公开(公告)号：CN115765522A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211346489.9

申请日：2022-10-31

Applicant: 苏州大学 ,  苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司

Inventor： 孙宝全 ,  邵贝贝 ,  宋宇航 ,  王玉生 ,  宋涛

IPC: H02N3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种高效硅基水伏器件及其制备方法，所述硅基水伏器件从上至下由正极电极、空穴选择性传输层、硅纳米结构、硅基底以及负极电极组成，所述硅纳米结构的顶端部分嵌入所述空穴选择性传输层中。本发明在硅纳米结构/正极界面引入空穴选择性传输层，利用高功函数空穴选择传输层在界面形成的内电场阻止电子向正极的迁移，实现空穴的选择性传输，降低界面复合损失以提高电荷的分离和收集效率；同时，引入的空穴选择性传输层，实现了硅纳米结构与正极由点接触向面接触转变，降低了正极界面的接触电阻，进一步促进空穴在界面处的高效传输，从而增大了电极对空穴的收集效率，在上述协同作用下，有效提高硅基水伏器件的电学性能。

公开(公告)号：CN119191302A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411253114.7

申请日：2024-09-09

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙宝全 ,  宋宇航 ,  王玉生 ,  宋涛

IPC: C01B33/021 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于新能源材料及器件领域，具体涉及一种柔性硅纳米线及其制备方法和应用。本发明通过金属辅助的湿法刻蚀技术，使刻蚀过程中的硅纳米线在指定位置形成水平裂纹。该裂纹的形成是由于浸水过程中银颗粒构成的膜分层以及随后的湿法刻蚀过程中银颗粒的再分布和再附着所造成的，部分银以颗粒形式重新分布在硅纳米线的侧壁上，形成局部水平腐蚀，导致裂纹状硅纳米线的产生。在导电碳胶的帮助下，通过裂纹结构的存在，通过将硅纳米线阵列进行剥离，使其负载在柔性的导电碳胶基底上，制备成垂直结构的水蒸发诱导器件，其优良的性能得益于剥离后的硅纳米线丰富的三维结构的优点，其提供了大的比表面积，高密度的纳米孔道结构和显着的表面电位。