饰表面分子键中的任意一种；(2)通过成膜工艺，在太阳能电池表面制备具有光致极化效应的功能薄膜，所述功能薄膜包括光响应层和导电薄膜层，光响应层的材料为钙钛矿纳米颗粒，导电薄膜层的材料为有机共轭分子或无机半导体材料；(3)对电池进行封装，以保护功能薄膜，该方法利用一种光致极化材料，把部分短波长的光转化为电场，这个电场作用于电池上，来增强太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN104779352A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510199426.9

申请日：2015-04-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 鲍桥梁 ,  王玉生 ,  李绍娟

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/44 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/42 ,  H01L51/4253

Abstract: 本发明公开了基于石墨烯与纳米结构钙钛矿材料的光探测器及制备方法，包括一覆盖有二氧化硅的硅衬底，硅衬底上设有石墨烯导电层，石墨烯导电层的中部分布有纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层，并形成异质结结构，石墨烯导电层的左右两端分别设有一电极层；硅衬底的最上方设有一钝化层，钝化层将石墨烯导电层、纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层和两个电极层全部覆盖；位于两个电极层上方的钝化层上经光刻和刻蚀分别形成电极的一个接触孔，两个接触孔上分别淀积有金属引出电极。本发明构建光探测器件的技术与当前的硅电子工艺平台相比具有良好的兼容性，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有实现快速、宽带响应、宽光谱光探测的极大潜力。

公开(公告)号：CN204538089U

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201520254260.1

申请日：2015-04-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 鲍桥梁 ,  王玉生 ,  李绍娟

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本实用新型公开了基于石墨烯与纳米结构钙钛矿材料的光探测器，包括一覆盖有二氧化硅的硅衬底，硅衬底上设有石墨烯导电层，石墨烯导电层的中部分布有纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层，并形成异质结结构，石墨烯导电层的左右两端分别设有一电极层；硅衬底的最上方设有一钝化层，钝化层将石墨烯导电层、纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层和两个电极层全部覆盖；位于两个电极层上方的钝化层上经光刻和刻蚀分别形成电极的一个接触孔，两个接触孔上分别淀积有金属引出电极。本实用新型构建光探测器件的技术与当前的硅电子工艺平台相比具有良好的兼容性，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有实现快速、宽带响应、宽光谱光探测的极大潜力。